电容MIM器件及其制造方法技术

在一些实施例中，本公开涉及一种形成电容器结构的方法。该方法包括在下电极层上方形成电容器介电层，以及在电容器介电层上方形成上电极层。蚀刻上电极层以界定上电极且暴露电容器介电层的部分。间隔结构形成在上电极层和电容器介电层的水平延伸表面上并且还沿着上电极的侧壁形成。蚀刻间隔结构以从上电极层和电容器介电层的水平延伸表面上方去除间隔结构且限定间隔件。根据间隔件蚀刻电容器介电层和下电极层以限定电容器介电层和下电极。本公开还涉及一种电容器结构。还涉及一种电容器结构。还涉及一种电容器结构。

Capacitive MIM device and its manufacturing method

【技术实现步骤摘要】
电容MIM器件及其制造方法


[0001]本专利技术的实施例总体涉及半导体领域，更具体地，涉及电容MIM器件及其制造方法。

技术介绍

[0002]集成芯片形成在包括数百万或数十亿个晶体管器件的半导体管芯上。晶体管器件被配置为用作开关和/或产生功率增益以便为集成芯片启用逻辑功能(例如，形成被配置为执行逻辑功能的处理器)。集成芯片还包括无源器件，诸如电容、电阻、电感、变容二极管等。无源器件广泛用于控制集成芯片的特性，诸如增益、时间常数等。

技术实现思路

[0003]根据本专利技术的一个方面，提供了一种形成电容器结构的方法，包括：在下电极层上方形成电容器介电层；在所述电容器介电层上方形成上电极层；蚀刻所述上电极层以限定上电极并且暴露所述电容器介电层的部分；在所述上电极层和所述电容器介电层的水平延伸表面上方以及沿着所述上电极的侧壁形成间隔结构；蚀刻所述间隔结构以从所述上电极层和所述电容器介电层的所述水平延伸表面上方去除所述间隔结构且限定间隔件；以及根据所述间隔件，蚀刻所述电容器介电层以及所述下电极层以限定电容器介电质和下电极。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种形成电容器结构的方法，包括：在下电极层上方形成电容器介电层；在所述电容器介电层上方形成上电极层；蚀刻所述上电极层以限定上电极并且暴露所述电容器介电层的部分；在所述上电极层和所述电容器介电层的水平延伸表面上方以及沿着所述上电极的侧壁形成间隔结构；蚀刻所述间隔结构以从所述上电极层和所述电容器介电层的所述水平延伸表面上方去除所述间隔结构且限定间隔件；以及根据所述间隔件，蚀刻所述电容器介电层以及所述下电极层以限定电容器介电质和下电极。2.根据权利要求1所述的方法，还包括：在所述上电极层上方形成一个或多个覆盖层；蚀刻所述一个或多个覆盖层以限定覆盖结构；以及在所述覆盖结构的水平延伸表面上方并且沿着所述覆盖结构的侧壁形成所述间隔结构。3.根据权利要求2所述的方法，还包括：在形成所述一个或多个覆盖层之前，在所述上电极层的上方和所述上电极层的侧壁之间形成介电层，其中，蚀刻所述上电极层以限定所述上电极的第一蚀刻工艺还去除了所述介电层的部分。4.根据权利要求1所述的方法，其中，在蚀刻所述下电极层期间，来自所述下电极层的材料被重新沉积到所述间隔件和所述电容器介电层的侧壁上。5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述间隔结构包括第一介电质和沿所述第一介电质的侧壁和下表面布置的第二介电质。6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述下电极的最外侧壁与所述间隔件的最外表面对齐。7.一种形成电容器结构的方法，包括：在衬底上方的下介电结构内形成一个或多个下互连件；在所述下介电结构上方形成第一介电层；形成延伸穿过所述第一介电层的多个开口以暴露所述一个或多个下互连件；在所述第一介电层上方...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱景升，杨敦年，蔡喻丞，林孟贤，苏庆忠，刘人诚，王文德，陈冠华，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：