本申请公开了背面二极管设计。描述了一种半导体器件，其包括通过位于第一管芯中的互连结构接合到第二管芯的第一管芯。第一管芯包括：具有第一电极和第二电极的光电二极管，位于第一电介质层的第一侧上；以及位于第一电介质层中的第一互连结构、第二互连结...

本申请提供了电源管理电路、片上系统设备、以及电源管理方法。一种电路包括功率检测器和逻辑电路。功率检测器被配置为根据状态信号和来自第一电源的第一电源信号来输出第一功率管理信号。电路被配置为响应于状态信号而在不同模式下工作。逻辑电路被配置为...

本公开总体涉及铁电存储器器件及其制造方法。本文公开了可提高铁电存储器器件的保持性能的铁电堆叠。一种示例性铁电堆叠具有设置在第一电极和第二电极之间的铁电开关层(FSL)堆叠。铁电堆叠包括设置在第一FSL和第二FSL之间的阻挡层，其中阻挡层...

本公开总体涉及利用第一和第二设计规则而设计和制造的电路。一种集成电路(IC)包括：多个finfet单元，该多个finfet单元是利用数字电路设计规则设计的以提供具有降低的单元高度的较小finfet单元，以及包括多个finfet单元中的第...

本公开总体涉及具有复合电介质膜结构的半导体存储器件及其形成方法。公开了一种半导体存储器件及其形成方法。半导体存储器件包括：衬底，包括存储区域和外围区域；晶体管，包括位于外围区域中的金属栅极；复合电介质膜结构，位于晶体管的金属栅极之上，复...

本申请公开了包括封装密封环的半导体封装及其形成方法。一种半导体封装包括：第一管芯；第二管芯，在竖直方向上堆叠在第一管芯上；电介质封装(DE)结构，在垂直于竖直方向的横向方向上围绕第一管芯和第二管芯；以及封装密封环，在横向方向上延伸穿过D...

本公开提供了键合半导体器件及其形成方法。一种用于晶圆键合的方法，包括：接收键合层的布图，该布图具有不对称图案，通过设计规则检查器来确定布图的不对称程度是否在预定范围内，如果不对称程度超出预定范围，则修改布图以降低布图的不对称程度。该方法...

一种用于处理半导体晶圆的设备以及用于控制引物施加气体中引物量的系统和方法，用于控制引物施加气体中引物量的系统包括：第一感测器，该第一感测器用于侦测馈送至含有半导体晶圆的腔室中的引物施加气体中的第一含量；第二感测器，该第二感测器用于侦测自...

一种集成电路包括与第二芯片接合的第一芯片。第一芯片包括衬底上的全环绕栅极晶体管。第一芯片包括从衬底延伸到全环绕栅极晶体管的背面导通孔。第二芯片包括通过背面导通孔电连接到晶体管的电子线路。电连接到晶体管的电子线路。电连接到晶体管的电子线路。

本公开涉及半导体存储器结构及其形成方法。一种半导体存储器结构包括铁电层和形成在该铁电层之上的沟道层。该结构还包括形成在沟道层之上的源极结构和漏极结构。该结构还包括形成在源极结构和漏极结构之间的第一隔离结构。源极结构在帽盖层之上朝向漏极结...

提供一种能够吸收异常振动并确定异常振动的来源的高架搬运系统。根据本公开各种实施例的高架搬运系统包括：处理器；高架轨道；多个吊架，支撑高架轨道；振动计，测量来自高架轨道的振动；以及阻尼器，包括在吊架中的每一者中。所述处理器被配置成响应于判...

本公开实施例涉及一种集成芯片及其形成方法，集成芯片包括：衬底、第一图像感测元件及第二图像感测元件以及背侧深沟槽隔离(BDTI)结构。第一图像感测元件及第二图像感测元件彼此紧邻着布置在衬底之上，且具有第一掺杂类型。背侧深沟槽隔离结构布置在...

一种半导体器件的制造方法包括：在衬底之上形成介电层以及将介电层图案化以在介电层中形成开口。此外，在介电层的开口内形成导电材料。执行平坦化工艺，以移除导电材料的布置在介电层之上的部分，从而在介电层的开口内形成导电特征。在导电特征的上表面上...

通过在所述装置之间使用切割道来实现将被接合的衬底上形成的装置的对准，其中切割道的尺寸从衬底中的一者或多者的中心到边缘逐渐增加或减小，以补偿衬底的热膨胀率的差异。由于切割道的尺寸逐渐增加或减小，在接合操作期间，随着衬底被加热，衬底上的装置...

本文揭示一种光传感器，包括衬底、光侦测柱、栅极结构、浮置节点结构以及通道结构。所述衬底具有第一掺杂类型。所述光侦测柱具有第二掺杂类型，并且设置于所述衬底中。所述栅极结构在垂直方向上设置于所述衬底上，并且与光侦测柱电绝缘。所述浮置节点结构...

本发明的实施例提供了集成电路封装件的形成方法。该方法包括：在载体上形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层上方形成第一再分布层(RDL)；在所述第一绝缘层和所述第一再分布层上方形成第二绝缘层；在所述第二绝缘层上方形成第二再分布层；将集成电路管芯...

一种半导体元件、记忆体元件以及制造记忆体元件的方法，半导体元件包括沿垂直方向延伸的第一导电结构以及沿垂直方向延伸的第二导电结构。第二导电结构沿横向方向与第一导电结构分隔。半导体元件还包括多个第三导电结构，第三导电结构的每一者沿横向方向延...

一种半导体装置、记忆体装置及制造记忆体装置的方法，半导体装置包括沿横向方向延伸的第一导体结构以及沿垂直方向延伸的第一记忆体薄膜。第一记忆体薄膜与第一导体结构接触。半导体装置包括沿垂直方向延伸的第一半导体薄膜。第一半导体薄膜与第一记忆体薄...

一种集成电路装置、制造集成电路的方法与系统，在一些实施例中，集成电路中的层在布局处理中产生的图案部分，诸如电网(PG)中金属电力线层的图案部分，在布局处理之后经由类似于解决N着色问题的计算机实施处理来移除。经由这个后处理移除处理，图案部...

本公开涉及金属