半导体器件及制造方法技术

本发明专利技术实施例是有关于一种制造半导体器件的方法及半导体器件。在实施例中，一种制造半导体器件的方法包括邻近基底形成导电特征；使用保护材料处理导电特征，保护材料包括无机核心及围绕无机核心的有机涂层，所述处理导电特征包括在导电特征之上形成保护层；以及围绕导电特征及保护层形成包封体。在另一实施例中，所述方法还包括在形成包封体之前，使用水冲洗保护层。在另一实施例中，保护层选择性地形成在导电特征之上。形成在导电特征之上。形成在导电特征之上。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及制造方法


[0001]本专利技术实施例是有关于一种半导体器件及半导体器件的制造方法。

技术介绍

[0002]由于各种电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度的持续改善，半导体行业已经历快速增长。在很大程度上，集成密度的改善是由于最小特征尺寸(feature size)的不断减小，这使得更多的组件能够集成到给定区域内。随着对缩小电子器件的需求的增长，出现了对更小且更具创造性的半导体管芯封装技术的需要。此种封装系统的实例是叠层封装(Package
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Package，PoP)技术。在PoP器件中，顶部半导体封装被堆叠在底部半导体封装的顶部上，以提供高集成水平及组件密度。PoP技术一般能够生产功能性得到增强且在印刷电路板(printed circuit board，PCB)上覆盖面积小的半导体器件。

技术实现思路

[0003]本专利技术实施例所揭露的一种制造半导体器件的方法，包括邻近基底形成导电特征；使用保护材料处理所述导电特征，所述保护材料包括无机核心及围绕所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种制造半导体器件的方法，包括：邻近基底形成导电特征；使用保护材料处理所述导电特征，所述保护材料包括无机核心及围绕所述无机核心的有机涂层，所述处理所述导电特征包括在所述导电特征之上形成保护层；以及围绕所述导电特征及所述保护层形成包封体。2.根据权利要求1所述制造半导体器件的方法，还包括在形成所述包封体之前，使用水冲洗所述保护层。3.根据权利要求2所述制造半导体器件的方法，其中所述保护层选择性地形成在所述导电特征之上。4.根据权利要求1所述制造半导体器件的方法，还包括形成所述保护材料，所述形成所述保护材料包括向有机溶液中添加多个无机团粒，以围绕所述多个无机团粒中的每一者形成所述有机涂层。5.根据权利要求1所述制造半导体器件的方法，其中所述保护层具有比所述保护材料的一个单层大的厚度。6.根据权利要求1所述制造半导体器件的方法，其中所述使用所述保护材料处理所述导电特征包括使所述保护材...

【专利技术属性】
技术研发人员：卓鸿钧，郭宏瑞，胡毓祥，廖思豪，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：