半导体器件及其制造方法技术

一种半导体器件的制造方法包括：在衬底之上形成介电层以及将介电层图案化以在介电层中形成开口。此外，在介电层的开口内形成导电材料。执行平坦化工艺，以移除导电材料的布置在介电层之上的部分，从而在介电层的开口内形成导电特征。在导电特征的上表面上形成抗氧化层，然后移除抗氧化层。然后移除抗氧化层。然后移除抗氧化层。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其制造方法


[0001]本专利技术的实施例涉及一种半导体器件及其制造方法，更具体来说，是涉及一种半导体器件的制造方法包括用于防止因平坦化工艺造成的介电质损耗的抗氧化层。

技术介绍

[0002]半导体器件制作是一种用于制造日常电子器件中存在的集成电路的工艺。制作工艺是期间在由半导体材料构成的晶片上逐渐制造出电子电路的光刻、化学及机械加工步骤的多步骤序列。在加工步骤之间，可使用清洁工艺来移除任何污染物颗粒，以减少集成电路中的物理缺陷及电性缺陷。

技术实现思路

[0003]根据一些实施例，一种半导体器件的制造方法包括在衬底之上形成介电层；将所述介电层图案化，以在所述介电层中形成开口；在所述介电层的所述开口内形成导电材料；执行平坦化工艺，以移除所述导电材料的布置在所述介电层之上的部分，从而在所述介电层的所述开口内形成导电特征；在所述导电特征的上表面上形成抗氧化层；以及移除所述抗氧化层。
[0004]根据一些实施例，一种半导体器件的制造方法包括在衬底之上形成介电层；将所述介电层图案化，以在所述介电层中形成开口；在所述介本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制造方法，包括：在衬底之上形成介电层；将所述介电层图案化，以在所述介电层中形成开口；在所述介电层的所述开口内形成导电材料；执行平坦化工艺，以移除所述导电材料的布置在所述介电层之上的部分，从而在所述介电层的所述开口内形成导电特征；在所述导电特征的上表面上形成抗氧化层；以及移除所述抗氧化层。2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中所述抗氧化层是在平坦化后干燥工艺期间形成的，其中所述平坦化后干燥工艺包括干燥溶液。3.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中所述抗氧化层是通过以下方式形成：执行平坦化后干燥工艺，其中所述平坦化后干燥工艺使用干燥溶液、还原剂及抑制剂化合物的混合物，其中所述干燥溶液被配置成移除所述介电层及所述导电特征上因先前的清洁工艺而存在的任何清洁溶液，所述还原剂被配置成对包含所述导电材料及氧的氧化化合物进行还原，所述抑制剂化合物被配置成结合到所述导电特征的最顶表面，及所述抗氧化层包含所述还原剂及所述抑制剂化合物。4.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中移除所述抗氧化层是通过热除气工艺或通过等离子体反应性预清洁工艺执行的。5.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中在移除所述抗氧化层之后，所述导电特征的最顶表面与所述介电层的最顶表面实质上共面。6.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中所述介电层实质上耐受在移除所述抗氧化层期间的移除。7.一种半导体器件的制造方法，包括：在衬底之上形成介电层；将所述介电层图案化，以在所述介电层中形成开口；在所述介电层的所述开口内形成导电材料；执行平坦化工艺，以移除所述导电材料的布置在所述介电层之上...

【专利技术属性】
技术研发人员：官振禹，匡训冲，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：