电容器以及包括该电容器的半导体装置制造方法及图纸

本公开提供了电容器以及包括该电容器的半导体装置。一种电容器包括：第一电极；与第一电极间隔开的第二电极；以及在第一电极和第二电极之间的电介质层。电介质层可以包括：基底材料，其包括基底金属的氧化物，该基底材料具有约2至约70的介电常数；和共掺杂剂，包括3族元素和5族元素。3族元素可以包括Sc、Y、B、Al、Ga、In和/或Tl，5族元素可以包括V、Nb、Ta、N、P、As、Sb和/或Bi。Sb和/或Bi。Sb和/或Bi。

【技术实现步骤摘要】
电容器以及包括该电容器的半导体装置


[0001]本公开涉及半导体器件(例如电容器)以及包括该半导体器件的半导体装置。

技术介绍

[0002]随着电子设备的按比例缩小，在电子设备中用于半导体器件的空间也正减小。因此，要求诸如电容器的半导体器件具有小尺寸并具有薄的电介质层。然而，在这种情况下，大量泄漏电流可能流过电容器的电介质层，因此可能难以驱动器件。

技术实现思路

[0003]提供了具有高电容率和低泄漏电流的电介质层、包括该电介质层的半导体器件以及包括该半导体器件的半导体装置。
[0004]额外的方面将在以下的描述中被部分地阐述，并将部分地从该描述变得明显，或者可以通过本公开的所呈现的实施方式的实践而获知。
[0005]根据一实施方式的一方面，一种电容器可以包括：第一电极；与第一电极间隔开的第二电极；以及在第一电极和第二电极之间的电介质层，该电介质层包括：基底材料，包括基底金属的氧化物，该基底材料可以具有约20至约70的介电常数；以及包含3族元素和5族元素的共掺杂剂。
[0006]基底材料可以包括Hf、Zr本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电容器，包括：第一电极；第二电极，与所述第一电极间隔开；以及电介质层，在所述第一电极和所述第二电极之间，所述电介质层包括基底材料，包括基底金属的氧化物，所述基底材料具有20至70的介电常数，和共掺杂剂，包含3族元素和5族元素。2.根据权利要求1所述的电容器，其中所述3族元素包括Sc、Y、B、Al、Ga、In和Tl中的至少一种。3.根据权利要求1所述的电容器，其中所述5族元素包括V、Nb、Ta、N、P、As、Sb和Bi中的至少一种。4.根据权利要求1所述的电容器，其中所述基底金属包括Hf、Zr、Pr、Nd、Gd、Dy、Yb、Pb、Zn、Ti和Lu中的至少一种。5.根据权利要求1所述的电容器，其中所述电介质层包括由(A,B)
x
C
y
O
z
表示的化合物，其中A是指所述3族元素，B是所述5族元素，C是指所述基底金属，并且所述基底金属包括Hf、Zr、Pr、Nd、Gd、Dy、Yb、Pb、Zn、Ti和Lu中的至少一种，以及x+y+z＝1，0<x≤0.2，0<y≤0.5。6.根据权利要求1所述的电容器，其中所述3族元素和所述5族元素中的至少一种包括d轨道。7.根据权利要求1所述的电容器，其中所述3族元素包括Sc、Y以及其组合中的至少一种。8.根据权利要求1所述的电容器，其中所述5族元素包括V、Nb、Ta以及其组合中的至少一种。9.根据权利要求1所述的电容器，其中基于所述电介质层的所有的所述共掺杂剂和金属，所述3族元素以大于0.0at％至20.0at％的量被包括，以...

【专利技术属性】
技术研发人员：李载昊，赵龙僖，张胜愚，朴影根，李周浩，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：