存储器元件及其制造方法技术

一种存储器元件及其制造方法，其中，存储器元件包括：基底，包括多个区块，每一区块包括阶梯区、存储阵列区与字线切割区；叠层结构，位于所述存储阵列区中的所述基底上，其中所述叠层结构包括彼此交互堆叠的多个第一绝缘层与多个导体层；第一阶梯结构，位于所述阶梯区中的所述基底上，其中所述第一阶梯结构包括彼此交互堆叠的多个第一绝缘层与多个导体层；以及第二阶梯结构的第一部分，位于所述字线切割区中的所述基底上，其中所述第二阶梯结构的所述第一部分包括彼此交互堆叠的多个第一绝缘层与多个导体层，且相邻的两个区块的两个第二阶梯结构的两个第一部分彼此分隔。梯结构的两个第一部分彼此分隔。梯结构的两个第一部分彼此分隔。

【技术实现步骤摘要】
存储器元件及其制造方法


[0001]本专利技术属于集成电路和存储
，涉及一种存储器元件及其制造方法。

技术介绍

[0002]非易失性存储器元件(如，闪存存储器)由于具有使存入的数据在断电后也不会消失的优点，因此成为个人电脑和其他电子设备所广泛采用的一种存储器元件。
[0003]目前业界较常使用的闪存存储器阵列包括或非门(NOR)闪存存储器与与非门(NAND)闪存存储器。由于NAND闪存存储器的结构是使各存储单元串接在一起，其集成度与面积利用率较NOR闪存存储器更好，已经广泛地应用在多种电子产品中。此外，为了进一步地提升存储器元件的集成度，发展出一种三维NAND闪存存储器。然而，仍存在许多与三维NAND闪存存储器相关的挑战。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供一种存储器元件，可将相邻两区块(block)的多个字线彼此分离。
[0005]本专利技术的一实施例中，一种存储器元件，包括：基底，包括多个区块，每一区块包括阶梯区、存储阵列区与字线切割区，其中所述存储阵列区位于所述阶梯区与所述字线切割区之间；叠层结本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器元件，其特征在于，包括：基底，包括多个区块，每一区块包括阶梯区、存储阵列区与字线切割区，其中所述存储阵列区位于所述阶梯区与所述字线切割区之间；叠层结构，位于所述存储阵列区中的所述基底上，其中所述叠层结构包括彼此交互堆叠的多个第一绝缘层与多个导体层；第一阶梯结构，位于所述阶梯区中的所述基底上，其中所述第一阶梯结构包括彼此交互堆叠的多个第一绝缘层与多个导体层；以及第二阶梯结构的第一部分，位于所述字线切割区中的所述基底上，其中所述第二阶梯结构的所述第一部分包括彼此交互堆叠的多个第一绝缘层与多个导体层，且相邻的两个所述区块的两个第二阶梯结构的两个第一部分彼此分隔。2.根据权利要求1所述的存储器元件，其特征在于，所述第二阶梯结构具有多组的次阶梯结构，位于所述多个区块中。3.根据权利要求1所述的存储器元件，其特征在于，所述第二阶梯结构包括多个岛状阶梯结构，每一岛状阶梯结构位于相邻两个区块之间。4.根据权利要求1所述的存储器元件，其特征在于，所述第二阶梯结构的阶梯数小于所述第一阶梯结构的阶梯数。5.根据权利要求1所述的存储器元件，其特征在于，还包括：多个第一接触窗，分别连接所述第一阶梯结构的所述多个导体层；多个第一支撑柱，贯穿所述第一阶梯结构的所述多个第一绝缘层与所述多个导体层；以及多个第二支撑柱，贯穿所述第二阶梯结构的所述第一部分的所述多个第一绝缘层与所述多个导体层。6.根据权利要求5所述的存储器元件，其特征在于，所述基底还包括周边区，所述字线切割区位于存储阵列区与所述周边区之间；以及所述第二阶梯结构的第二部分，位于所述周边区中的所述基底上，其中所述第二阶梯结构的所述第二部分包括彼此交互堆叠的多个第一绝缘层与多个第二绝缘层。7.根据权利要求6所述的存储器元件，其特征在于，所述第一阶梯结构的所述多层导体层连接所述叠层结构的所述多...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑宸语，韩宗廷，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：