半导体装置的制造方法制造方法及图纸

一种半导体装置(例如三维存储器阵列装置)及其制造方法在此作叙述。此制造方法包含在多层堆叠中蚀刻第一沟槽以及第二沟槽，多层堆叠包含交替的介电层以及牺牲层。制造方法进一步包含通过以导电材料取代牺牲层以形成字元线。形成字元线后，在第一沟槽中形成第一晶体管，第一晶体管包含第一通道隔离结构。在第二沟槽中形成通道切割插塞，通道切割插塞的中线对准第一通道隔离结构的中线。制造方法进一步包含在第二沟槽中形成相邻于通道切割插塞的第二晶体管，且字元线电性耦接至第一晶体管以及第二晶体管。以及第二晶体管。以及第二晶体管。

Manufacturing method of semiconductor device

【技术实现步骤摘要】
半导体装置的制造方法


[0001]本专利技术实施例是有关于半导体装置的制造方法，特别是有关于三维存储 器装置的制造方法。

技术介绍

[0002]半导体存储器被使用于电子装置的集成电路之中，一些范例包含收音 机、电视、移动电话、个人计算机装置。半导体存储器包含两种主要类别。 一个类别是易失性存储器，而另一类别为非易失性存储器。易失性存储器包 含随机存取存储器(random access memory：RAM)，其可以更进一步分为两个 子类别，静态随机存取存储器(static random access memory：SRAM)以及动态 随机存取存储器(dynamic random access memory：DRAM)。静态随机存取存 储器以及动态随机存取存储器两者为易失性的，因为当其没有接收电源时， 其所存储的数据就会遗失。
[0003]而在另一方面，非易失性存储器可以保留存储于非易失性存储器上的数 据。非易失性存储器的一种为铁电随机存取存储器(ferroelectric random accessmemory：FeRAM或者FRAM)本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置的制造方法，包含：在一多层堆叠中蚀刻一第一沟槽以及一第二沟槽，该多层堆叠包含交替的介电层以及牺牲层；通过以一导电材料取代所述牺牲层以形成字元线；在该第一沟槽中形成一第一晶体管，该第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：凌嘉佑，姜慧如，林仲德，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：