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其中具有改善的接触插塞结构的集成电路器件制造技术
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文档序号:33909227
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一种集成电路器件包括衬底和在衬底上的第一电绝缘层。提供导电的接触插塞,其至少部分地延伸穿过第一电绝缘层。接触插塞包括突起,该突起具有相对于第一电绝缘层的与接触插塞相邻延伸的部分的顶表面与衬底间隔更远的顶表面。导电线提供有在突起的第一部分上延...
该专利属于三星电子株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过三星电子株式会社授权不得商用。
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