【技术实现步骤摘要】
互连结构及其形成方法
[0001]本揭露涉及一种互连结构及其形成方法。
技术介绍
[0002]通常,可使用各向异性蚀刻制程来穿过上覆绝缘层图案化开口。然而,在穿过上覆绝缘层图案化开口的各向异性蚀刻制程期间,先前形成的金属互连结构可受到不良的电浆损伤。此类电浆损伤可导致诸如场效晶体管的底层电性连接元件发生电气故障或效能下降。
技术实现思路
[0003]本揭露的一些实施方式提供一种互连结构,其包含:互连面介电材料层及第一金属互连结构。互连面介电材料层位于基板上方。第一金属互连结构嵌入于互连面介电材料层中,第一金属互连结构包含第一金属障壁衬垫及第一金属填充材料部分。第一金属障壁衬垫包含:平面底障壁衬垫段、多个侧壁段及平面顶障壁衬垫段。平面底障壁衬垫段在第一金属填充材料部分下方,且具有位于包括互连面介电材料层的底表面的第一水平平面处或下方的底表面。这些侧壁段邻接平面底障壁衬垫段的周缘,且垂直延伸至包括互连面介电材料层的顶表面的第二水平平面。平面顶障壁衬垫段邻接这些侧壁段中的一者的外侧壁,具有位于第二水平平面内的顶表面 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种互连结构,其特征在于,包含:一互连面介电材料层,其位于一基板上方;及一第一金属互连结构,其嵌入于该互连面介电材料层中,包含一第一金属障壁衬垫及一第一金属填充材料部分,其中该第一金属障壁衬垫包含:一平面底障壁衬垫段,其在该第一金属填充材料部分下方,且具有位于包括该互连面介电材料层的一底表面的一第一水平平面处或下方的一底表面;多个侧壁段,其邻接该平面底障壁衬垫段的一周缘,且垂直延伸至包括该互连面介电材料层的一顶表面的一第二水平平面;及一平面顶障壁衬垫段,其邻接该些侧壁段中的一者的一外侧壁,具有位于该第二水平平面内的一顶表面,且侧向延伸大于该些侧壁段中的每一者的一侧向厚度的一侧向距离。2.根据权利要求1所述的互连结构,其特征在于,其进一步包含:一上覆介电材料层,其接触该互连面介电材料层的一顶表面;及一第二金属互连结构,其嵌入于该底层介电材料层中,且接触该第一金属互连结构的一顶表面。3.根据权利要求2所述的互连结构,其特征在于,该第二金属互连结构接触该第一金属互连结构的该平面顶障壁衬垫段的一顶表面,且不接触该第一金属填充材料部分。4.根据权利要求2所述的互连结构,其特征在于,该第一金属填充材料部分的一顶表面的一整体接触该上覆介电材料层的一底表面。5.根据权利要求2所述的互连结构,其特征在于,该第二金属互连结构的一底缘整体位于该第二水平平面内的该第一金属障壁衬垫的一外缘内,且与其向内侧向间隔。6.一种互连结构,其特征在于,包含:一互连面介电材料层,其位于一基板上方;一第一金属互连结构,其嵌入于该互连面介电材料层中,包含一第一金属障壁衬垫及由该第一金属障壁衬垫侧向包围的一第一金属填充材料部分;一上覆介电材料层,其接触该互连面介电材料层的一顶表面;及一第二金属互连结构,其嵌入于该底层介电材料层中且接触该第一金属障壁衬垫的一顶表面,其中该第一金属填充材料部分的一顶表面的一整体接触该上覆介电材...
【专利技术属性】
技术研发人员:江政鸿,巫幸晃,刘家玮,
申请(专利权)人:台湾积体电路制造股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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