一种像素阵列、影像感测器的方法、包括影像感测器的装置，像素阵列包括多个暗像素感测器，所述多个暗像素感测器用以为包括在像素阵列中的多个可见光像素感测器产生暗电流校准信息。所述多个暗像素感测器可为每个可见光像素感测器或为所述多个可见光像素感...

一种像素阵列及其制造方法，像素阵列可包含飞时测距(ToF)感测器群组。像素阵列可包含影像感测器，此影像感测器包含像素感测器群组。影像感测器可设于飞时测距感测器群组中，以使影像感测器邻近飞时测距感测器群组中的每个飞时测距感测器。每个飞时测...

半导体器件包括：半导体衬底；低k介电层，位于半导体衬底上方；隔离层，位于低k介电层上方；以及功函层，位于蚀刻停止层上方。功函层是n型功函层。器件还包括：低维半导体层，位于功函层的顶面和侧壁上；源极/漏极接触件，接触低维半导体层的相对端部...

实施方式关于减少半导体基材中的电荷的方法。此方法包含沉积光阻于半导体基材上，以形成光阻层于半导体基材上。将光阻层曝光于辐射。使用显影剂溶液来显影光阻层。使用第一清洁液体来清洁半导体基材，以从光阻层洗去显影剂溶液。对半导体基材施加四甲基氢...

一种微影的方法包括形成光阻层在基板上、对光阻层进行处理以形成具有第一分子量的光阻层的上部和具有小于第一分子量的第二分子量的光阻层的下部、对光阻层进行曝光制程、以及对光阻层进行显影制程以形成图案化光阻层。及对光阻层进行显影制程以形成图案化...

一种存储环境监测器件能够测量及/或监测存储区域内的环境的例如气流、温度及湿度等各种参数，以提高存储在存储区域中的半导体组件的存储品质。存储环境监测器件能够在不必打开存储区域中存储半导体组件的围封体的情况下测量及/或监测存储区域内的环境的...

本揭露说明一种半导体装置结构及其制造方法。此结构包含具有第一半导体材料的源极/漏极磊晶特征、具有第一掺杂区域及与该第一掺杂区域相邻的第一未掺杂区域的第一半导体层，且第一掺杂区域接触第一半导体材料。结构还包含设置在第一半导体层上的第二半导...

本揭露内容说明一种影像感测装置及其形成方法。此影像感测装置可包含半导体层。此半导体层可包含第一表面及第二表面。影像感测装置可进一步包含形成在半导体层的第一表面上的内连线结构、形成于半导体层的第二表面上的第一辐射感测区及第二辐射感测区、形...

一种半导体元件的形成方法，包含在穿过介电质层的开口的底面上形成第一导电特征。形成第一导电特征留下晶种在开口的侧壁上。对晶种执行处理制程以形成经处理晶种。经处理晶种通过清洁制程去除。清洁制程可以包含用去离子水冲洗。形成第二导电特征以填充开...

一种化学机械研磨方法及化学机械研磨装置，可将基板装载于化学机械研磨(CMP)装置上，化学机械研磨装置包括研磨垫及支撑基板的晶圆载体。晶圆载体包括背侧板、晶圆载体框架以及至少一光学垂直位移量测单元。光学垂直位移量测单元包括相应激光源及相应...

本发明的实施例提供一种半导体封装以及其制造方法。半导体封装包含至少一个半导体管芯、插入件、包封体、保护层以及连接件。插入件具有第一表面、与第一表面相对的第二表面以及连接第一表面和第二表面的侧壁。半导体管芯设置在插入件的第一表面上且与插入...

本发明的各个实施例针对图像传感器以及用于形成图像传感器的方法，其中像素间沟槽隔离结构由低透射率层限定。在一些实施例中，图像传感器包括像素的阵列和像素间沟槽隔离结构。像素的阵列位于衬底上，并且阵列的像素包括位于衬底中的单独的光电探测器。像...

用于制造半导体封装件的夹具包括底部件和上部件。底部件包括基底、支撑板和至少一个弹性连接件。支撑板位于基底的中心区域中。至少一个弹性连接件介于支撑板和基底之间。上部件包括帽和外法兰。当上部件设置在底部件上时，帽位于支撑板上面。外法兰设置在...

提供了一种半导体布置。半导体布置包括限定开口的介电层、位于开口中的粘合层以及位于粘合层上方的开口中的导电层。导电层的材料是与粘合层的粘合材料相同的材料。本发明的实施例还涉及半导体布置的形成方法。例还涉及半导体布置的形成方法。例还涉及半导...

一种半导体封装包括中介层、半导体管芯、底部填充胶层及包封体。半导体管芯设置在中介层之上且与中介层电连接，其中半导体管芯具有前表面、后表面、第一侧表面及第二侧表面，后表面与前表面相对，第一侧表面及第二侧表面与前表面及后表面连接，且半导体管...

一种晶圆处理设备与制造半导体装置的方法，制造半导体装置的方法包含在处理设备中形成电浆以处理晶圆。停止形成电浆。在停止形成电浆后，降低承载晶圆的支撑盘至闲置高度，使处理设备的覆盖环的开口与处理设备的遮蔽罩的对准件嵌合。覆盖环的开口具有由上...

本公开涉及包括不对称铁电器件对的计算单元及其形成方法。一种铁电计算单元，包括：第一铁电开关器件，包括第一铁电材料部分并生成数字输出信号；以及第二铁电开关器件，包括第二铁电材料部分并生成模拟输出信号。第一铁电开关器件和第二铁电开关器件中的...

本公开实施例提出一种半导体结构。平坦绝缘间隔物层形成于基板上，而栅极、栅极介电层、与第一半导体金属氧化物层的垂直堆叠可形成其上。第一半导体金属氧化物层包括第一平均掺质浓度的第一n型掺质的原子。第二半导体金属氧化物层形成于第一半导体金属氧...

本发明实施例涉及半导体、电路结构及其相关方法。提供一种电路结构。所述电路结构可包含：第一裸片区域，其包含输出门；第二裸片区域，其包含电路及输入门；及裸片间互连件。所述输入门可包含晶体管。所述电路可连接在所述裸片间互连件与所述晶体管的栅极...

本发明提供一种用于光学信号处理的器件和系统及制造半导体器件的方法。用于光学信号处理的器件包括第一层、第二层和波导层。透镜设置在第一层内且相邻于第一层的表面。第二层位于第一层下方且相邻于第一层的另一表面。波导层位于第二层下方，并配置成波导...