半导体器件结构和滤波器制造技术

本发明专利技术实施例提供了一种半导体器件结构和滤波器，其中所述半导体器件结构包括：第一衬底，所述第一衬底上形成有至少一个半导体器件；第二衬底，与所述第一衬底键合连接，所述第一衬底与所述第二衬底之间形成有空腔，所述第二衬底朝向所述第一衬底的一侧形成有至少一层第一电感层，每层所述第一电感层中形成有至少一个第一电感器，并且所述第一电感器形成在所述空腔内或所述第二衬底上，所述半导体器件与所述第一电感器电连接。与所述第一电感器电连接。与所述第一电感器电连接。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件结构和滤波器


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，具体涉及一种半导体器件结构和滤波器。

技术介绍

[0002]诸如滤波器等各种电路中均需要采用电感器，一种常见的滤波器如图1所示，在每条并联谐振支路中，每个并联谐振器1A至1D均需要连接电感器2A至2D后接地，以提高滤波性能。
[0003]目前电感器通常在印制电路板中实现，如图2所示，例如可以在印制电路板3中制备电感器，在衬底4A和4B中制备谐振器，衬底4A和4B与印制电路板3电连接，印制电路板3可以包括多层，图2中示出了4层印制电路板层M1至M4，可以在印制电路板层M1至M4中形成电感器。然而，大量的电感器需要占用多层印制电路板的空间，从而使得封装尺寸加大。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本专利技术实施例提供了一种半导体器件结构和滤波器，以解决现有技术中半导体器件结构封装尺寸大的问题。
[0005]根据第一方面，本专利技术实施例提供了一种半导体器件结构，包括：第一衬底，所述第一衬底上形成有至少一个半导体器件；第二衬底，与所述第一衬底键合连本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件结构，其特征在于，包括：第一衬底，所述第一衬底上形成有至少一个半导体器件；第二衬底，与所述第一衬底键合连接，所述第一衬底与所述第二衬底之间形成有空腔，所述第二衬底朝向所述第一衬底的一侧形成有至少一层第一电感层，每层所述第一电感层中形成有至少一个第一电感器，并且所述第一电感器形成在所述空腔内或所述第二衬底上，所述半导体器件与所述第一电感器电连接。2.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其特征在于，所述第一衬底朝向所述第二衬底的一侧形成有凹陷部，所述半导体器件形成在所述凹陷部内或所述第一衬底上；和/或所述第二衬底朝向所述第一衬底的一侧形成有凹陷部，所述第一电感层形成在所述凹陷部内或所述第二衬底上；和/或所述第一衬底与所述第二衬底之间的键合层使得所述第一衬底与所述第二衬底之间形成所述空腔。3.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其特征在于，所述第二衬底内掺杂有金属元素。4.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其特征在于，所述第二衬底内形成有至少一个导电通孔，所述导电通孔的一端与所述第一电感器电连接，所述导电通孔的另一端与外部电连接。5.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其特征在于，所述第一电感器为螺旋状导电线圈。6.根据权利要求1
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5中任一项所述的半导体器件结构，其特征在于，还包括：至少一个第三衬底，最靠近所述第二衬底的第三衬底与所述第二衬底键合连接，且各...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁焱昆，赖志国，杨清华，
申请(专利权)人：苏州汉天下电子有限公司，
类型：发明
国别省市：