半导体结构及其形成方法技术

本申请提供一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：半导体衬底；电容沟槽单元，位于所述半导体衬底中，所述电容沟槽单元包括一个或多个按照特定版图分布的电容沟槽组，所述电容沟槽组包括多个电容沟槽；应力沟槽，位于所述半导体衬底中，并环绕所述电容沟槽单元设置。本申请技术方案的半导体结构及其形成方法可能有效解决深沟槽电容制程中半导体衬底的形变问题。体衬底的形变问题。体衬底的形变问题。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法


[0001]本申请涉及半导体
，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。

技术介绍

[0002]目前的深沟槽电容制程中，大多是通过在沟槽结构内沉积多层介电层和多层电极层，为了获得更大的电容密度，会加大沟槽深度，扩展介电层表面积和增加介电层数及电极层数。
[0003]但采用常规的工艺沉积掺杂多晶硅(doping poly)制备电极时，由于使用硅烷和磷化氢在500℃以上生长的掺杂多晶硅(doping poly)为非晶硅形态，沟槽内填充的非晶硅经过高温退火，向多晶形态转变会释放较大应力，使得半导体衬底(wafer)发生严重形变，致使无法进行后续的工艺加工，较严重时会导致半导体衬底破裂。

技术实现思路

[0004]本申请解决的技术问题是深沟槽电容制程中半导体衬底的形变问题。
[0005]为解决上述技术问题，本申请技术方案提供一种半导体结构，包括：半导体衬底；电容沟槽单元，位于所述半导体衬底中，所述电容沟槽单元包括一个或多个按照特定版图分布的电容沟槽组，所述电容沟槽组包括多个电容沟槽；应力沟槽，位本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：半导体衬底；电容沟槽单元，位于所述半导体衬底中，所述电容沟槽单元包括一个或多个按照特定版图分布的电容沟槽组，所述电容沟槽组包括多个电容沟槽；应力沟槽，位于所述半导体衬底中，并环绕所述电容沟槽单元设置。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括多层膜结构，所述多层膜结构填满所述电容沟槽，而使所述应力沟槽具有空隙。3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述多层膜结构包括：隔离层，位于所述电容沟槽和所述应力沟槽的侧壁表面、底部表面及部分所述半导体衬底的表面；第一电极层，位于所述隔离层的表面；一个或多个依次堆叠的堆栈结构，分布于所述第一电极层上，所述堆栈结构包括依次层叠分布的介电层和电极层，其中顶层电极层填满所述电容沟槽，而使所述应力沟槽中存在空隙；所述隔离层、第一电极层及所述一个或多个堆栈结构呈多层阶梯状结构，所述多层阶梯状结构中的每一层分别停止在电极层、第一电极层或者半导体衬底表面。4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述多层膜结构还包括：封闭层，所述封闭层位于所述顶层电极层的表面，且所述封闭层未填充所述应力沟槽中的空隙，而将所述空隙的开口进行封闭。5.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述隔离层和所述介电层为单层结构或叠层结构，且所述隔离层和所述介电层的材料包括氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的至少一种。6.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述第一电极层和所述电极层的材料包括金属单质、导电化合物、多晶硅及掺杂多晶硅中的至少一种。7.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述封闭层的材料包括氟硅玻璃。8.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述应力沟槽的宽度大于所述电容沟槽的宽度。9.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，所述应力沟槽与所述电容沟槽的宽度差为2nm～20nm。10.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，所述电容沟槽的宽度为0.5μm～1.5μm，长度为10μm～50μm，深度为2μm～50μm。11.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底中形成电容沟槽单元和应力沟槽；其中，所述电容沟槽单元包括一个或多个按照特定版图分布的电容沟槽组，所述电容沟槽组包括多个电容沟槽，所述应力沟槽环绕所述电容沟槽单元设置。12.根据权利要求11...

【专利技术属性】
技术研发人员：王锦喆，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：