【技术实现步骤摘要】
本申请涉及电子电路，特别是涉及一种低压差线性稳压电路。
技术介绍
1、目前，低压差线性稳压器(ldo)的高稳定性、快速动态响应以及高效能的电源特性，促使其被广泛使用。例如，可使用于手提式设备(如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等)等电池供电类产品中，以进行有效的电源管理。
2、因此，设计满足使用需求的低压差线性稳压器对于设备的整体性能至关重要。
技术实现思路
1、有鉴于此，本申请实施例为解决
技术介绍
中存在的至少一个问题而提供一种低压差线性稳压电路。
2、本申请实施例提供一种低压差线性稳压电路，所述低压差线性稳压电路包括误差放大电路、电阻反馈网络和改进型fvf电路；
3、所述误差放大电路被配置为根据输入的第一参考信号和反馈信号产生并输出第一输出电压；
4、所述电阻反馈网络被配置为根据所述第一输出电压产生并输出所述反馈信号；
5、所述改进型fvf电路包括第七pmos晶体管、第九pmos晶体管和第二十五pmos晶体管；第二十五pmos晶体管和第九pmos晶体管构成传统fvf电路结构，第二十五pmos晶体管的栅极被配置为获取第九pmos晶体管的漏极提供的第一信号，第二十五pmos晶体管的源极与电源端连接，第二十五pmos晶体管的漏极与第九pmos晶体管的源极连接并被配置为输出稳定的第二输出电压；第七pmos晶体管的源极被配置为输入所述第一输出电压，第七pmos晶体管的栅极分别与第七pmos晶体管的漏极和第九pmos晶体管的栅极连接；
6、在一可选实施方式中，所述改进型fvf电路还包括第十一pmos晶体管、第十二nmos晶体管、第十三nmos晶体管、第十四nmos晶体管、第十五pmos晶体管和第十六pmos晶体管；
7、第十一pmos晶体管的栅极与第九pmos晶体管的漏极连接，第十一pmos晶体管的漏极分别与第十二nmos晶体管的栅极和第十四nmos晶体管的漏极连接，第十四nmos晶体管的栅极分别与第十三nmos晶体管的栅极、第十三nmos晶体管的漏极和第十六pmos晶体管的漏极连接，第十一pmos晶体管的源极分别与第十二nmos晶体管的漏极、第十五pmos晶体管的漏极和第二十五pmos晶体管的栅极连接；第十五pmos晶体管的栅极和第十六pmos晶体管的栅极分别被配置为输入第二偏置信号；第十五pmos晶体管的源极和第十六pmos晶体管的源极分别与电源端连接；第十二nmos晶体管的源极、第十三nmos晶体管的源极和第十四nmos晶体管的源极分别与地端连接。
8、在一可选实施方式中，所述改进型fvf电路还包括第八nmos晶体管和第十nmos晶体管；
9、第八nmos晶体管的漏极与第七pmos晶体管的漏极连接，第八nmos晶体管的栅极被配置为输入第一偏置信号；第十nmos晶体管的漏极与第九pmos晶体管的漏极连接；第八nmos晶体管的源极和第十nmos晶体管的源极分别与地端连接。
10、在一可选实施方式中，所述误差放大电路包括第一级差分放大器和第二级放大器；
11、所述第一级差分放大器被配置为在所述第一偏置信号的控制下，根据第一参考信号和反馈信号进行差分放大以获得中间信号；
12、所述第二级放大器被配置为对所述中间信号进行放大以获得第一输出电压。
13、在一可选实施方式中，所述第一级差分放大器包括第一nmos晶体管、第二nmos晶体管、第三pmos晶体管、第四pmos晶体管和第六nmos晶体管；和/或所述第二级放大器包括第五pmos晶体管；
14、第一nmos晶体管的栅极被配置为输入反馈信号，第二nmos晶体管的栅极被配置为输入第一参考信号，第一nmos晶体管的源极和第二nmos晶体管的源极分别与第六nmos晶体管的漏极连接，第六nmos晶体管的栅极被配置为输入第一偏置信号，第六nmos晶体管的源极与地端连接；第一nmos晶体管的漏极分别与第三pmos晶体管的漏极、第三pmos晶体管的栅极和第四pmos晶体管的栅极连接，第二nmos晶体管的漏极与第四pmos晶体管的漏极连接并被配置为输出中间信号；第三pmos晶体管的源极和第四pmos晶体管的源极分别与电源端连接；
15、第五pmos晶体管的栅极被配置为输入中间信号，第五pmos晶体管的源极与电源端连接，第五pmos晶体管的漏极被配置为输出第一输出电压。
16、在一可选实施方式中，所述误差放大电路还包括密勒补偿电容和/或第二十四pmos晶体管；
17、密勒补偿电容的第一端与第五pmos晶体管的栅极连接，密勒补偿电容的第二端与第五pmos晶体管的源极连接；
