半导体结构制造技术

本案描述的一些实施例提供了一种半导体结构。半导体结构包括一电容器元件，此电容器元件位于基板的凹入部分中。此凹入部分具有侧壁及位于基板的顶表面下方的底表面。半导体结构包括设置在电容器元件下方且在凹入部分内的介电材料。半导体结构包括邻近凹入部分的侧壁中的一或多者的第一导电结构。第一导电结构可包括基板的导电部分或设置在凹入部分内的导电材料。半导体结构包括耦接至第一导电结构的第二导电结构，其中第二导电结构提供从第一导电结构至电压源极或电压漏极的电连接。导电结构至电压源极或电压漏极的电连接。导电结构至电压源极或电压漏极的电连接。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构


[0001]本揭示内容的一些实施方式关于半导体结构。

技术介绍

[0002]一种电容器元件可用以生成跨设置在电极之间的介电结构的电场。电容器元件可基于电场的生成，及基于阻止或几乎阻止电流在电极之间流动的介电质，而在电容器元件的电极之间储存电能。电容器元件可用于半导体结构中以储存电能，形成随机存取记忆体(例如，动态随机存取记忆体)，稳定功率流动，及/或将电路调谐至特定频率，等等。

技术实现思路

[0003]本揭示内容的一些实施方式提供一种半导体结构，包括：半导体结构的基板、介电材料、电容器元件以及导电结构。基板包括凹入部分以及导电部分，凹入部分具有多个侧壁及位于基板的顶表面下方的底表面，导电部分设置在凹入部分周围；介电材料，设置在基板的导电部分上且在凹入部分内；电容器元件，设置在凹入部分内的介电材料上；以及导电结构，耦接至基板的导电部分，其中导电结构提供从基板的导电部分至电压源极或电压漏极的电连接。
[0004]本揭示内容的一些实施方式提供一种半导体结构，包括第一导电结构、介电材料、电容器元件以及第二导电结构。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：该半导体结构的一基板，该基板包括：一凹入部分，具有多个侧壁及位于该基板的一顶表面下方的一底表面，及一导电部分，设置在该凹入部分周围；一介电材料，设置在该基板的该导电部分上且在该凹入部分内；一电容器元件，设置在该凹入部分内的该介电材料上；以及一导电结构，耦接至该基板的该导电部分，其中该导电结构提供从该基板的该导电部分至一电压源极或一电压漏极的一电连接。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该基板的该导电部分直接接触该凹入部分的所述多个侧壁中的一或多者，或其中该基板的该导电部分直接接触该凹入部分的所述多个侧壁中的一或多者及该凹入部分的该底表面。3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，进一步包括：一附加导电结构，耦接至该基板的该导电部分，其中该导电结构在一第一横向方向上从该电容器元件横向位移，及其中该附加导电结构在一第二横向方向上从该电容器元件横向位移，其中该电容器元件大体位于该导电结构与该附加导电结构之间。4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该电压源极的一电压为基于施加至该电容器元件的一底电极的一电压。5.一种半导体结构，其特征在于，包括：一第一导电结构，设置在该半导体结构的一基板的一凹入部分内，该凹入部分具有多个侧壁及位于该基板的一顶表面下方的一底表面；一介电材料，设置在该凹入部分内的该第...

【专利技术属性】
技术研发人员：张任远，赖佳平，李建璋，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：