集成电路装置、制造集成电路的方法与系统制造方法及图纸

一种集成电路装置、制造集成电路的方法与系统，在一些实施例中，集成电路中的层在布局处理中产生的图案部分，诸如电网(PG)中金属电力线层的图案部分，在布局处理之后经由类似于解决N着色问题的计算机实施处理来移除。经由这个后处理移除处理，图案部分可移除，以便在不产生某些有害影响(诸如切断电力线)的情况下将所制造的集成电路中的层的覆盖减小至所需程度。需程度。需程度。

【技术实现步骤摘要】
集成电路装置、制造集成电路的方法与系统


[0001]本案是关于一种集成电路装置及制造集成电路的方法与系统，特别是关于一种具有用于故障分析的布局的集成电路装置及制造集成电路的方法与系统。

技术介绍

[0002]本案的一实施例一般是关于用于设计及制造集成电路的方法及系统，更具体而言，是关于设计及制造具有用于集成电路故障分析的最佳化布局的集成电路。
[0003]在某些集成电路中，装置的活性区形成于半导体基板中顶表面处或顶表面附近，且用于电力及信号的电连接形成于装置之上(或其“前侧”上)的导线层中。可通过经由基板、或装置背侧发送信号至装置或自装置发送信号来执行装置测试。随着集成电路变得越来越复杂，IC装置中待测试的区域可由诸如电网的各种结构遮挡。目前正在努力提高在复杂IC结构中测试IC装置的能力。

