集成芯片及其形成方法技术

在一些实施例中，本发明专利技术实施例有关于集成芯片，集成芯片包含设置于基底上方的栅极电极以及设置于栅极电极上方的栅极介电层。栅极介电层包含铁电材料。主动结构设置于栅极介电层上方，且主动结构包含半导体材料。源极接点和漏极接点设置于主动结构上方。覆盖结构设置于主动结构上方及源极接点与漏极接点之间，其中覆盖结构包含第一金属材料。覆盖结构包含第一金属材料。覆盖结构包含第一金属材料。

Integrated chip and its forming method

【技术实现步骤摘要】
集成芯片及其形成方法


[0001]本专利技术实施例涉及半导体技术，且特别涉及集成芯片及其形成方法。

技术介绍

[0002]许多现代电子装置包含非易失性存储器。非易失性存储器是能够在断电情况下存储数据的电子存储器。下一代非易失性存储器的一个有潜力的候选者是铁电随机存取存储器(ferroelectric random
‑
access memory， FeRAM)。铁电随机存取存储器具有相对简易的结构，且与互补式金属氧化物半导体(complementary metal
–
oxide
–
semiconductor，CMOS)逻辑及薄膜晶体管制造过程相容。

技术实现思路

[0003]在一些实施例中，提供集成芯片，集成芯片包含栅极电极，设置于基底上方；栅极介电层，设置于栅极电极上方，栅极介电层包含铁电材料；主动结构，设置于栅极介电层上方，且主动结构包含半导体材料；源极接点和漏极接点，设置于主动结构上方；以及覆盖结构，设置于主动结构上方及源极接点与漏极接点之间，其中覆盖结构包含第一金属材料本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成芯片，包括：一栅极电极，设置于一基底上方；一栅极介电层，设置于该栅极电极上方，该栅极介电层包括一铁电材料；一主动结构，设置于该栅极介电层上方，且该主动结构包括一半导体材料；一源极接点和一漏极接点，设置于该主动结构上方；以及一覆盖结构，设置于该主动结构上方及该源极接点与该漏极接点之间，其中该覆盖结构包括一第一金属材料。2.如权利要求1所述的集成芯片，其中该主动结构包括交替堆叠的多个混合层和多个第一主动层的一堆叠物，其中该多个混合层包括一第一材料和一第二材料的一混合物，其中该多个第一主动层包括不同于该第一材料和该第二材料的一第三材料，其中该主动结构的一最底层为该多个混合层的其中一层，且其中该主动结构的一最顶层设置于交替堆叠的该多个混合层和该多个第一主动层的该堆叠物上方，且该主动结构的该最顶层包括该第一材料。3.如权利要求1所述的集成芯片，其中该主动结构包括多个第一主动层、多个第二主动层和多个第三主动层的一堆叠物，该多个第一主动层包括一第一金属氧化物材料，该多个第二主动层包括一第二金属氧化物材料，且该多个第三主动层包括一第三金属氧化物材料。4.如权利要求1所述的集成芯片，其中该覆盖结构包括一第一层及设置于该第一层上方的一第二层，该第一层包括该第一金属材料，该第二层包括一第二金属材料。5.如权利要求1所述的集成芯片，其中该主动结构包括一下部，该下部包括一第一材料、一第二材料和一第三材料的一混合物，且其中该主动结构包括设置于该下部上方的一上部，该上部包括该第一材料。6.如权利要求5所述的集成芯片，其中该覆盖结构直接接触该主动结构的一扩散区，其中该扩散区包括该第一金属材料和该第一材料。7.一种集成芯片，包括：一栅极电极，设置于一基底上方；一栅极介电层，...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄彦杰，陈海清，林仲德，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：