聚合物组合物以及制造半导体装置的方法制造方法及图纸

一种聚合物组合物以及制造半导体装置的方法，用于制造半导体装置的方法包括在基板之上形成抗蚀剂底层的步骤。抗蚀剂底层包括底层组合物，底层组合物包括：具有以下的聚合物：光致产酸剂(photoacid generator；PAG)基团侧基、热致产酸剂(thermal acid generator；TAG)基团侧基、PAG基团侧基与TAG基团侧基的组合、光致产碱剂(photobase generator；PBG)基团侧基、热致产碱剂(thermal base generator；TBG)基团侧基或PBG基团侧基与TBG基团侧基的组合。在抗蚀剂底层之上形成包括光阻剂组合物的一光阻剂层。选择性地将光阻剂层暴露于光化辐射。对经选择性暴露的光阻剂层进行显影以在光阻剂层中形成一图案。阻剂层中形成一图案。阻剂层中形成一图案。

【技术实现步骤摘要】
聚合物组合物以及制造半导体装置的方法


[0001]本揭示内容的一些实施方式提供聚合物组合物以及制造半导体装置的方法。

技术介绍

[0002]为回应于消费者需求，消费者装置变得愈来愈小，这些装置的个别组件的大小必然也会减小。构成诸如移动电话、平板计算机等装置的组件的半导体装置已被迫变得愈来愈小，相应地亦要求半导体装置内的个别装置(例如，晶体管、电阻器、电容器等)的大小减小。
[0003]半导体装置的制造制程中使用的一种致能技术是使用光刻材料。将此类材料施加至待图案化的层的表面，且然后暴露于图案化本身的能量。此种暴露修改光敏材料的暴露区域的化学性质及物理性质。可利用此修改以及不修改光敏材料的未经暴露的区域来移除一个区域而不移除另一个区域。
[0004]然而，随着个别装置的大小减小，光刻处理的制程窗口变得愈来愈紧密。因此，为保持按比例缩小装置的能力，需要光刻处理领域的进步，且为了满足所要的设计准则，以保持朝向愈来愈小的组件的推进，需要进一步改良。

技术实现思路

[0005]本揭示内容的一些实施方式提供用于制造半导体装置本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于制造半导体装置的方法，其特征在于，包含：在一基板之上形成一抗蚀剂底层，其中该抗蚀剂底层包括一底层组合物，该底层组合物包含：具有一光致产酸剂基团侧基、一热致产酸剂基团侧基、该光致产酸剂基团侧基与该热致产酸剂基团侧基的组合、一光致产碱剂基团侧基、一热致产碱剂基团侧基或该光致产碱剂基团侧基与该热致产碱剂基团侧基的组合的一聚合物；在该抗蚀剂底层之上形成包含一光阻剂组合物的一光阻剂层；选择性地将该光阻剂层暴露于一光化辐射；及对选择性暴露的该光阻剂层进行显影以在该光阻剂层中形成一图案。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该聚合物由一或多种单体形成，该或该些单体选自由以下组成的群：丙烯酸酯、丙烯酸、硅氧烷、羟苯乙烯、甲基丙烯酸酯、乙烯酯、顺丁烯二酸酯、甲基丙烯腈及甲基丙烯酰胺。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该光致产酸剂基团侧基、该热致产酸剂基团侧基、该光致产碱剂基团侧基或该热致产碱剂基团侧基包括选自由氟、氯、溴、碘及其组合组成的群的一元素。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该光致产酸剂基团侧基、该热致产酸剂基团侧基、该光致产碱剂基团侧基或该热致产碱剂基团侧基包括一敏化剂核，其中该敏化剂核包括：n个芳香环，其中n≤5；及m个质子源官能基，其中m≤2n+3。5.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：翁明晖，刘朕与，张庆裕，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：