技术实现思路

[0004]根据本案的一实施例，揭露一种制造集成电路的方法，包含以下步骤：接收包含图案化层的集成电路设计；将图案化层的多个部分识别为潜在地可自图案化层移除；对于潜在可移除部分中的各个对，确定该对潜在可移除部分彼此之间是否具有满足至少一个第一预定条件的空间关系；对于潜在可移除部分中的各者，确定其与之具有满足至少第一预定条件的空间关系的潜在可移除部分中的其他者的数目；及至少部分基于潜在可移除部分中的各者与之具有满足至少第一预定条件的空间关系的潜在可移除部分中的其他者的数目，选择潜在可移除部分的一子集为可自图案化层移除。
[0005]根据本案的一实施例，揭露一种制造集成电路的系统，其包含处理器。可由处理器存取的非暂时性计算机可读媒体，非暂时性计算机可读媒体储存多个指令，当由处理器执行时，指令实施方法，包含以下步骤：接收包含图案化层的集成电路设计；将图案化层的多个部分识别为潜在地可自图案化层移除；对于潜在可移除部分中的各对，确定该对潜在可移除部分彼此之间是否具有满足至少一个第一预定条件的空间关系；对于潜在可移除部分中的各者，确定其与之具有满足至少第一预定条件的空间关系的潜在可移除部分中的其他者的数目；及至少部分基于潜在可移除部分中的各者与之具有满足至少第一预定条件的空间关系的潜在可移除部分中的其他者的数目，选择潜在可移除部分的子集为可自图案化层移除。
[0006]根据本案的一实施例，揭露一种集成电路装置包含活性半导体层以及第一金属层。活性半导体层包括沿第一方向延伸并在横向于第一方向的第二方向上间隔开的多个细长活性区。第一金属层包含在第一方向上延伸并在第二方向上间隔开的多个金属线，各个金属线具有在两个边缘之间延伸的宽度，且在横向于第一方向及第二方向的第三方向上设置于细长活性区之上并覆盖细长活性区中的至少两者。金属线中的至少一者在两个边缘中的第一者处界定其中的至少一个非金属区，在第三方向上曝光至少两个细长活性区中的一
者；且在两个边缘中的第二者处界定其中的至少一个非金属区，在第三方向上曝光至少两个细长活性区中的另一者。
附图说明
[0007]本案的一实施例的态样在与随附附图一起研读时自以下详细描述内容来最佳地理解。应注意，根据行业中的标准规范，各种特征未按比例绘制。实际上，各种特征的尺寸可为了论述清楚经任意地增大或减小。
[0008]图1显示根据一些实施例的集成电路装置的布局的背侧视图；
[0009]图2A至图2C显示根据一些实施例的集成电路装置中金属层中开口的候选区域的选择；
[0010]图3A至图3D图示根据一些实施例识别候选区域之间的联接；
[0011]图4A至图4B图示根据一些实施例确定哪些候选区域可开放或不可开放；
[0012]图5A至图5C图示根据一些实施例确定哪些具有联接的候选区域可开放或不可开放；
[0013]图6A至图6B图示根据一些实施例确定不开放允许开放的区域；
[0014]图7概述根据一些实施例的用于确定集成电路装置中金属层中待开放区域的处理序；
[0015]图8A概述根据一些实施例的图4A至图4B中所示的处理；
[0016]图8B概述根据一些实施例的图5A至图5C中所示的处理；
[0017]图8C概述根据一些实施例的图6A至图6B中所示的处理；
[0018]图9显示根据一些实施例的计算机系统的实例的方块图；
[0019]图10显示根据一些实施例的IC制造系统及与其相关联的IC制造流程的方块图；
[0020]图11A显示根据一些实施例的集成电路装置中的金属层；
[0021]图11B显示图11A中标签为「B」的金属层部分的放大视图；
[0022]图11C显示图11A及图11B中集成电路装置的横截面C
‑
C；
[0023]图11D显示图11A及图11B中集成电路装置的横截面D
‑
D；
[0024]图12A至图12B显示根据一些实施例的个别集成电路装置中的金属层；
[0025]图13A至图13B图示根据一些实施例的在金属层中开放区域的处理中的置放步骤；
[0026]图14A至图14E图示根据一些实施例的用于确定集成电路装置中金属层中待开放区域的处理；
[0027]图15概述根据一些实施例的图14A至图14E中所示的处理。
[0028]【符号说明】
[0029]100:IC装置
[0030]110a
‑
110c:列
[0031]112b
‑
112c:活动半导体区
[0032]114a
‑
114b:活动半导体区
[0033]120a
‑
120c:列
[0034]122a
‑
122b:活动半导体区
[0035]124a
‑
124b:活动半导体区
[0036]130a
‑
130b:栅极
[0037]132a
‑
132c:源极/漏极触点
[0038]140:导电层
[0039]142:导线/VDD线
[0040]144:导线/VSS线
[0041]146:导线/VDD线
[0042]148:导线/VSS线
[0043]150a
‑
150h:开口
[0044]160a
‑
160c:信号线
[0045]170a
‑
170h:区域
[0046]172a
‑
172d:区域
[0047]200:IC装置
[0048]220:栅极
[0049]222:导电触点/输出
[0050]230:导电层
[0051]232:导线
[0052]234:信号线
[0053]236:潜在开放窗口
[0054]238:潜在开放窗口
[0055]240:宽度
[0056]242:间距...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种制造集成电路的方法，其特征在于，该方法包含以下步骤：接收包含一图案化层的一集成电路设计；将该图案化层的多个部分识别为潜在地可自该图案化层移除；对于该些潜在可移除部分中的各个对，确定该对潜在可移除部分彼此之间是否具有满足至少一个第一预定条件的一空间关系；对于该些潜在可移除部分中的各者，确定其与之具有满足至少该第一预定条件的一空间关系的该些潜在可移除部分中的其他者的数目；及至少部分基于该些潜在可移除部分中的各者与之具有满足至少该第一预定条件的一空间关系的该些潜在可移除部分中的其他者的该数目，选择该些潜在可移除部分的一子集为可自该图案化层移除。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该至少一个第一预定条件包含该对潜在可移除部分通过不大于一预定临限值距离的一距离间隔开；其中该图案化层包含彼此间隔开的多个导线；且该至少一个第一预定条件进一步包含该对经识别部分位于该些导线中的同一者上。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，该选择该些潜在可移除部分的一子集为可自该图案化层移除的步骤包含以下步骤：自该些潜在可移除部分中选择至少一个潜在可移除部分为可自该图案化层移除的步骤，该至少一个潜在可移除部分与该些潜在可移除部分中的所有其他者通过大于该预定临限值距离的多个距离间隔开。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：包含该图案化层的该集成电路设计进一步包含包含多个单元的一活性半导体层；该图案化层包含在该活性半导体层上方并覆盖该些单元中的至少一部分的多个导电线；且将该图案化层的多个部分识别为潜在地可自该图案化层移除的步骤包含以下步骤：将该些先前经识别潜在可移除部分中的一者识别为不可移除，若其与该些可移除部分中的一者位于同一单元上方。5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，其进一步包含以下步骤，对于通过不大于该预定临限值距离的一距离间隔开的各对潜在可移除部分，至少部分基于该对之间的一方向关系，选择该对中的一个或两个潜在可移除部分为可自该图案化层移除；其中该图案化层包含在一第一方向上延伸并在横向于该第一方向的一第二方向上彼此间隔开的多个导线；且该选择该对中的一个或两个潜在可移除部分为可自该图案化层移除至少部分基于一方向，该对中的该些可移除部分沿着该方向相对于该第一方向间隔开；其中该选择该对中的一个或两个潜在可移除部分为可自该图案化层移除的步骤包含以下步骤：若该对中该些可移除部分沿其间隔开的该方向平行于该第一方向，则选择该对中的两个潜在可移除部分为可自该图案化层移除；及若该对中该些可移除部分沿其间隔开的该方向与该第一方向不平行，则仅选择该对中的该些潜在可移除部分中的一者为可自该图案化层移除。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：
该图案化层包含在一第一方向上延伸并...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭士玮，邱德馨，曾健庭，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：