半导体结构的制造方法技术

本公开描述一种具低接触电阻的二维通道场效晶体管及此结构的制造方法。方法包括于半导体基板上沉积介电层，于介电层上沉积金属层，且于金属层上沉积硬遮罩层。方法更包括借由移除部分硬遮罩层和部分金属层形成栅极开口。方法更包括于栅极开口的侧壁上沉积间隙壁材料层和形成通道，通道包括在栅极开口的底部的过渡金属硫属化合物(TMC)层。方法更包括于通道上和栅极开口中形成栅极结构以及移除硬遮罩层。遮罩层。遮罩层。

Manufacturing method of semiconductor structure

【技术实现步骤摘要】
半导体结构的制造方法


[0001]本专利技术是关于半导体结构及其制造方法，特别是关于具低接触电阻的二维通道场效晶体管及其制造方法。

技术介绍

[0002]二维(2D)通道场效晶体管(FET)有利于较佳的短通道效应(SCE)，但缺乏与源/漏极(S/D)区的良好接触方案。在界面边缘的低接触面积，以及顶部界面和底部界面之间的凡德瓦能隙(van der Waals gap)会导致高接触电阻。源/漏极区和二维通道之间的高萧特基位障高度(SBH)也会产生高接触电阻。为用于具有低电阻的二维通道寻找合适材料和积极制程是一项挑战。

技术实现思路

[0003]本公开一些实施例提供一种半导体结构的制造方法，方法包括于半导体基板上沉积介电层，于介电层上沉积金属层，且于金属层上沉积硬遮罩层。方法更包括借由移除部分硬遮罩层和部分金属层形成栅极开口。方法更包括于栅极开口的侧壁上沉积间隙壁材料层和形成通道，通道包括在栅极开口的底部的过渡金属硫属化合物(TMC)层。方法更包括于通道上和栅极开口中形成栅极结构以及移除硬遮罩层。
[0004]本公开另一些实施本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制造方法，包括：于一半导体基板上沉积一介电层；于该介电层上沉积一金属层；于该金属层上沉积一硬遮罩层；借由移除部分该硬遮罩层和部分该金属层形成一栅极开口；于该...

【专利技术属性】
技术研发人员：姆鲁尼尔，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：