微影曝光系统及用于该系统的方法技术方案

一种微影曝光系统及用于该系统的方法，用于微影曝光系统的方法包括在一曝光设备的曝光腔室的内壁形成光触媒材料。传送一集成电路晶圆进入曝光腔室。涂布光阻液于集成电路晶圆上。对光阻液执行曝光制程。通过光触媒材料催化光阻液的蒸气产生反应。化光阻液的蒸气产生反应。化光阻液的蒸气产生反应。

Lithography exposure system and method for the system

【技术实现步骤摘要】
微影曝光系统及用于该系统的方法


[0001]本揭露涉及一种微影曝光系统及用于该系统的方法。

技术介绍

[0002]半导体集成电路(Integrated Circuit,IC)行业已经历了指数式的增长。IC材料及设计的技术进步已产生数代IC，其中每一代具有比前一代更小且更复杂的电路。在IC演进的过程中，功能密度(亦即，每晶片面积的互连元件的数目)通常增大，而几何尺寸(亦即，可形成的最小元件或接线)通常减小。这种缩小通常可以增大生产效率并降低相关联的成本，但同时也增加了处理及制造IC的复杂性。

技术实现思路

[0003]依据本揭露的部分实施例，一种用于微影曝光系统的方法包括传送一集成电路晶圆进入曝光腔室。涂布一光阻液于该集成电路晶圆上，其中一部分的光阻液会挥发产生一蒸气。对光阻液执行一曝光制程，并通过一光触媒材料催化蒸气产生反应。
[0004]依据本揭露的部分实施例，一种用于微影曝光系统的方法包括在一曝光系统的曝光腔室的内壁形成光触媒材料。传送一集成电路晶圆进入曝光腔室。涂布光阻液于集成电路晶圆上。在形成光触媒材料后，对光阻液执行一曝光制程。
[0005]依据本揭露的部分实施例，一种微影曝光系统包括一曝光腔室、一晶圆载台、一光触媒材料层、一光学系统以及一抽气设备。曝光腔室具有一内壁。光触媒材料层形成于内壁上。光学系统连接曝光腔室，用以执行曝光制程。抽气设备连接曝光腔室。
附图说明
[0006]当结合随附诸图阅读时，得以自以下详细描述最佳地理解本揭示案的态样。应注意，根据行业上的标准实务，各种特征未按比例绘制。事实上，为了论述清楚，可任意地增大或减小各种特征的尺寸。
[0007]图1为根据本揭示案的一些实施例的微影曝光系统的示意图；
[0008]图2为根据本揭示案的一些实施例的微影曝光系统的示意图；
[0009]图3为根据本揭示案的一些实施例的微影曝光系统的示意图；
[0010]图4为根据本揭示案的一些实施例的微影曝光系统的示意图；
[0011]图5为根据本揭示案的一些实施例的微影曝光系统的示意图；
[0012]图6为根据本揭示案的一些实施例的微影曝光系统的示意图；
[0013]图7为根据本揭示案的一些实施例的微影曝光系统的示意图；
[0014]图8为根据本揭示案的一些实施例的微影曝光系统的示意图；
[0015]图9为根据本揭示案的一些实施例的微影曝光系统的示意图；
[0016]图10为根据本揭示案的一些实施例的微影曝光系统的示意图；
[0017]图11为根据本揭示案的一些实施例的微影曝光系统的示意图；
[0018]图12为根据本揭示案的一些实施例的微影曝光系统内的光触媒材料的平面示意图；
[0019]图13为根据本揭示案的一些实施例的微影曝光系统的示意图；
[0020]图14为根据本揭示案的一些实施例的用于微影曝光系统的方法流程图；
[0021]图15为根据本揭示案的一些实施例的用于微影曝光系统的方法流程图。
[0022]【符号说明】
[0023]100a:微影曝光系统
[0024]100b:微影曝光系统
[0025]100c:微影曝光系统
[0026]100d:微影曝光系统
[0027]100e:微影曝光系统
[0028]100f:微影曝光系统
[0029]100g:微影曝光系统
[0030]100h:微影曝光系统
[0031]100i:微影曝光系统
[0032]100j:微影曝光系统
[0033]100k:微影曝光系统
[0034]100m:微影曝光系统
[0035]102:曝光腔室
[0036]102a:开口
