其中具有改善的接触插塞结构的集成电路器件制造技术

一种集成电路器件包括衬底和在衬底上的第一电绝缘层。提供导电的接触插塞，其至少部分地延伸穿过第一电绝缘层。接触插塞包括突起，该突起具有相对于第一电绝缘层的与接触插塞相邻延伸的部分的顶表面与衬底间隔更远的顶表面。导电线提供有在突起的第一部分上延伸的末端。提供第二电绝缘层，其在突起的第二部分上以及在第一电绝缘层上延伸。第二电绝缘层具有侧壁，该侧壁与导电线的末端的侧壁相对地延伸。延伸。延伸。

【技术实现步骤摘要】
其中具有改善的接触插塞结构的集成电路器件


[0001]本专利技术构思的实施方式涉及集成电路器件，更具体地，涉及其中具有电接触的集成电路器件，该电接触包括接触插塞和连接到所述接触插塞的导电线。

技术介绍

[0002]集成电路可以包括半导体器件，诸如金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。由于半导体器件的尺寸和设计规则已经减小，因此MOSFET已经按比例缩小。半导体器件的操作特性可能因MOSFET的尺寸减小而劣化。因此，已经研究了用于形成具有优异性能同时克服高集成导致的限制的半导体器件的各种方法。

技术实现思路

[0003]本专利技术构思的实施方式可以提供集成电路器件，其中具有拥有改善的电特性的半导体器件。
[0004]在一个方面，一种半导体器件可以包括在衬底上的第一层间绝缘层、在第一层间绝缘层上延伸的导电线、以及在第一层间绝缘层上延伸并覆盖导电线的侧壁的第二层间绝缘层。提供接触插塞，其穿透第一层间绝缘层并连接到导电线。接触插塞可以包括突起，该突起作为接触插塞“柱”突出高过第一层间绝缘层的顶表面。在一些实施方式中，导电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成电路器件，包括：在衬底上的第一层间绝缘层；在所述第一层间绝缘层上的导电线；第二层间绝缘层，在所述第一层间绝缘层上延伸并与所述导电线的侧壁相对；以及导电的接触插塞，至少部分地穿透所述第一层间绝缘层并电连接到所述导电线的一部分，所述接触插塞包括延伸到(i)与(ii)之间的空间中的突起，其中(i)为与所述突起的第一部分重叠的所述导电线，和(ii)为与所述突起的第二部分重叠的所述第二层间绝缘层。2.根据权利要求1所述的器件，其中所述突起在垂直于所述衬底的顶表面的方向上从所述接触插塞的下面的主体部分突出，并与所述主体部分直接接触。3.根据权利要求2所述的器件，其中所述接触插塞还包括接触阻挡图案，所述接触阻挡图案在所述第一层间绝缘层和所述主体部分之间延伸；以及其中所述突起覆盖并接触所述接触阻挡图案的最上表面。4.根据权利要求3所述的器件，其中所述接触插塞的所述突起和所述主体部分包括相同的金属；以及其中所述接触阻挡图案包括与所述接触插塞的所述突起和所述主体部分的材料不同的材料。5.根据权利要求1所述的器件，还包括在所述导电线的所述侧壁和所述第二层间绝缘层之间延伸的线阻挡图案；以及其中所述线阻挡图案在所述突起的顶表面上延伸。6.根据权利要求5所述的器件，其中所述导电线的所述侧壁相对于所述突起的所述顶表面以钝角倾斜。7.根据权利要求5所述的器件，还包括蚀刻停止层，所述蚀刻停止层在所述第二层间绝缘层和所述第一层间绝缘层之间延伸，并在所述第二层间绝缘层和所述突起之间延伸；以及其中所述线阻挡图案在所述导电线和所述蚀刻停止层的一部分之间延伸。8.根据权利要求7所述的器件，还包括覆盖层，所述覆盖层在所述蚀刻停止层和所述突起之间延伸，并且还在所述导电线和所述突起之间延伸。9.根据权利要求8所述的器件，其中所述覆盖层包括与所述接触插塞不同的材料。10.根据权利要求8所述的器件，其中所述线阻挡图案在所述覆盖层和所述导电线之间以及在所述导电线和所述第一层间绝缘层之间延伸。11.根据权利要求8所述的器件，其中所述线阻挡图案包括：在所述导电线的所述侧壁和所述第二层间绝缘层之间的第一部分；以及在所述导电线和所述第一层间绝缘层之间的第二部分，其中所述导电线与所述覆盖层接触。12.根据权利要求7所述的器件，还包括在所述蚀刻停止层和所述突起之间延伸的覆盖层；其中所述覆盖层在所述线阻挡图案的一部分和所述突起的所述顶表面之间延伸。13.根据权利要求12所述的器件，其中所述线阻挡图案在所述突起...

【专利技术属性】
技术研发人员：汉元奎，李明秀，金洛焕，张宇镇，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：