本发明实施例涉及装载端口及其操作方法。装载端口能够监控跟运输载体相关联的各种环境参数，以最小化及/或防止其中的半导体衬底暴露于增加的湿度、增加的氧气、增加的振动及/或一或多种其它可能会污染半导体衬底、损坏半导体衬底及/或导致处理缺陷升高...

本公开涉及一种包括三维存储器阵列的集成电路芯片。三维存储器阵列包括垂直伸长的第一区域线和第二区域线、在第一区域线和第二区域线之间延伸的第一存储器单元、以及在第一存储器单元正下方的第二存储器单元，第二存储器单元在第一区域线和第二区域线之间...

在一些实施例中，本发明实施例有关于集成芯片，集成芯片包含设置于基底上方的栅极电极以及设置于栅极电极上方的栅极介电层。栅极介电层包含铁电材料。主动结构设置于栅极介电层上方，且主动结构包含半导体材料。源极接点和漏极接点设置于主动结构上方。覆...

在一些实施例中，本公开是关于一种集成芯片，包括设置在一基底的上方的一栅极电极。一栅极介电层设置于栅极电极的上方，且一主动结构设置在栅极介电层的上方。一源极接触件和一漏极接触件设置在主动结构的上方。主动结构包括由多个鸡尾酒层与多个第一主动...

一种封装结构包括电路衬底、半导体封装、第一凸块结构及第二凸块结构。所述半导体封装设置在所述电路衬底上，其中所述半导体封装包括中心区及环绕所述中心区的侧边区。所述第一凸块结构设置在所述半导体封装的所述中心区上，且将所述半导体封装电连接到所...

本发明的实施例涉及半导体器件、蚀刻系统及用于回蚀刻的方法。工件定位在工件支撑件上，该工件支撑件包括多个温度控制区。通过测量工件上多个位置处的多个蚀刻前表面高度或厚度来确定蚀刻前表面形貌。多个位置对应于工件支撑件上的多个温度控制区。基于所...

一些实施例涉及半导体结构，该半导体结构包括半导体衬底以及设置在半导体衬底上方的n个互连结构。互连结构包括介电结构和在介电结构中彼此堆叠的多个金属线。衬底通孔(TSV)延伸穿过半导体衬底以接触多个金属线中的金属线。保护套沿着TSV的外侧壁...

本公开提供一种提供时钟给通信实体层中的解串转换器的电路。电路包含从属延迟锁相回路(DLL)，以接收输入时钟并向解串转换器提供取样时钟。此外，电路还包含主控延迟锁相回路，以接收输入时钟并将控制信号输出到所述从属延迟锁相回路以调整所述从属延...

一种微影曝光系统及用于该系统的方法，用于微影曝光系统的方法包括在一曝光设备的曝光腔室的内壁形成光触媒材料。传送一集成电路晶圆进入曝光腔室。涂布光阻液于集成电路晶圆上。对光阻液执行曝光制程。通过光触媒材料催化光阻液的蒸气产生反应。化光阻液...

本发明实施例是有关于一种封装结构及其制造方法。一种封装结构包括至少一个管芯、天线元件以及至少一个层间穿孔。所述天线元件位于所述至少一个管芯上。所述至少一个层间穿孔位于所述天线元件与所述至少一个管芯之间，其中所述天线元件经由所述至少一个层...

本发明实施例涉及多运输载体对接装置。多运输载体对接装置可以在多运输载体对接装置的腔室中存放及/或安排多个运输载体，并且可以在腔室内围绕运输载体形成气密密封。晶片运输工具可以取得运输载体中的半导体晶片，而围绕运输载体的气密密封防止及/或减...

本发明实施例涉及运输载体对接装置。运输载体对接装置在当运输载体的前段部分嵌入到运输载体对接装置的腔室中的同时，能够在运输载体周围形成气密密封(Air tightseal)。当气密密封存在于运输载体周围时，运输工具可以取得运输载体中的半导...

本发明提供一种帧解码电路和用于执行帧解码的方法。帧同步器接收串行格式的输入时钟信号和输入帧信号以提供输出时钟信号。在对输入帧信号的每两个位的中心点处采样得到此检测到的码且为不是正确类型时，根据检测到的码来调整输出时钟信号的相位移。输入时...

本文描述了形成半导体器件中的诸如接触蚀刻停止层(CESL)的差异层的方法以及通过该方法形成的结构。在实施例中，结构包括位于衬底上的有源区，位于有源区上的栅极结构和沿着栅极结构的侧壁的栅极间隔件以及差异蚀刻停止层。差异蚀刻停止层具有沿着栅...

本发明实施例是有关于一种封装结构及其制造方法。一种封装结构包括至少一个管芯、天线元件以及至少一个层间穿孔。所述天线元件位于所述至少一个管芯上。所述至少一个层间穿孔位于所述天线元件与所述至少一个管芯之间，其中所述天线元件经由所述至少一个层...

一种形成半导体构造的方法包括在半导体层之上形成第一源极垫。形成与第一源极垫接触的第一纳米片材。形成与第一纳米片材相邻的栅极垫。形成位于栅极垫之上且与第一纳米片材接触的第一漏极垫。在栅极垫及第一源极垫下方形成后侧内连线。形成与后侧内连线、...

本发明实施例提供一种芯片封装结构，所述芯片封装结构包括扇出型封装，扇出型封装含有至少一个半导体管芯、在侧向上环绕所述至少一个半导体管芯的环氧模塑化合物(EMC)管芯框架及重布线结构。扇出型封装具有倒角区，在倒角区处，扇出型封装的水平表面...

一种半导体装置包括多硅化物结构，所述多硅化物结构包括至少两个共形硅化物层。多硅化物结构可包括源极/漏极上的第一共形硅化物层、第一共形硅化物层上的第二共形硅化物层以及第二共形硅化物层之上的顶盖层。半导体装置包括多硅化物结构上的接触结构。半...

本发明实施例是有关于一种制造半导体器件的方法及半导体器件。在实施例中，一种制造半导体器件的方法包括邻近基底形成导电特征；使用保护材料处理导电特征，保护材料包括无机核心及围绕无机核心的有机涂层，所述处理导电特征包括在导电特征之上形成保护层...

一种半导体装置、记忆体装置以及操作记忆体装置的方法。半导体装置包括沿垂直方向延伸的第一导电结构及沿垂直方向延伸的第二导电结构。第二导电结构与第一导电结构沿横向方向间隔开。半导体装置进一步包括数个第三导电结构，各个第三导电结构沿横向方向延...