[0037]102b:开口
[0038]102d:开口
[0039]104:晶圆载台
[0040]106:抽气设备
[0041]108:光学系统
[0042]109:光源
[0043]110:集成电路晶圆
[0044]112:光触媒材料
[0045]112a:孔洞
[0046]113:蒸气
[0047]115:微粒
[0048]300:方法
[0049]302:操作
[0050]304:操作
[0051]306:操作
[0052]308:操作
[0053]310:操作
[0054]400:方法
[0055]402:操作
[0056]404:操作
[0057]406:操作
[0058]408:操作
[0059]410:操作
[0060]412:操作
具体实施方式
[0061]以下揭示内容提供用于实施所提供标的的不同特征的许多不同实施例或实例。以下描述元件及布置的特定实例以简化本揭示案。当然，此些仅为实例，且并不意欲为限制性的。举例而言，在如下描述中第一特征在第二特征之上或在第二特征上方形成可包括其中第一特征与第二特征形成为直接接触的实施例，且亦可包括其中额外特征可在第一特征与第二特征之间形成而使得第一特征与第二特征可不直接接触的实施例。另外，本揭示案可在各种实例中重复元件符号及/或字母。此重复是出于简化及清楚目的，且其自身并不表示所论述的各种实施例及/或配置之间的关系。
[0062]另外，为了便于描述，可在本文中使用诸如“在
……
下面”、“在
……
下方”、“下部”、“在
……
上方”、“上部”及其类似术语的空间相对术语，以描述如诸图中所绘示的一个元件或特征与另一(其他)元件或特征的关系。除了诸图中所描绘的定向以外，此些空间相对术语意欲涵盖元件在使用中或操作中的不同定向。装置可以其他方式定向，且可同样相应地解释本文中所使用的空间相对描述词。
[0063]本揭示案中所描述的先进微影制程、方法及材料可用于许多应用中，包括鳍片型场效应晶体管(fin
‑
type field effect transistor,FinFET)。举例而言，可图案化鳍片以在适用于以下揭示内容的特征之间产生相对紧密的间距。另外，可根据以下揭示内容来处理用于形成FinFET鳍片的间隔物。
[0064]图1为根据本揭示案的一些实施例的微影曝光系统100a的示意图。在一些实施例中，微影曝光系统100a包含一曝光设备的曝光腔室102、晶圆载台104、抽气设备106以及光学系统108。光触媒材料112形成于曝光腔室102的内壁。当曝光制程进行前，集成电路晶圆110会被机械手臂(未绘示于图面)夹取，而通过曝光腔室102的开口102a传送至晶圆载台104上。接着，涂布光阻液于集成电路晶圆110上，使其覆盖欲图案化的区域。配合光罩的使用，光学系统108对集成电路晶圆110上的光阻液/层执行曝光制程，借以将光罩上的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于微影曝光系统的方法，其特征在于，包括：传送一集成电路晶圆进入一曝光腔室；涂布一光阻液于该集成电路晶圆上，其中一部分的该光阻液会挥发产生一蒸气；以及对该光阻液执行一曝光制程，并通过一光触媒材料催化该蒸气产生反应。2.根据权利要求1的所述的方法，其特征在于，通过该光触媒材料催化该蒸气产生反应将致使该蒸气转换成二氧化碳与水。3.根据权利要求1的所述的方法，其特征在于，对该光阻液执行该曝光制程，至少部分与通过该光触媒材料催化该蒸气产生反应同时。4.根据权利要求1的所述的方法，其特征在于，该光触媒材料包含二氧化钛、磷化镓、砷化镓、氧化锌、二氧化锡、硫化镉或其任意组合。5.根据权利要求1的所述的方法，其特征在于，还包含在该光触媒材料上形成多个孔洞。6.一种用于微影曝光系统的方法，其特征在于，包括：于一曝光设备...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖啟宏，施柏铭，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：