一种半导体结构的形成方法包括经由基板的背侧移除栅极结构的一部分，以形成沟槽而将栅极结构隔离成两个部分。该方法还包括沉积牺牲材料于沟槽中，且牺牲材料顺应性地沿着沟槽的侧壁；将第一介电材料填入沟槽的其余部分；部分地移除牺牲材料，以保留开口于...

提供了半导体结构及其形成方法。根据本发明的半导体结构包括：至少一个第一半导体元件和至少一个第二半导体元件，位于衬底上方；介电鳍，设置在至少一个第一半导体元件和至少一个第二半导体元件之间；第一功函金属层，包裹至少一个第一半导体元件的每个并...

本公开提供一种半导体装置及其制造方法。半导体装置包括垂直堆叠的多个第一通道构件、垂直堆叠的多个第二通道构件、包裹环绕多个第一通道构件的每一者的n型功函数层、位于n型功函数层上方并包裹环绕多个第一通道构件的每一者的第一p型功函数层、包裹环...

用于活化电浆处理设备的组件的方法，电浆处理设备包括一感测器，用于检测在电浆处理工具的保护性表面涂层上的剥离弱化层的厚度或粗糙度、和/或用于检测由这样的剥离弱化层所产生的空浮的污染物。此方法包括：检测剥离弱化层积聚的有害物质的量、或来自此...

一种互连结构及其形成方法，互连结构可包括：互连面介电材料层，其位于基板上方；第一金属互连结构，其嵌入于互连面介电材料层中，且包括第一金属障壁衬垫及第一金属填充材料部分；及上覆介电材料层。上覆介电材料层中的开口可整个形成于第一金属障壁衬垫...

本案描述的一些实施例提供了一种半导体结构。半导体结构包括一电容器元件，此电容器元件位于基板的凹入部分中。此凹入部分具有侧壁及位于基板的顶表面下方的底表面。半导体结构包括设置在电容器元件下方且在凹入部分内的介电材料。半导体结构包括邻近凹入...

一种半导体制造设备和制造半导体装置的方法，半导体制造设备包括处理腔室、在处理腔室内的基板支撑件、耦合到处理腔室的电浆源、以及排列在处理腔室上的多个加热装置。每个加热装置配置为发射激光束在位于基板支撑件上的基板上，以加热基板。以加热基板。...

本发明的实施例提供了一种电压参考电路，包括：第一多个n型场效应晶体管，其中每个n型场效应晶体管具有第一阈值电压并且包括具有n型掺杂剂的第一功函层材料的第一栅叠件；第二多个n型场效应晶体管，其中每个n型场效应晶体管具有大于第一阈值电压的第...

本发明的实施例提供了一种制造半导体器件的方法，包括：在栅介电层上形成伪栅电极层；在所述伪栅电极层上方形成图案化的掩模层；以所述图案化的掩模层为掩模，将所述伪栅电极层图案化为多个图案化的伪栅电极，所述图案化的伪栅电极彼此间隔，使得每个图案...

本发明实施例提供了一种方法，包括：在载体上附接半导体结构，在载体上方沉积模塑料层，其中，半导体结构嵌入在模塑料层中；将第一感光材料层和第二感光材料层暴露于光；显影第一感光材料层和第二感光材料层以形成开口，开口具有位于第一感光材料层中的第...

本发明的实施例提供了一种筛选存储器阵列中的弱比特的方法，包括：将第一组数据存储在存储器阵列的具有第一组存储器单元的第一存储器阵列中；至少对第一存储器阵列实施第一烘焙工艺，或者至少对第一存储器阵列施加第一磁场；确定存储在第一存储器阵列中的...

一种半导体装置及其形成方法，半导体装置包括第一晶圆，其包括在第一晶圆的主体内的密封环结构的第一部分。半导体装置包括第二晶圆，其包括在第二晶圆的主体内的密封环结构的第二部分。第二晶圆粘贴至第一晶圆以使得密封环结构的第二部分在密封环结构的第...

本文描述的一些实施提供一种半导体结构及其制造方法。该半导体结构包括第一晶圆，第一晶圆包括第一晶圆主体内的第一金属结构。该半导体结构亦包括第二晶圆，第二晶圆包括第二晶圆主体内的第二金属结构，其中第一晶圆在一界面处耦接至第二晶圆。该半导体结...

本公开提出一种互连结构。互连结构包括一介电层、一第一导电特征、一硬掩模层、一导电层及一覆盖层。第一导电特征设置在介电层中。硬掩模层设置在第一导电特征上。导电层包括一第一部分及一第二部分，导电层的第一部分设置在硬掩模层的至少一第一部分上方...

一种电浆处理设备及方法，用于半导体处理的电浆处理设备包含注入器固持器，注入器固持器用以与界定电浆处理设备的内部室的结构可移除地配合。注入器固持器界定第一开口。套筒收容在第一开口内，且套筒界定第二开口。气体注入器收容在套筒的第二开口内。注...

一种像素感测器、以及制造此半导体结构的方法、和半导体结构。本文所描述的实施减少了由于在像素感测器中的硅悬键而产生的电子

本公开提供一种扇出型封装和其形成方法。互补晶粒组阵列贴附至承载基板。连续的互补层级封装材料层形成在互补晶粒组阵列周围。主要半导体晶粒阵列贴附至互补晶粒组阵列。连续的主要层级封装材料层形成在主要半导体晶粒阵列周围。沿着平行于主要半导体晶粒...

一种光微影设备及其用于去除污染物的方法，用于EUV晶圆卡盘或夹具的清洁设备去除已在该晶圆卡盘的表面上的瘤节之间积聚的粒子。该设备包括置放在该表面附近的一旋转双极电极，当该晶圆卡盘不使用时，该旋转双极电极可使用其产生的对称电场来自该表面吸...

一种半导体封装和其形成方法，半导体封装包括第一连接晶粒和第一晶粒堆叠，第一连接晶粒包括半导体基板和互连结构，第一晶粒堆叠设置于第一连接晶粒上且包括多个堆叠式晶粒，各个堆叠式晶粒包括半导体基板和包括第一连接接线的互连结构，第一连接接线电性...

本揭露内容提供一种半导体元件的制造方法，包含形成栅极介电层及虚拟栅极层；形成罩幕于在虚拟栅极层上；图案化栅极介电层及虚拟栅极层，以形成虚拟栅极结构，其中虚拟栅极结构包含栅极介电层的残留部分及虚拟栅极层的残留部分；磊晶成长第一间隙层于虚拟...