本公开描述了一种在栅极结构及源极/漏极(source/drain,S/D)接触件结构之间形成中间间隔物结构并移除中间间隔物结构的顶部以形成凹槽的方法。中间间隔物结构包括第一间隔层、第二间隔层、以及位于第一间隔层及第二间隔层之间的牺牲间隔...

本发明的实施例涉及计算器件以及计算方法。在一些示例中，存储器中的计算器件包括在行和列中布置的二维存储器单元阵列，每个存储器单元由基于电流的九晶体管SRAM制成。每个存储器单元包括六晶体管SRAM单元和由开关晶体管耦合的电流源，其由输入线...

一种形成半导体装置的方法，包括：蚀刻基板以形成半导体鳍片；形成栅极堆叠于半导体鳍片的顶表面及侧壁之上；以及形成第一凹槽于栅极堆叠的一侧的半导体鳍片之中，形成第一凹槽包括：进行第一蚀刻制程以形成第一凹槽的第一部分；沉积第一介电层于栅极堆叠...

本公开涉及一种集成电路(IC)芯片，其包括具有用于临界电压微调的载子阻障层的存储器单元。举例来说，存储器单元可以包括栅极电极、铁电结构和半导体结构。半导体结构与栅极电极和铁电结构垂直堆叠，并且铁电结构在栅极电极和半导体结构之间。一对源极...

一种半导体装置及其制造方法，包括：形成一半导体特征部件于一基底上，半导体特征部件包括一导电区域；形成一介电层于半导体特征部件上；图案化介电层，以形成一接触开口，露出导电区域的一上表面；形成一单层于介电层上，维持露出导电区域的上表面；以及...

一种半导体装置(例如三维存储器阵列装置)及其制造方法在此作叙述。此制造方法包含在多层堆叠中蚀刻第一沟槽以及第二沟槽，多层堆叠包含交替的介电层以及牺牲层。制造方法进一步包含通过以导电材料取代牺牲层以形成字元线。形成字元线后，在第一沟槽中形...

本公开提供一种薄膜晶体管，包括主动层以及至少一个栅极堆叠。主动层的形成可使用单元层堆叠沉积工艺的多次重复沉积，包括受子类型氧化物沉积工艺与后过渡金属元素氧化物沉积工艺。至少一个栅极堆叠中的每个栅极介电质的表面，接触对应的受子类型元素氧化...

本公开提供一种半导体装置结构的形成方法。半导体装置结构的形成方法包括提供基板与基板之上的绝缘层。半导体装置结构的形成方法包括利用原子层沉积制程于绝缘层之上及宽沟槽与窄沟槽中沉积栅极介电层。半导体装置结构的形成方法包括于栅极介电层之上形成...

一种集成电路(IC)器件包括：功能电路，电耦合到第一电源节点并可通过第一电源节点上的第一电源电压进行操作；以及电源控制电路，包括不同类型的第一晶体管和第二晶体管。第一晶体管包括被配置为接收控制信号的栅极端子、电耦合到第一电源节点的第一端...

在实施例中，半导体器件包括：衬底上的隔离区域；从隔离区域的相邻部分之间突出的鳍结构，鳍结构包括多个鳍和台面，鳍结构的沟道区域具有位于鳍中的第一部分以及位于台面中的第二部分，鳍以及台面是连续半导体材料，台面具有比鳍更大的宽度；以及鳍结构上...

一种方法包括接收设计规则组，设计规则组包括与有源区域相关联的宽度和间距的预定集合。该方法还包括提供包括具有相应有源区域的单元的单元库，其中有源区域的宽度和间距选自设计规则组的预定集合。该方法包括在设计布局中放置来自单元库的第一单元和第二...

半导体结构包括光学组件和与光学组件相邻并且配置为控制光学组件的温度的热控制机构。热控制机构包括导电结构、第一热电构件以及与第一热电构件相对的第二热电构件。第一热电构件与第二热电构件电连接至导电结构。第一热电构件和第二热电构件具有相反的导...

一种位元线预充电电路以及对位元线预充电的方法。当一位元线预充电范围落在预定预充电规定范围内时，以位元线预充电电路内部的时脉信号为基准，对位元线进行预充电。当一位元线预充电范围落在预定预充电规定范围外时，以位元线预充电电路外部的时脉信号为...

封装件包括：第一半导体衬底；集成电路管芯，通过电介质

半导体器件包括：第一有源区域，设置在衬底的第一侧上，沿着第一横向方向延伸。半导体器件包括：第二有源区域，设置在第一侧上，沿着第一横向方向延伸。第一有源区域具有第一导电类型，并且第二有源区域具有与第一导电类型相反的第二导电类型。半导体器件...

提供了一种辐射源设备及其使用方法。方法包括：将第一液滴产生器组装到容器的接口上；将靶液滴从第一液滴产生器喷射到在收集器前方的激发区域；朝向激发区域发射激光，使得靶液滴由激光加热以产生极紫外(EUV)辐射；停止喷射靶液滴；在停止喷射靶液滴...

在一些实施例中，本公开涉及一种形成电容器结构的方法。该方法包括在下电极层上方形成电容器介电层，以及在电容器介电层上方形成上电极层。蚀刻上电极层以界定上电极且暴露电容器介电层的部分。间隔结构形成在上电极层和电容器介电层的水平延伸表面上并且...

一种清洁极紫外线遮罩的系统和方法，极紫外(EUV)微影系统包含扫描器。微影系统用扫描器中的倍缩光罩执行EUV微影制程。扫描器包含倍缩光罩储存腔室、倍缩光罩背侧检查腔室及倍缩光罩清洁腔室。倍缩光罩清洁腔室对扫描器中的倍缩光罩的背侧的碎屑进...

一种半导体封装，包括：第一晶粒；第二晶粒，堆叠在第一晶粒的上表面上，第二晶粒包括第二半导体基板和沿着第二半导体基板的周边延伸的第二密封环结构；第三晶粒，堆叠在第一晶粒的上表面上，第三晶粒包括第三半导体基板和沿着第三半导体基板的周边延伸的...

本申请提供一种极紫外光源、辐射源及其装置，极紫外光源包括模块容器及洗涤系统。洗涤系统在模块容器中可以包括多个槽。多个槽可以包括第一槽及第二槽。模块容器中第二槽可能低于第一槽。第二槽的单位体积大于第一槽的单位体积。体积。体积。