像素感测件及其制造方法技术

本揭露内容是有关于一种像素感测件及其制造方法，像素感测件包含传输鳍式场效晶体管，以从光电二极管传输光电流至漏极区域。传输鳍式场效晶体管包含光电二极管的至少一部分、与漏极区域相关的延伸区域、多个通道鳍及传输栅极，其中传输栅极至少部分环绕此些通道鳍，以控制传输鳍式场效晶体管的运作。在传输鳍式场效晶体管中，传输栅极包覆每个通道鳍(如：至少三侧)，而提供传输栅极上方较大的表面积，让传输栅极能控制电子传输。较大的表面积使得对传输鳍式场效晶体管的控制较佳，从而可降低像素感测件的切换时间(因而使得像素感测件的性能更快)，且可减少与平面传输晶体管相关的像素感测件的漏电流。相关的像素感测件的漏电流。相关的像素感测件的漏电流。

Pixel sensor and its manufacturing method

【技术实现步骤摘要】
像素感测件及其制造方法


[0001]本揭露内容是有关于一种像素感测件，特别是有关于一种含有传输鳍式场效晶体管的像素感测件。

技术介绍

[0002]互补式金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor，CMOS)影像感测件可包含多个像素感测件。互补式金属氧化物半导体影像感测件的像素感测件可包含传输晶体管，其中传输晶体管可包含光电二极管及传输栅极。上述光电二极管是配置以转换入射光的光子为电子的光电流，且传输栅极是配置以控制光电二极管及漏极区域间的光电流的流动。此漏极区域可配置以接收光电流，使光电流可被测量及/或被传输至互补式金属氧化物半导体影像感测件的其他区域。

技术实现思路

[0003]本揭露内容提供一种像素感测件，可包含但不限于光电二极管及传输鳍式场效晶体管(transfer fin field effect transistor，finFET)，其中传输鳍式场效晶体管是配置以从光电二极管传输光电流至像素感测件的漏极区域，且传输鳍式场效晶体管可包含n型区域的至少一部分、耦合漏极区本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种像素感测件，其特征在于，包含：一光电二极管，包含n型区域；及一传输鳍式场效晶体管(transfer fin field effect transistor，finFET)，其中该传输鳍式场效晶体管是配置以从该光电二极管传输一光电流至该像素感测件的一漏极区域，且该传输鳍式场效晶体管包含：该n型区域的至少一部分；一漏极延伸区域，其中该漏极延伸区域耦合该漏极区域；多个通道鳍，其中所述多个通道鳍耦合该n型区域及该漏极延伸区域；以及一传输栅极，其中该传输栅极的至少部分环绕所述多个通道鳍。2.如权利要求1所述的像素感测件，其特征在于，还包含：一第一p型区域，其中在该n型区域之上，该第一p型区域包含于该光电二极管中；以及该传输栅极下方的一第二p型区域，其中该第二p型区域是配置以为该传输栅极提供一电性绝缘。3.如权利要求1所述的像素感测件，其特征在于，还包含：于该传输栅极与该n型区域间的一第一缓冲氧化区域；以及于该传输栅极与该漏极延伸区域间的一第二缓冲氧化区域。4.如权利要求1所述的像素感测件，其特征在于，还包含：于所述多个通道鳍上方的一延伸布植；以及于该延伸布植上方的一氧化层。5.一种像素感测件的制造方法，其特征在于，包含：于一像素感测件的一基质中，形成一传输鳍式场效晶体管(transfer finFET)的多个通道鳍，其中该传输鳍式场效晶体管是包含于该像素感测件中；于该基材中，形成一光电二极管的一n型区域，其中该光电二极管是包含于该像素感测件中；于该基材中，形成该传输鳍式场效晶体管的一漏极延伸区域，其中所述多个通道鳍耦合该n型区域及该漏极延伸区域；于该基...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢丰键，郑允玮，胡维礼，李国政，吴振铭，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：