18、第二十四pmos晶体管的栅极被配置为输入第一偏置信号，第二十四pmos晶体管的漏极与第五pmos晶体管的漏极连接，第二十四pmos晶体管的源极与地端连接。
19、在一可选实施方式中，所述电阻反馈网络包括第一电阻和第二电阻；
20、第一电阻的第一端被配置为输入第一输出电压，第一电阻的第二端与第二电阻的第一端连接并被配置为输出反馈信号，第二电阻的第二端与地端连接。
21、在一可选实施方式中，所述低压差线性稳压电路还包括偏置信号提供电路，被配置为根据第二参考信号产生并输出第一偏置信号和第二偏置信号；
22、所述偏置信号提供电路包括第十七nmos晶体管、第十八nmos晶体管、第十九pmos晶体管、第二十nmos晶体管和第二十一nmos晶体管；
23、第十七nmos晶体管的漏极被配置为输入第二参考信号并与第二十一nmos晶体管的源极连接，第十七nmos晶体管的栅极分别与第二十一nmos晶体管的漏极、第十八nmos晶体管的栅极和第二十nmos晶体管的漏极连接并被配置为输出第一偏置信号；第二十一nmos晶体管的栅极被配置为输入第一反相信号，第二十nmos晶体管的栅极被配置为输入第二反相信号；第十七nmos晶体管的源极、第十八nmos晶体管的源极和第二十nmos晶体管的源极分别与地端连接；
24、第十八nmos晶体管的漏极分别与第十九pmos晶体管的漏极和第十九pmos晶体管的栅极连接并被配置为输出第二偏置信号；第十九pmos晶体管的源极与电源端连接；
25、和/或所述偏置信号提供电路还包括mos电容电路；
26、所述mos电容电路包括第二十三pmos晶体管；
27、第二十三pmos晶体管的源极和漏极分别与电源端连接，第二十三pmos晶体管的栅极与第十九pmos晶体管的栅极连接。
28、在一可选实施方式中，所述低压差线性稳压电路还包括启停控制电路，被配置为在电源控制信号的控制下产生第一反相信号和第二反相信号，以获得所述第一偏置信号和所述第二偏置信号；
29、所述启停控制电路包括第一反相器和第二反相器；
30、本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种低压差线性稳压电路，其特征在于，所述低压差线性稳压电路包括误差放大电路、电阻反馈网络和改进型FVF电路；
2.根据权利要求1所述的低压差线性稳压电路，其特征在于，所述改进型FVF电路还包括第十一PMOS晶体管、第十二NMOS晶体管、第十三NMOS晶体管、第十四NMOS晶体管、第十五PMOS晶体管和第十六PMOS晶体管；
3.根据权利要求2所述的低压差线性稳压电路，其特征在于，所述改进型FVF电路还包括第八NMOS晶体管和第十NMOS晶体管；
4.根据权利要求1-3中任一项所述的低压差线性稳压电路，其特征在于，所述误差放大电路包括第一级差分放大器和第二级放大器；
5.根据权利要求4所述的低压差线性稳压电路，其特征在于，所述第一级差分放大器包括第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管、第三PMOS晶体管、第四PMOS晶体管和第六NMOS晶体管；和/或所述第二级放大器包括第五PMOS晶体管；
6.根据权利要求5所述的低压差线性稳压电路，其特征在于，所述误差放大电路还包括密勒补偿电容和/或第二十四PMOS晶体管；
<...【技术特征摘要】
1.一种低压差线性稳压电路，其特征在于，所述低压差线性稳压电路包括误差放大电路、电阻反馈网络和改进型fvf电路；
2.根据权利要求1所述的低压差线性稳压电路，其特征在于，所述改进型fvf电路还包括第十一pmos晶体管、第十二nmos晶体管、第十三nmos晶体管、第十四nmos晶体管、第十五pmos晶体管和第十六pmos晶体管；
3.根据权利要求2所述的低压差线性稳压电路，其特征在于，所述改进型fvf电路还包括第八nmos晶体管和第十nmos晶体管；
4.根据权利要求1-3中任一项所述的低压差线性稳压电路，其特征在于，所述误差放大电路包括第一级差分放大器和第二级放大器；
5.根据权利要求4所述的低压差线性稳压电路，其特征在于，所述第一级差分放大器包括第一nmos晶体管、第二nmos晶体管、第三pmos晶体管、第四pmos晶体管和第六nmos晶体管；...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘德昌，赖志国，杨清华，
申请(专利权)人：苏州汉天下电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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