金属-绝缘体-金属电容器及其形成方法技术

本公开涉及金属

【技术实现步骤摘要】
金属
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绝缘体
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金属电容器及其形成方法


[0001]本公开总体涉及金属
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绝缘体
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金属电容器及其形成方法。

技术介绍

[0002]通常，电容器包括位于电介质或其他电介质层的相对侧的两个导电电极，并且可以基于用于形成电容器的材料进行分类。例如，在金属
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绝缘体
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金属(MIM)电容器中，顾名思义，电极基本上包括金属材料并且绝缘体可以包括电介质层。MIM电容器的优势在于它们在施加到其上的相对宽的电压范围内具有相对恒定的电容值。MIM电容器还表现出相对较小的寄生电阻。
[0003]在集成电路设计中，片上电容器用于各种应用，包括动态随机存取存储器(DRAM)、压控振荡器(VCO)、锁相环、运算放大器和其他电路设计。片上电容器也可以用作去耦电容器，其被配置为减轻可能由集成电路上的逻辑器件的开关引起的开关噪声。

技术实现思路

[0004]根据本公开的一个方面，提供了一种具有金属
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绝缘体
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种具有金属
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绝缘体
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金属MIM电容器的集成电路IC器件，所述MIM电容器包括：顶部电极极板；底部电极极板；多个中间电极极板，堆叠在所述顶部电极极板和所述底部电极极板之间；以及多个电介质层，将所述顶部电极极板、所述底部电极极板中的每一个和所述多个中间电极极板中的每一个与所述MIM电容器的相邻的电极极板分开，其中，所述多个中间电极极板中的每一个的厚度大于所述顶部电极极板和所述底部电极极板的厚度。2.根据权利要求1所述的IC器件，还包括：第一导电过孔；以及第二导电过孔，其中，所述MIM电容器位于所述第一导电过孔和所述第二导电过孔之间。3.根据权利要求2所述的IC器件，其中，所述第一导电过孔和所述第二导电过孔连接到不同的电压。4.根据权利要求3所述的IC器件，其中，所述第一导电过孔连接到电源电压，并且所述第二导电过孔连接到地电压。5.根据权利要求2所述的IC器件，其中，所述MIM电容器的中间电极极板的总数为奇数，所述顶部电极极板和所述底部电极极板导电地耦合到所述第一导电过孔，并且导电地耦合到所述第二导电过孔的中间电极极板的数量大于导电地耦合到所述第一导电过孔的中间电极极板的数量。6.根据权利要求2所述的IC器件，其中，所述MIM电容器的中间电极极板的总数为偶数，所述顶部电极极板导电地耦合到所述第一导电过孔，所述底部电极极板导电地耦合到所述第二导电过孔，并且导电地耦合到所述第一导电过孔的中间电极极板的数量等于导电地耦合到所述第二导电过孔的中间电极极板的数量。7.根据权利要求2所述的IC器件，其中，所述第一导电过孔和所述第二导电过孔具有相同的开口尺寸，并且所述第一导电过孔和所述第二导电过孔的开口尺寸在1μm至10μm之间。8.根据权利要求1所述的IC器件，其中，所述MIM电容器包括第一MIM电容器，所述IC器件还包括：第三导电过孔；以及第二MIM电容器，位于所述第二导电过孔和...

【专利技术属性】
技术研发人员：赖柏嘉，李俊彦，斯帝芬，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：