集成电路器件及形成方法技术

一种集成电路(IC)器件包括：功能电路，电耦合到第一电源节点并可通过第一电源节点上的第一电源电压进行操作；以及电源控制电路，包括不同类型的第一晶体管和第二晶体管。第一晶体管包括被配置为接收控制信号的栅极端子、电耦合到第一电源节点的第一端子以及电耦合到第二电源节点的第二端子。第二晶体管包括被配置为接收控制信号的栅极端子以及被配置为接收预定电压的第一和第二端子。第一晶体管被配置为响应于控制信号连接或断开第一电源节点和第二电源节点以提供或切断功能电路的电源。本发明专利技术的实施例还涉及形成集成电路器件的方法。方法。方法。

Integrated circuit device and forming method

【技术实现步骤摘要】
集成电路器件及形成方法


[0001]本专利技术的实施例涉及集成电路器件及形成方法。

技术介绍

[0002]集成电路(“IC”)器件或半导体器件包括在IC布局图(也称为“布局图”)中表示的一个或多个器件。布局图是分层的，包括根据IC设计规范执行更高级别功能的模块。模块通常由单元的组合构成，每个单元表示配置为执行特定功能的一个或多个半导体结构。具有预先设计的布局图的单元(有时称为标准单元)存储在标准单元库(以下简称为“库”或“单元库”)中，并且可以通过各种工具(诸如电子设计自动化(EDA)工具)访问，以生成、优化和验证IC设计。
[0003]最小化半导体器件的功耗是设计考虑。一种方法涉及在电源节点(或轨)和功能电路之间包括头部电路(也称为“头部开关”)和/或尾部电路(也称为“尾部开关”)。当功能电路处于非活动状态时，通过断开头部开关和/或尾部开关来降低功耗。

技术实现思路

[0004]根据本专利技术的实施例的一个方面，提供了一种集成电路器件，包括：功能电路，电耦合到第一电源节点，并且能够通过第一电源节点上的第一电源电压进行操本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成电路器件，包括：功能电路，电耦合到第一电源节点，并且能够通过所述第一电源节点上的第一电源电压进行操作；以及电源控制电路，包括第一类型的第一晶体管和不同于所述第一类型的第二类型的第二晶体管，其中，所述第一晶体管包括：栅极端子，被配置为接收控制信号，第一端子，电耦合到所述第一电源节点，和第二端子，电耦合到第二电源节点，所述第二晶体管包括：栅极端子，被配置为接收所述控制信号，和第一端子和第二端子，被配置为接收预定电压，并且所述第一晶体管被配置为响应于所述控制信号连接或断开所述第一电源节点和所述第二电源节点以提供或切断所述功能电路的电源。2.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述预定电压为以下之一：所述控制信号，所述第一电源节点的第一电源电压，所述第二电源节点的第二电源电压，与所述第一电源电压不同的第三电源电压，所述功能电路能够通过所述第一电源电压和所述第三电源电压进行操作，或除了所述控制信号和所述第一电源电压至所述第三电源电压之外的电压。3.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述电源控制电路为头部电路，所述第一晶体管为P型晶体管，并且所述第二晶体管为N型晶体管。4.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述电源控制电路为尾部电路，所述第一晶体管为N型晶体管，并且所述第二晶体管为P型晶体管。5.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，响应于所述第一晶体管处于截止状态，所述第一电源节点与所述第二电源节点断开并浮置。6.一种集成电路器件，包括：第一半导体类型的第一有源区域；第二半导体类型的第二有源区域，所述第二半导体类型不同于所述第一半导体类型；多个栅极区域，跨所述第一有源区域和所述第二有源区域并在所述第一有源区域和所述第二有源区域上方延伸；
多个接触结构，位于所述第一有源区域和所述第二有源区域的对应部分上方并与所述第一有源区域和所述第二有源区域的对应部分电接触；以及导电层，位于所述多个栅极区域和所述多个接触结构上方，所述导电层包括：第一导电图...

【专利技术属性】
技术研发人员：张益睿，杨荣展，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：