【技术实现步骤摘要】
薄膜沉积系统及其方法
[0001]本揭露是关于半导体处理技术。本揭露更具体地是关于薄膜沉积制程。
技术介绍
[0002]集成电路的制造通常通过在半导体晶圆上执行大量处理步骤来完成。处理步骤通常导致结合半导体基板以高度复杂的配置形成大量晶体管。处理步骤亦导致形成介电层、金属互连件、通孔、插头、及其他集成电路结构及组件。
[0003]为获得最佳装置性能及生产良率，在薄膜沉积制程期间沉积的薄膜较佳表现出均匀特性。当经沉积薄膜未表现出均匀特性时，会产生可能需要丢弃的不合规装置。此外，必须花费时间调整制程，使得生产的不合规装置数目最小化。
技术实现思路
[0004]根据本揭露的一些实施例中，一种沉积薄膜的方法包含：运用薄膜沉积系统在晶圆上执行薄膜沉积制程；运用感测器产生多个感测器信号，感测器信号指示薄膜沉积系统的组件的寿命、由薄膜沉积系统沉积的薄膜的特性或在薄膜沉积制程期间流入薄膜沉积系统中的制程材料的特性；及回应于薄膜沉积制程期间的感测器信号，调整薄膜沉积系统的顶板相对于薄膜沉积系统中的晶圆的位置的相对位置。...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种沉积薄膜的方法，其特征在于，包含：运用一薄膜沉积系统在一晶圆上执行一薄膜沉积制程；运用一感测器产生多个感测器信号，所述多个感测器信号指示该薄膜沉积系统的一组件的一寿命、由该薄膜沉积系统沉积的一薄膜的一特性或在该薄膜沉积制程期间流入该薄膜沉积系统中的一制程材料的一特性；及回应于该薄膜沉积制程期间的所述多个感测器信号，调整该薄膜沉积系统的一顶板相对于该薄膜沉积系统中的该晶圆的一位置的一相对位置。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该调整包含调整该顶板与该晶圆之间的一距离。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，该调整包含移动该顶板或移动该晶圆。4.一种薄膜沉积系统，其特征在于，包含：一薄膜沉积腔室；一晶圆支撑，定位于该薄膜沉积腔室中且用以支撑该薄膜沉积腔室中的一晶圆；一顶板，定位于该晶圆支撑之上且用以在该薄膜沉积制程期间在该薄膜沉积腔室中产生一电浆；一感测器，用以产生指示该薄膜沉积系统的一组件的一寿命、由该薄膜沉积系统沉积的一薄膜的一特性或在该薄膜沉积制程期间流入该薄膜沉积系统中的一制程材料的一特性的多个感测器信号；及一控制系统，用以接收所述多个感测器信号并回应于所述多个感测器信号调整该薄膜沉积系统的该顶板相对于该薄膜沉积系统中的该晶圆的一位置的一相对位置。5.根据权利要求4所述的薄膜沉积系统，其特征在于，该感测器用以产生指示进入该薄膜沉积腔室的该处理材料的一流动速率的一感测器信号，在该薄膜沉积腔室中的该晶圆在该薄膜沉积系统中被处理。6.根据权利要求4所述的薄膜沉积系统，其特征在于，该感测器用以产生指...
【专利技术属性】
技术研发人员：郑有翔，吴哲玮，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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