半导体制造设备和制造半导体装置的方法制造方法及图纸

一种半导体制造设备和制造半导体装置的方法，半导体制造设备包括处理腔室、在处理腔室内的基板支撑件、耦合到处理腔室的电浆源、以及排列在处理腔室上的多个加热装置。每个加热装置配置为发射激光束在位于基板支撑件上的基板上，以加热基板。以加热基板。以加热基板。

【技术实现步骤摘要】
半导体制造设备和制造半导体装置的方法


[0001]本揭示内容是关于控制基板的制程均匀性的半导体制造设备和制造半导体装置的方法。

技术介绍

[0002]在半导体装置制造中，使用各种类型的电浆制程以在半导体基板上沉积导电材料和介电质材料的多个层，并且也毯覆蚀刻和选择性地从基板蚀刻多种材料。在这些制程中，将基板固定在处理腔室中的基板卡盘并且在基板表面附近产生电浆。在电浆蚀刻系统中，整个基板的制程结果的均匀性受到许多种因素的影响，包括电浆密度的空间变异、制程化学的空间变异、以及基板温度的空间变异。

技术实现思路

[0003]本揭示内容的一些实施方式提供了一种半导体制造设备，包含：处理腔室、基板支撑件、电浆源、以及多个加热装置。基板支撑件在处理腔室内。电浆源耦合到处理腔室。多个加热装置排列在处理腔室上，每个加热装置配置为发射激光束在位于基板支撑件上的基板上，以加热基板。
[0004]本揭示内容的另一些实施方式提供了一种半导体制造设备，包含：处理腔室、基板支撑件、电浆源、以及加热装置。基板支撑件在处理腔室内。电浆源耦合到处理腔室。加本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体制造设备，其特征在于，包含：一处理腔室；一基板支撑件，在该处理腔室内；一电浆源，耦合到该处理腔室；以及多个加热装置，排列在该处理腔室上，每个所述加热装置配置为发射激光束在位于该基板支撑件上的一基板上，以加热该基板。2.如权利要求1所述的半导体制造设备，其特征在于，还包含：多个感测器，用于监测该基板的一或多个区域的一温度；以及一控制器，可操作以响应于经由所述多个感测器的监测来控制所述多个加热装置，从而以个别地控制该基板的所述一或多个区域的所述温度。3.如权利要求1所述的半导体制造设备，其特征在于，其中所述多个加热装置排列在该处理腔室的一壁上。4.如权利要求1所述的半导体制造设备，其特征在于，其中由所述多个加热装置所发射的激光束的一波长在10纳米至100微米之间。5.一种半导体制造设备，其特征在于，包含：一处理腔室；一基板支撑件，在该处理腔室内；一电浆源，耦合到该处理腔室；以及一加热装置，包括耦合到其上的一光纤，该加热装置配置为引导一激光束入射到位于该基板支撑件的一基板上，以经由该光纤加热该基板。6.如权利要求5所述的半导体制造设备，其特征在于，还包含：一分束器，耦合...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈柏儒，赵家忻，廖志腾，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：