半导体器件及其形成方法技术

提供了半导体器件及其形成方法。半导体器件包括：第一衬底；电容器，位于第一衬底内；二极管结构，位于邻近电容器的第一衬底内；以及第一互连结构，位于电容器和二极管结构上方。第一互连结构的第一导电通孔将电容器电耦接至二极管结构。至二极管结构。至二极管结构。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其形成方法


[0001]本申请的实施例涉及半导体器件及其形成方法。

技术介绍

[0002]半导体器件用于各种电子应用中，诸如例如，个人计算机、手机、数码相机和其它电子设备。半导体器件通常通过在半导体衬底上方依次沉积材料的绝缘层或介电层、导电层和半导体层以及使用光刻和蚀刻工艺图案化各个材料层以在其上形成电路组件和元件来制造。
[0003]半导体工业通过不断减小最小部件尺寸来不断提高各个电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度，这允许更多的组件集成至给定区域中。但是，随着最小部件尺寸的减小，在所使用的工艺的每个内出现了额外的问题，并且应该解决这些额外的问题。

技术实现思路

[0004]本申请的一些实施例提供了一种半导体器件，包括：第一衬底；电容器，位于所述第一衬底内；二极管结构，位于邻近所述电容器的所述第一衬底内；以及第一互连结构，位于所述电容器和所述二极管结构上方，其中，所述第一互连结构的第一导电通孔将所述电容器电耦接至所述二极管结构。
[0005]本申请的另一些实施例提供了一种半导本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：第一衬底；电容器，位于所述第一衬底内；二极管结构，位于邻近所述电容器的所述第一衬底内；以及第一互连结构，位于所述电容器和所述二极管结构上方，其中，所述第一互连结构的第一导电通孔将所述电容器电耦接至所述二极管结构。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一衬底是p型衬底，并且其中，所述二极管结构包括所述第一衬底内的第一n型阱。3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述二极管结构还包括所述第一n型阱内的p型阱。4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述二极管结构还包括所述p型阱内的第二n型阱。5.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括延伸穿过所述第一衬底并且进入所述第一互连结构的第二导电通孔。6.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括位于所述第一互连结构上方的第一焊盘。7.根据权利要求6所述的半导体...

【专利技术属性】
技术研发人员：高敏峰，杨敦年，刘人诚，林杏芝，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：