具有钙钛矿电介质的金属绝缘体金属(MIM)电容器制造技术

描述了金属绝缘体金属电容器。在示例中，金属

【技术实现步骤摘要】
具有钙钛矿电介质的金属绝缘体金属(MIM)电容器


[0001]本公开内容的实施例属于高级集成电路结构制造领域，具体而言，属于金属绝缘体金属(MIM)电容器领域。

技术介绍

[0002]过去几十年来，集成电路中特征的缩小是日益增长的半导体工业背后的驱动力。到越来越小的特征的缩小实现了功能单元在半导体芯片的有限基板面上增大的密度。例如，收缩晶体管尺寸允许在芯片上包含增大数量的存储或逻辑器件，导致制造出具有增大容量的产品。然而，对于越来越大容量的驱动并非没有问题。优化每一个器件的性能的必要性变得日益显著。
[0003]传统和当前已知的制造工艺中的可变性可能限制将它们进一步扩展到越来越小的节点的可能性。因此，未来技术节点所需的功能部件的制造可能需要在当前制造工艺中或代替当前制造工艺而引入新的方法或新技术的集成。
附图说明
[0004]图1示出了根据本公开内容的实施例的功率输送系统中的管芯上MIM的示意性且对应的截面图。
[0005]图2A示出了两个顶部(BEOL)金属层之间的双板(two
‑<br/>plate)本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种金属
‑
绝缘体
‑
金属(MIM)电容器，包括：第一电极板；在所述第一电极板上的第一电容器电介质，所述第一电容器电介质包括钙钛矿高k电介质材料；在所述第一电容器电介质上的第二电极板，所述第二电极板具有在所述第一电极板之上并与所述第一电极板平行的部分；在所述第二电极板上的第二电容器电介质，所述第二电容器电介质包括所述钙钛矿高k电介质材料；以及在所述第二电容器电介质上的第三电极板，所述第三电极板具有在所述第二电极板之上并与所述第二电极板平行的部分。2.根据权利要求1所述的MIM电容器，其中，所述钙钛矿高k电介质材料选自由SrTiO3、BaTiO3和Sr
X
Ba1‑
X
TiO3组成的组。3.根据权利要求1或2所述的MIM电容器，其中，所述第二电容器电介质横向延伸超过所述第一电容器电介质。4.根据权利要求1或2所述的MIM电容器，其中，所述第一电极板、第二电极板和第三电极板包括在电介质材料中。5.根据权利要求4所述的MIM电容器，其中，所述电介质材料包括在后段制程(BEOL)金属化结构中，所述BEOL金属化结构在多个集成电路器件上方。6.一种金属
‑
绝缘体
‑
金属(MIM)电容器，包括：第一电极板；在所述第一电极板上的第一电容器电介质，所述第一电容器电介质包括钙钛矿高k电介质材料；在所述第一电容器电介质上的第二电极板，所述第二电极板具有在所述第一电极板之上并与所述第一电极板平行的部分；在所述第二电极板上的第二电容器电介质，所述第二电容器电介质包括非钙钛矿高k电介质材料；以及在所述第二电容器电介质上的第三电极板，所述第三电极板具有在所述第二电极板之上并与所述第二电极板平行的部分。7.根据权利要求6所述的MIM电容器，其中，所述钙钛矿高k电介质材料选自由SrTiO3、BaTiO3和Sr
X
Ba1‑
X
TiO3组成的组。8.根据权利要求6或7所述的MIM电容器，其中，所述非钙钛矿高k电介质材料选自由氧化铪、氧化铪锆和氧化铪铝组成的组。9.根据权利要求6或7所述的MIM电容器，其中，所述第一电极板、第二电极板和第三电极板包括在电介质材料中。10.根据权利要求9所述的MIM电容器，其中，...

【专利技术属性】
技术研发人员：CC，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：