改善光学近端校正技术的方法及系统技术方案

本发明专利技术实施例涉及改善光学近端校正技术的方法及系统。本文公开一种改善布局的方法及系统。一种方法包括：接收设计布局；确定第一光学模型及光致抗蚀剂模型的光致抗蚀剂校正项目的第一子集合；根据所述第一光学模型及所述光致抗蚀剂模型的所述第一子集合进行模型式光学近端校正MOPC并更新所述设计布局得到第一更新设计布局；确定第二光学模型及所述光致抗蚀剂模型的所述光致抗蚀剂校正项目的第二子集合；根据所述第二光学模型及所述光致抗蚀剂模型的所述第二子集合进行MOPC并更新所述第一设计布局得到第二更新设计布局；及根据所述第二更新布局制造光掩模。述第二更新布局制造光掩模。述第二更新布局制造光掩模。

【技术实现步骤摘要】
改善光学近端校正技术的方法及系统


[0001]本专利技术实施例涉及改善光学近端校正技术的方法及系统。

技术介绍

[0002]在先进半导体技术中，持续减小的装置尺寸及日益复杂的电路布置使集成电路(IC)的设计及制作更具挑战性且成本更高。在电路交付进行批量生产之前，必须确认电路设计满足设计规范及制造准则以提高制造合格率。为了尽可能早地检测设计错误或缺陷，电路设计者会采用业界广泛使用的计算机辅助电路设计工具，用以辅助设计者识别潜在的设计缺陷。然而，随着电路复杂性及装置密度不断增加，电路设计及验证中涉及的软件过程所消耗的时间及运算资源越来越庞大。因此，有需要改善电路设计流程以减少设计时间，并同时维持电路设计的质量。

技术实现思路

[0003]本文的实施例公开一种改善布局的方法，其包括：接收设计布局；确定第一光学模型及光致抗蚀剂模型的光致抗蚀剂校正项目的第一子集合；根据所述第一光学模型及所述光致抗蚀剂模型的所述第一子集合进行模型式光学近端校正(MOPC)并更新所述设计布局得到第一更新设计布局；确定第二光学模型及所述光致抗蚀剂模型的所述光致本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种改善布局的方法，其包括：接收设计布局；确定第一光学模型及光致抗蚀剂模型的光致抗蚀剂校正项目的第一子集合；根据所述第一光学模型及所述光致抗蚀剂模型的所述第一子集合进行模型式光学近端校正MOPC并更新所述设计布局得到第一更新设计布局；确定第二光学模型及所述光致抗蚀剂模型的所述光致抗蚀剂校正项目的第二子集合；根据所述第二光学模型及所述光致抗蚀剂模型的所述第二子集合进行MOPC并更新所述第一设计布局得到第二更新设计布局；及根据所述第二更新布局制造光掩模。2.根据权利要求1所述的方法，其还包括根据所述光掩模制造半导体装置。3.根据权利要求1所述的方法，其还包括：重新训练所述光致抗蚀剂模型而得到所述第一子集合的对应权重值，其中根据所述第一光学模型及所述光致抗蚀剂模型的所述第一子集合进行MOPC包括根据所述第一子集合的所述对应权重值进行MOPC。4.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二子集合包含所述第一子集合。5.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一光学模型为垂直入射模型，且所述第二光学模型为偏轴照明模型。6.根据权利要求1所述的方法，其还包括将所述设计布局的图案边缘分割成多个边缘片段，并将所述边缘片段至少分类成第一边缘片段集合及第二边缘片段集合，其中根据所述第一子集合及所述光学模型的所述第一子集合对所述设计布局进行MOPC的步骤包括仅对所述第一边缘片段集合进行MOPC，其中根据所述第二光学模型及所述光致抗蚀剂模型的所述第二子集合进行MOPC包括对所述第一边缘片段集合及所述第二边缘片段集合进行MOPC。7.根据权利要求6所述的方法，其中将所述边缘片段至少分类成第一边缘片段集合及第二边缘片段集合包含将所述边缘片段中的一维图形及...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱为麟，唐诗皓，曾信纶，黄圣文，黄志仲，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：