多晶硅-绝缘体-多晶硅电容器及其制作方法技术

本发明专利技术公开一种多晶硅

【技术实现步骤摘要】
多晶硅
‑
绝缘体
‑
多晶硅电容器及其制作方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别是涉及一种多晶硅
‑
绝缘体
‑
多晶硅(poly
‑
insulator
‑
poly，PIP)电容器及其制作方法。

技术介绍

[0002]随着半导体元件集成度的增加，元件的尺寸逐渐缩小，相对地使半导体芯片内的集成电容器的空间愈来愈小，也因此降低了电容器的电容值。而在进入深次微米(deep sub
‑
micron)的工艺后，集成电容器的电容值降低的问题更为严重。
[0003]以目前的55纳米技术节点来说，半导体芯片内的集成电容器主要是采用横向耦合的金属
‑
氧化物
‑
金属(metal
‑
oxide
‑
metal，MOM)多层堆叠结构来制作。为了承受较高的操作电压，高压(>5V)MOM电容器的金属堆叠之间需要具有更宽的宽度，故单位电容会更小，且MO本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多晶硅
‑
绝缘体
‑
多晶硅(PIP)电容器，其特征在于，包含：半导体基底，其上具有电容形成区域；第一电容介电层，设置在该电容形成区域上；第一多晶硅电极，设置在该第一电容介电层上；第二电容介电层，设置在该第一多晶硅电极上；第二多晶硅电极，设置在该第二电容介电层上，其中该第一多晶硅电极包含接触部，该接触部突出超过该第二多晶硅电极的端面；第三多晶硅电极，设置在邻近该第二多晶硅电极的第一侧壁；第三电容介电层，设置在该第三多晶硅电极和该第二多晶硅电极之间；第四多晶硅电极，设置在邻近于该第二多晶硅电极的第二侧壁，其中该第二侧壁和该第一侧壁是相对的；以及第四电容介电层，设置在该第四多晶硅电极和该第二多晶硅电极之间。2.如权利要求1所述的多晶硅
‑
绝缘体
‑
多晶硅电容器，其中，该第一多晶硅电极、该第三多晶硅电极和该第四多晶硅电极电连接至阳极。3.如权利要求2所述的多晶硅
‑
绝缘体
‑
多晶硅电容器，其中，该第二多晶硅电极电连接至阴极，又其中，该第三多晶硅电极、该第三电容介电层和该第二多晶硅电极构成第一电容，该第一多晶硅电极、该第二电容介电层和该第二多晶硅电极构成第二电容，第二多晶硅电极、该第四电容介电层和该第四多晶硅电极构成第三电容。4.如权利要求3所述的多晶硅
‑
绝缘体
‑
多晶硅电容器，其中，离子阱设置在该电容形成区域内并且电连接至该阴极，又其中，该第三多晶硅电极、该第一电容介电层和该离子阱构成第四电容，该第一多晶硅电极、第一电容介电层和该离子阱构成第五电容。5.如权利要求4所述的多晶硅
‑
绝缘体
‑
多晶硅电容器，其中，第五电容介电层设置在该第四多晶硅电极和该半导体基底之间，其中，该第五电容介电层比该第一电容介电层厚，又其中，该第四多晶硅电极、该第五电容介电层和该离子阱构成第六电容。6.如权利要求1所述的多晶硅
‑
绝缘体
‑
多晶硅电容器，其中，该第一多晶硅电极的宽度大于该第二多晶硅电极的宽度。7.如权利要求1所述的多晶硅
‑
绝缘体
‑
多晶硅电容器，其中，该第二电容介电层、该第三电容介电层和该第四电容介电层包含氧化物
‑
氮化物
‑
氧化物(ONO)介电层。8.如权利要求1所述的多晶硅
‑
绝缘体
‑
多晶硅电容器，其中，另包含硬掩模层，覆盖该第二多晶硅电极，又其中，该硬掩...

【专利技术属性】
技术研发人员：方玲刚，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：