清洁极紫外线遮罩的系统和方法技术方案

一种清洁极紫外线遮罩的系统和方法，极紫外(EUV)微影系统包含扫描器。微影系统用扫描器中的倍缩光罩执行EUV微影制程。扫描器包含倍缩光罩储存腔室、倍缩光罩背侧检查腔室及倍缩光罩清洁腔室。倍缩光罩清洁腔室对扫描器中的倍缩光罩的背侧的碎屑进行清洁。的倍缩光罩的背侧的碎屑进行清洁。的倍缩光罩的背侧的碎屑进行清洁。

System and method for cleaning extreme ultraviolet mask

【技术实现步骤摘要】
清洁极紫外线遮罩的系统和方法


[0001]本揭露关于一种清洁极紫外线遮罩的系统和方法。

技术介绍

[0002]对提高包含智能手机、平板计算机、桌上计算机、膝上型计算机及许多其他类型电子装置的电子装置的计算能力的需求一直存在。集成电路为这些电子装置提供计算能力。提高集成电路的计算能力的一种方法为增加半导体基板的给定面积可以包含的晶体管及其他集成电路特征的数目。
[0003]集成电路中的特征部分在微影术的帮助下产生。传统微影技术包含产生遮罩，该遮罩描绘将在集成电路晶粒上形成的特征图案的轮廓。微影光源通过遮罩辐照集成电路晶粒。可以经由集成电路晶粒的微影术产生的特征的大小在下端上部分地受到由微影光源产生的光的波长的限制。较小波长的光可以产生较小的特征大小。
[0004]极紫外(Extreme ultraviolet，EUV)光归因于EUV光的相对短的波长而用于产生特别小的特征。例如，EUV光通常通过用激光束辐照选择的材料的液滴来产生。来自激光束的能量使液滴进入电浆状态。在电浆状态下，液滴发射EUV光。EUV光朝向具有椭圆或抛物线表面的收本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种清洁极紫外线遮罩的系统，其特征在于，包括：一极紫外扫描器；一卡盘，处于该极紫外扫描器中且用以在一极紫外微影制程期间固持一倍缩光罩；一倍缩光罩储存器，处于该极紫外扫描器中且用以储存该倍缩光罩；及一倍缩光罩清洁系统，处于该极紫外扫描器中且耦接至该倍缩光罩储存器。2.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，该倍缩光罩清洁系统用以清洁该倍缩光罩的一背侧。3.根据权利要求2所述的系统，其特征在于，该倍缩光罩清洁系统用以量测一碎屑粒子在该倍缩光罩的该背侧上的一高度。4.根据权利要求3所述的系统，其特征在于，该倍缩光罩清洁系统包含量测该碎屑粒子的该高度的一光学量测系统。5.根据权利要求3所述的系统，其特征在于，该倍缩光罩清洁系统包含具有一清洁尖端的一清洁构件，该清洁尖端用以通通过接触该碎屑粒子自该倍缩光罩的该背侧移除该碎屑粒子。6.根据权利要求5所述的系统，其特征在于，该倍缩光罩清洁系统用以回应于量测该碎屑粒子的该高度而通过将该清洁尖端操纵至该倍缩光罩的该背侧上方的对应于该碎屑粒子的该高度的一距离来移除该碎屑粒子。7.根据权利要求5所述的系统，其特征在于，该清洁尖...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄郁茹，郭爵旗，傅中其，郑介任，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：