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一种互连结构及其形成方法,互连结构可包括:互连面介电材料层,其位于基板上方;第一金属互连结构,其嵌入于互连面介电材料层中,且包括第一金属障壁衬垫及第一金属填充材料部分;及上覆介电材料层。上覆介电材料层中的开口可整个形成于第一金属障壁衬垫的区...该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。
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一种互连结构及其形成方法,互连结构可包括:互连面介电材料层,其位于基板上方;第一金属互连结构,其嵌入于互连面介电材料层中,且包括第一金属障壁衬垫及第一金属填充材料部分;及上覆介电材料层。上覆介电材料层中的开口可整个形成于第一金属障壁衬垫的区...