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本申请提供一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：半导体衬底；电容沟槽单元，位于所述半导体衬底中，所述电容沟槽单元包括一个或多个按照特定版图分布的电容沟槽组，所述电容沟槽组包括多个电容沟槽；应力沟槽，位于所述半导体衬底中，并环绕所述...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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