像素感测器、制造半导体结构的方法、和半导体结构技术

一种像素感测器、以及制造此半导体结构的方法、和半导体结构。本文所描述的实施减少了由于在像素感测器中的硅悬键而产生的电子

Pixel sensor, method of manufacturing semiconductor structure, and semiconductor structure

【技术实现步骤摘要】
像素感测器、制造半导体结构的方法、和半导体结构


[0001]本揭示内容是关于具有氟钝化的像素感测器和半导体结构、以及制造此半导体结构的方法。

技术介绍

[0002]互补式金属氧化物半导体(Complementary metal oxide semiconductor,CMOS)影像感测器利用光敏的互补式金属氧化物半导体电路将光能转换成电能。光敏的互补式金属氧化物半导体电路可包括形成在硅基板中的光电二极管。当光电二极管暴露于光时，在光电二极管中感应到电荷(并且可称为“光电流”)。光电二极管可耦合到开关晶体管，开关晶体管用于对光电二极管的电荷进行采样。颜色可以经由在光敏的互补式金属氧化物半导体电路上方放置滤器来确定。
[0003]经由互补式金属氧化物半导体影像感测器的像素感测器所接收的光通常基于三原色：红色、绿色、和蓝色(R、G、B)。感测用于每种颜色的光的像素感测器可以经由滤色器的使用来定义，此滤色器允许特定颜色的光波长通过进入光电二极管。一些像素感测器可配置为白色像素感测器，从而允许多种颜色的入射光通过光电二极管。<br/>
技术实现思路
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种像素感测器，其特征在于，包含：一基板；一光电二极管区域，在该第一基板中；一浮动的扩散区域，在该基板中；一传输栅极接触件，在介于该光电二极管区域和该浮动的扩散区域之间的该基板中；以及一第一复数个硅
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氟键，位于介于该传输栅极接触件和该基板之间的一界面处。2.根据权利要求1所述的像素感测器，其特征在于，介于该传输栅极接触件的一底表面和该传输栅极接触件的一侧壁之间的一角度在大约70度至大约90度的范围内。3.根据权利要求1所述的像素感测器，其特征在于，该传输栅极接触件的深度相对于该传输栅极接触件的宽度的比率在大约3至大约6的范围内。4.根据权利要求1所述的像素感测器，其特征在于，还包含：一浅沟槽隔离结构，邻近于该浮动的扩散区域；以及一第二复数个硅
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氟键，位于介于该浅沟槽隔离结构和该基板之间的一界面处。5.一种制造半导体结构的方法，其特征在于，包含：在一像素感测器的一基板中形成一开口；执行一表面处理操作，以沿着该开口的一底表面和沿着该开口的多个...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈威霖，周俊豪，李国政，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：