一种提供静电放电防护的方法、静电放电电路及静电放电单元，提供用于电路系统的故障安全防护的系统及方法使电路系统免受通过输入与输出的连接件所引起的静电放电。电力电路系统可包括二极管串、连接至电源线路的连接件以及用于电压上拉与下拉箝制的特定二...

本发明实施例提供一种半导体封装体及其制造方法。一种半导体封装体包括半导体管芯、重布线路结构、支撑结构和保护层。所述重布线路结构位于所述半导体管芯上并电耦合到所述半导体管芯。所述支撑结构位于所述重布线路结构的外表面上，其中所述支撑结构沿着...

本公开涉及用于形成SRAM存储单元结构的半导体器件和方法。一种装置包括存储单元。存储单元中的第一存储单元包括布置在第一掺杂区域中的第一写入端口和布置在第二掺杂区域中的第一读取端口。第一读取端口通过存储单元中的第二存储单元的第二写入端口与...

本文描述的一些实施例提供一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包含第一导电结构，第一导电结构设于半导体结构的第一层内。半导体结构包含介电结构设于半导体结构的第二层内，而第二层设置在第一层之上。半导体结构包含第二导电结构设于介电结构的凹陷...

一种聚合物组合物以及制造半导体装置的方法，用于制造半导体装置的方法包括在基板之上形成抗蚀剂底层的步骤。抗蚀剂底层包括底层组合物，底层组合物包括：具有以下的聚合物：光致产酸剂(photoacid generator；PAG)基团侧基、热致...

本公开总体涉及半导体器件的导电特征及其形成方法。一种方法包括：在衬底之上形成器件区域；在器件区域之上形成第一电介质层；在第一电介质层中形成开口；沿着开口的侧壁和底表面共形地沉积第一导电材料；在第一导电材料上沉积第二导电材料以填充开口，其...

一种磁铁组态系统与在磁阻式随机存取记忆体晶片中侦测磁穿隧接面矫顽磁力弱位元的方法，揭露的方法包括将含有磁阻式随机存取记忆体(magnetoresistiverandom

一种半导体装置、半导体晶片与制造半导体晶片的方法，半导体装置包含一源极结构，该源极结构包含主动源极部分、在垂直方向上与主动源极部分间隔开的非主动源极部分、及插入主动源极部分与非主动源极部分之间的第一介电结构。漏极结构在第一方向上与源极结...

本公开涉及具有非对称衬底接触件的2D沟道晶体管结构。提供了半导体器件及其形成方法。一种方法包括提供具有半导体结构的工件；在半导体结构上方淀积二维(2D)材料层；形成与半导体结构和2D材料层电连接的源极特征和漏极特征，其中源极特征和漏极特...

一种场效应晶体管、半导体结构及其形成方法，场效应晶体管含有半导体材料层，此半导体材料层包括源极侧掺杂阱、源极区及漏极区。浅沟槽隔离结构嵌入在此半导体材料层中且在此源极区与此漏极区之间延伸。栅极介电层覆盖在此半导体材料层上。栅电极的水平延...

本公开涉及包括阻氢电介质阻挡件的薄膜晶体管及其形成方法。一种薄膜晶体管，包括：绝缘基体层，该绝缘基体层中包括开口；阻氢电介质阻挡层，在开口的底表面和侧壁之上并且在绝缘基体层的顶表面之上连续延伸；栅极电极，位于开口内；栅极电介质和半导体金...

在沉积时，硬掩模薄膜具有内应力分量，该内应力分量是掩模层的材料、厚度、沉积工艺以及下层材料和形貌的伪像。在图案化时，尤其是在图案化亚微米临界尺寸时，这种内应力可导致掩模层变形和扭曲。采用应力补偿工艺减少这种内应力的影响。例如，可采用热处...

一种制作半导体器件的方法包括在衬底上形成第一半导体层堆叠。第一半导体层堆叠包括第一半导体条带与第二半导体条带的交替堆叠。第一半导体条带及第二半导体条带分别包括第一半导体材料及第二半导体材料。所述方法还包括移除第一半导体条带，以在第一半导...

形成半导体器件的方法包括：在突出至衬底之上的鳍上方形成金属栅极结构，金属栅极结构由层间介电(ILD)层围绕；使金属栅极结构凹进至ILD层的远离衬底的上表面下方；在凹进之后，在凹进的金属栅极结构上方形成第一介电层；在第一介电层和ILD层上...

一种制作半导体器件的方法包括在衬底上形成第一半导体层堆叠。第一半导体层堆叠包括交替的第一半导体条带与第二半导体条带。所述方法还包括移除第一半导体条带，以在第一半导体层堆叠中的第二半导体条带之间形成空隙。所述方法还包括在所述空隙中沉积介电...

一种空气传播污染物管理的方法包括：通过对清洁室的环境进行采样来产生污染物分布图；通过将污染物分布图与第一数据库中的至少一个扩散图像进行比较来选择清洁室的第一制作工具；将第一制作工具的参数与第二数据库中的工艺效用信息进行比较；以及当参数与...

制造半导体装置的方法包括形成光阻剂结构，包括在基板上形成包括光阻剂组成物的光阻剂层。形成光阻剂层之后，以添加剂处理光阻剂层。添加剂选自由自由基抑制剂、热自由基抑制剂和光自由基抑制剂所组成的群组中的一个或多个。多个。多个。

本揭露提供一种存储器元件及其制造方法。存储器元件包括磁性穿遂结与自旋霍尔电极。磁性穿遂结包括自由层、参考层以及延伸于自由层与参考层之间的阻障层。自旋霍尔电极接触于磁性穿遂结且经配置以将电荷电流转换为用于写入磁性穿遂结的自旋电流。自旋霍尔...

一种封装结构包括电路衬底、半导体封装、热界面材料、盖结构及散热结构。所述半导体封装设置在所述电路衬底上且电连接到所述电路衬底。所述热界面材料设置在所述半导体封装上。所述盖结构设置在所述电路衬底上且环绕所述半导体封装，其中所述盖结构包括局...

本发明实施例提供一种沉积工具及半导体处理工具。沉积工具包括电力电缆基座，所述电力电缆基座包括具有第一表面及第二表面的基座本体以及从第一表面到第二表面延伸穿过基座本体的引导孔，其中引导孔的侧壁的至少部分具有倾斜表面，且其中基座本体是由具有...