一种半导体封装包括衬底、封装结构、盖结构及散热层。所述封装结构设置在所述衬底上，其中所述封装结构包括多个器件管芯及填充所述多个器件管芯中的相邻两者之间的间隙的填充材料。所述盖结构设置在所述衬底上方并覆盖所述封装结构。所述散热层设置在所述...

本公开实施例的一种芯片封装结构包括中介层结构，中介层结构含有封装侧重布线结构、中介层芯体总成及管芯侧重布线结构。中介层芯体总成包括至少一个硅衬底中介层，且所述至少一个硅衬底中介层中的每一者包括：相应的硅衬底；相应的一组硅穿孔(TSV)结...

本发明的一部分涉及一种半导体结构检查方法，所述半导体结构检查方法将高原子序数材料施加到晶片的半导体结构的一个或多个表面。一个或多个表面在与晶片的表面的深度不同的深度处。使电子束扫描遍及半导体结构，以使得在集电极处收集反向散射电子信号。基...

一种像素感测器、像素阵列及其形成方法，像素阵列内的格栅结构可至少部分地朝格栅结构的顶表面倾斜或渐缩，以使格栅结构的宽度达到格栅结构的顶表面附近具有接近零的宽度。前述允许于格栅结构之间的彩色滤光片区域之间的间距在彩色滤光片区域的顶表面附近...

揭示一种半导体对准装置及半导体对准方法，即校正晶圆在晶圆保持件上的错位的方法以及执行此方法的装置。在一实施方式中，半导体对准装置包含晶圆平台；晶圆保持件位于晶圆平台上；第一位置侦测器配置以侦测晶圆在晶圆保持件之上在第一方向上的对准；第二...

一种像素感测器及像素阵列的制造方法，像素感测器可包含层堆叠，以减少及/或阻挡电浆及蚀刻对光电二极管及/或其他较低高度层的影响。层堆叠可包含第一氧化层(能隙低于约8.8eV的层)以及第二氧化层。层堆叠可减少及/或防止由于电浆及蚀刻制程的紫...

一种半导体元件及其形成方法，半导体元件包括半导体基板。半导体元件包括从半导体基板突出并沿第一方向延伸的第一鳍片。半导体元件包括从半导体基板突出并沿第二方向延伸的第一鳍片。耦合至第一鳍片的第一磊晶源极/漏极区与耦合至第二鳍片的第二磊晶源极...

本揭露的一态样关于一种集成电路制造系统及其操作方法及集成电路结构，方法包括将第一纳米片结构放置在IC布局图内。第一纳米片结构具有第一宽度。方法包括邻接第二纳米片结构与第一纳米片结构。第二纳米片结构具有第二宽度。第二宽度小于第一宽度。方法...

本揭露在各实施例中提供了一种硬化的阻剂层，其可降低阻剂层中的阻剂残渣缺陷。在一实施方式中，提供一种微影方法。此方法包含形成阻剂层于基材的上方，对阻剂层进行曝光制程，对阻剂层进行显影制程以形成具有多个阻剂段的图案化阻剂层，将图案化阻剂层暴...

本公开涉及一种集成芯片，包含衬底和像素。像素包含光检测器。光检测器处于衬底中。集成芯片更包含延伸到衬底中的第一内部沟槽隔离结构和外部沟槽隔离结构。第一内部沟槽隔离结构以第一封闭回路侧向包围光检测器。外部沟槽隔离结构沿着像素的边界以第二封...

本发明提供一种用于制造半导体器件的装置，所述装置可包含腔室、位于腔室中的夹盘以及与夹盘物理连接的偏置电源。装置可包含位于夹盘和偏置电源上方的靶材组件和位于靶材组件上方的磁控管总成。磁控管总成可包含多个外部磁控管和多个内部磁控管，且多个外...

本揭露提供一种延迟电路及延迟方法。一相位侦测器用以接收第一时脉信号及第二时脉信号及产生一数字信号，数字信号指示第一时脉信号的一相位与第二时脉信号的一相位之间的一关系。一相位累加器电路用以接收数字信号并基于数字信号在多个时脉循环上的值而产...

本发明实施例涉及改善光学近端校正技术的方法及系统。本文公开一种改善布局的方法及系统。一种方法包括：接收设计布局；确定第一光学模型及光致抗蚀剂模型的光致抗蚀剂校正项目的第一子集合；根据所述第一光学模型及所述光致抗蚀剂模型的所述第一子集合进...

本发明的实施例提供了一种热传感器，包括：第一温度敏感器件，生成第一温度依赖性信号，其中，第一温度敏感器件的两个支路电路中的每个包括带隙热感测器件和电流源，每个带隙热感测器件适于响应于通过带隙热感测器件的电流而生成信号；第二温度敏感器件，...

一种集成电路包括T线圈电路、可控硅整流器(SCR)及信号损耗防止电路。T线圈电路耦合到输入/输出(I/O)焊盘及内部电路。可控硅整流器耦合到T线圈电路及内部电路。信号损耗防止电路耦合到T线圈电路及可控硅整流器。信号损耗防止电路包括耦合到...

本发明实施例的一种结合工具包括气体供应管线，所述气体供应管线可直接在和一个或多个气体供应罐相关联的阀门与处理腔室之间延伸，使得气体供应管线在无任何中间阀门或其他类型的结构的情况下不间断，否则所述中间阀门或其他类型的结构可能会导致在处理腔...

本公开的各种实施例是针对一种电子器件，包括具有与第二表面相对的第一表面的半导体衬底。半导体衬底至少部分地限定空腔。第一微机电系统(MEMS)器件沿半导体衬底的第一表面安置。第一微机电系统器件包括第一背板和与第一背板竖直分离的隔板。第二微...

一种封装结构包括载板、管芯及第一重布线结构。载板具有第一表面及与第一表面相对的第二表面。载板包括绝缘本体及嵌置在绝缘本体中的载板穿孔(TCV)。管芯设置在载板的第一表面上。管芯与TCV电连接。第一重布线结构设置在载板的第二表面上。板的第...

本文公开一种静电放电(ESD)保护装置及制作所述ESD保护装置的方法。在一些实施例中，ESD保护装置包括：内部电路，在第一晶圆中形成；静电放电(ESD)电路的阵列，在第二晶圆中形成，其中ESD电路包括多个ESD保护器件，所述多个ESD保...

本公开涉及贯穿硅过孔及其制造方法。具有形成在多层互连中的围护结构以及延伸穿过该围护结构的贯穿硅过孔(TSV)的方法和器件。在一些实施方式中，保护层形成在围护结构和TSV之间。之间。之间。