本发明实施例涉及一种优化光掩模拼接。一种制造光掩模的方法包含在模拟区域中确定光掩模的布局图案的增强区域。所述方法包含确定模拟区域内的拼接移动区域，确定拼接移动区域内的优化移动区域，以及对模拟区域中的布局图案进行反向光刻转换ILT操作，以...

本揭露一些实施例提供一种液体供应系统及液体制备方法。所述液体供应系统包含经配置以存储液体的液体槽。所述液体供应系统还包含定位于所述液体槽外部且流体地连接两个连接端口的液体测量模块，所述两个连接端口定位于存储于所述液体槽中的所述液体的表面...

一种基板支架及使用基板支架的方法，在一极紫外线辐射微影系统中使用的静电基板支架包括一基板接收表面，该基板接收表面具有与一可变气体压力泵流体连通的多个气体通路。改变该基板的背侧与该基板支架的该基板接收表面之间的一孔隙空间中的压力促进该基板...

一种半导体装置及其制造方法，在半导体的制造方法中，设置罩幕在半导体层或半导体基材上。蚀刻半导体层或半导体基材在通过罩幕勾画的区域内，以形成空腔。通过设置在半导体层或半导体基材上的罩幕，进行离子布植，加衬空腔，以形成围阻结构。通过设置在半...

提供一种半导体配置及形成此半导体配置的方法与电容器。此半导体配置包含第一导电层及未于第一导电层之上的第一介电层。第二导电层位于第一介电层的一部分之上，且具有侧壁表面。间隙壁位于第二导电层的侧壁的一部分之上，且覆盖第二导电层与第一介电层之...

本揭露提供一种半导体装置及半导体装置的制造方法。半导体装置包含具有第一表面及与第一表面相对的第二表面的元件。第一基材通孔结构是延伸在元件的第一区域内的第一表面及第二表面之间。第二基材通孔结构延伸在元件的第二区域内的第一表面及第二表面之间...

本揭露的一种半导体装置及其制造方法，半导体装置包含通道层、栅极结构、源极/漏极磊晶结构及栅极贯孔。栅极结构包围通道层。栅极结构包含栅极介电层及在栅极介电层上的栅极电极。源极/漏极磊晶结构是相邻于栅极结构，并电性连接至通道层。栅极贯孔是在...

一种半导体电路的制造方法及半导体制造系统，在一种半导体元件的制造方法中，从装载端口取回半导体晶圆。将半导体晶圆传送至处理装置。在处理装置中，将半导体晶圆的表面暴露于电浆风的定向流，以从半导体晶圆的表面清除粒子。电浆风流是由环境电浆产生器...

一种制造沟槽电容结构的方法与电容结构，电容结构包括金属氮化物层、成分渐变膜与介电层。金属氮化物层例如为氮化钛层。成分渐变膜通过热氧化形成在金属氮化物层的表面上。介电层设置在成分渐变膜上。一种制造电容结构的方法包括：形成导电层；对导电层的...

一种半导体单元结构及形成集成电路的方法，半导体单元结构包括在第一类型主动区域内对准的第一类型晶体管、在第二类型主动区域内对准的第二类型晶体管、第一电源轨道及第二电源轨道。第一类型主动区域及该第二类型主动区域中的每一者处于在第一方向上延伸...

一种模拟集成电路布局的自动产生系统与方法，揭示用于产生模拟集成电路的一或多个非最终布局的多种技术。此些技术包括基于元件规格产生模拟集成电路的非最终布局；将非最终布局分区成多个子单元；合并经验证的子单元以形成模拟集成电路的已合并布局；及针...

本揭露内容是有关于一种像素感测件及其制造方法，像素感测件包含传输鳍式场效晶体管，以从光电二极管传输光电流至漏极区域。传输鳍式场效晶体管包含光电二极管的至少一部分、与漏极区域相关的延伸区域、多个通道鳍及传输栅极，其中传输栅极至少部分环绕此...

一种制造模拟集成电路的方法及系统、产生布局的方法，揭示了用于自动地产生模拟集成电路的非最终布局的多个子单元的各种技术。接收模拟集成电路的多个元件规格及分割信息。基于多个元件规格及分割信息，来决定在模拟集成电路的非最终布局中沿着第一方向待...

一种半导体元件、制造与其设计方法，半导体元件包含基材及位于基材的第一侧上的第一主动区。此半导体元件还包含围绕第一主动区的第一部分的第一栅极结构。此半导体元件还包含位于基材的第二侧上的第二主动区，其中第二侧相对于第一侧。此半导体元件还包含...

在一抗蚀剂分配的方法中，抗蚀剂材料穿过在晶圆上的抗蚀剂泵送系统的喷嘴的管分配。管从喷嘴的顶部延伸到底部，并且具有上部、下部、及中间区段。当未分配时，抗蚀剂材料从下部及中间区段缩回，并且维持在管的上部区段中。当缩回时，第一溶剂流过在喷嘴的...

一种处理腔室及基板处理方法，处理腔室包含接地屏及覆盖环。接地屏包含环形主体及自环形主体延伸的至少一个导销。覆盖环位于接地屏上，覆盖环包含环形主体，环形主体包含至少一个凹部。至少一个导销的至少一部分容纳于至少一个凹部中，内柱状环自环形主体...

一种集成电路元件及在静电放电事件中的保护方法，集成电路(IC)元件包含第一电源端、IO垫、耦接在第一电源端与IO垫之间的第一静电放电保护元件、耦接在第一电源端与IO垫之间的第一触发电流源元件，以及半导体基板，其中在半导体基板上形成第一静...

本公开提供一种半导体装置结构。上述半导体装置结构包括第一及第二源极/漏极外延特征、设置于第一与第二源极/漏极外延特征间的第一栅极电极层、第三及第四源极/漏极外延特征、设置于第三与第四源极/漏极外延特征间的第二栅极电极层、设置于第一及第二...

本发明实施例提供一种半导体装置结构。半导体装置结构包括栅极介电层、栅极层、第一自对准接点层、隔离层以及第一侧壁间隔物。栅极层接触栅极介电层；第一自对准接点层位于栅极层上；隔离层位于栅极层与第一自对准接点层之间；第一侧壁间隔物接触栅极介电...

本发明实施例涉及一种半导体显影工具和操作方法。本文所描述的显影工具包括分配器，所述分配器在中央部分相对于周边部分包括更多数量的喷嘴，使得显影工具能够更有效率地从靠近衬底中央的光致抗蚀剂层去除材料(相对于衬底的边缘或周边，衬底中央附近的光...