半导体单元结构及形成集成电路的方法技术

一种半导体单元结构及形成集成电路的方法，半导体单元结构包括在第一类型主动区域内对准的第一类型晶体管、在第二类型主动区域内对准的第二类型晶体管、第一电源轨道及第二电源轨道。第一类型主动区域及该第二类型主动区域中的每一者处于在第一方向上延伸的第一对准边界及第二对准边界之间，第一方向垂直于第二方向。第一电源轨道的长边缘与第一类型主动区域的第一对准边界之间的沿着第二方向的第一距离与第二电源轨道的长边缘与第二类型主动区域的第一对准边界之间的沿着第二方向的第二距离相差预定距离。第二距离相差预定距离。第二距离相差预定距离。

Semiconductor unit structure and method of forming integrated circuit

【技术实现步骤摘要】
半导体单元结构及形成集成电路的方法


[0001]本揭示内容是关于一种半导体单元结构及形成集成电路的方法。

技术介绍

[0002]将集成电路(integrated circuit；IC)微型化的进来趋势已产生消耗较少电源而在较高速度下提供更多功能性的较小装置。微型化制程亦已产生对IC电路的布局设计的更严格限制。当平行于电源轨道的水平绕线轨经设计用于连接至单元结构中的晶体管的各种栅极端、源极端及漏极端时，可用于连接的水平绕线轨的数目是有限的。用于将水平绕线轨连接至单元结构中的晶体管的各种栅极端、源极端及漏极端的通孔连接器的位置亦承受设计规则限制。

技术实现思路

[0003]本揭示内容包含一种半导体单元结构。半导体单元结构包括第一类型晶体管及第二类型晶体管。第一类型晶体管具有在处于一第一对准边界与一第二对准边界之间的一第一类型主动区域内对准的通道区域、源极区域及漏极区域，每一对准边界在一第一方向上延伸。第二类型晶体管具有在处于一第一对准边界与一第二对准边界之间的一第二类型主动区域内对准的通道区域、源极区域及漏极区域，每一对准边界在第一方向上延伸。第二类型主动区域的第一对准边界邻近于第一类型主动区域的第一对准边界，且沿着垂直于第一方向的一第二方向与第一类型主动区域的第一对准边界分开。半导体单元结构亦包括一第一电源轨道及一第二电源轨道。第一电源轨道在第一方向上延伸且具有邻近第一类型主动区域的一长边缘。第二电源轨道在第一方向上延伸且具有邻近第二类型主动区域的一长边缘。第一电源轨道的长边缘与第一类型主动区域的第一对准边界之间的沿着第二方向的一第一距离与第二电源轨道的长边缘与第二类型主动区域的第一对准边界之间的沿着第二方向的一第二距离相差一预定距离。
[0004]本揭示内容包含一种半导体单元结构。半导体单元结构包括第一类型晶体管及第二类型晶体管。第一类型晶体管具有在处于一第一对准边界与一第二对准边界之间的一第一类型主动区域内对准的通道区域、源极区域及漏极区域，每一对准边界在一第一方向上延伸。第二类型晶体管具有在处于一第一对准边界与一第二对准边界之间的一第二类型主动区域内对准的通道区域、源极区域及漏极区域，每一对准边界在第一方向上延伸。第二类型主动区域的第一对准边界邻近于第一类型主动区域的第一对准边界，且沿着垂直于第一方向的一第二方向与第一类型主动区域的第一对准边界分开。半导体单元结构亦包括在第二方向上延伸的一栅极条带及在第一方向上延伸的四个绕线轨。栅极条带被分成一第一栅极条带片段及一第二栅极条带片段。第一栅极条带片段在第一类型晶体管中的一者的一通道区域上方与第一类型主动区域相交，且第二栅极条带片段在第二类型晶体管的一通道区域上方与第二类型主动区域相交。四个绕线轨包括彼此邻近且定位于一第一外绕线轨与一第二外绕线轨之间的两个内绕线轨。第一外绕线轨及第二外绕线轨中的每一者具有邻近两
个内绕线轨的一内侧。第一外绕线轨的内侧与第一类型主动区域的第一对准边界之间的沿着第二方向的一第一距离与第二外绕线轨的内侧与第二类型主动区域的第一对准边界之间的沿着第二方向的一第二距离相差一预定距离。
[0005]本揭示内容包含一种形成一集成电路的方法。方法包含通过一处理器产生集成电路的一布局设计，其中产生布局设计包含：产生处于一第一对准边界与一第二对准边界之间的一第一类型主动区域图案，每一对准边界在一第一方向上延伸；产生处于一第一对准边界与一第二对准边界之间的一第二类型主动区域图案，每一对准边界在第一方向上延伸，其中第二类型主动区域图案的第一对准边界邻近于第一类型主动区域图案的第一对准边界且沿着垂直于第一方向的一第二方向与第一类型主动区域图案的第一对准边界分开；产生规定一第一电源轨道的一第一电源轨道图案，第一电源轨道在第一方向上延伸且具有邻近第一类型主动区域图案的一长边缘；以及产生规定一第二电源轨道的一第二电源轨道图案，第二电源轨道在第一方向上延伸且具有邻近第二类型主动区域图案的一长边缘，其中第一电源轨道图案的长边缘与第一类型主动区域图案的第一对准边界之间的沿着第二方向的一第一距离与第二电源轨道图案的长边缘与第二类型主动区域图案的第一对准边界之间的沿着第二方向的一第二距离相差一预定距离。
附图说明
[0006]本揭示内容的态样将在结合附图阅读时自以下详细描述最佳地了解。请注意，根据产业中的标准方法，各种特征未按比例绘制。实际上，为了论述清楚起见，各种特征的尺寸可以任意地增大或减小。
[0007]根据一些实施例，图1A是具有两个晶体管的半导体单元结构的部分布局图；
[0008]根据一些实施例，图1B是沿着图1A中的切割线PP
’
的半导体单元结构的横截面图；
[0009]根据一些替代实施例，图2A是半导体单元结构的部分布局图；
[0010]根据一些替代实施例，图2B是沿着图2A中的切割线PP
’
的半导体单元结构的横截面图；
[0011]根据一些实施例，图3A至图3C是具有四个晶体管的半导体单元结构的部分布局图；
[0012]根据一些实施例，图3D是图3C中的部分布局图的棒状图；
[0013]根据一些实施例，图3E是如图3C中的棒状图所规定的半导体单元结构的等效电路；
[0014]根据一些实施例，图3F是图3E的半导体单元结构结合额外电路装置的电路图；
[0015]根据一些实施例，图4A至图4C是具有十二个晶体管的半导体单元结构的部分布局图；
[0016]根据一些实施例，图4D是图4C中的部分布局图的棒状图；
[0017]根据一些实施例，图4E是如图4D中的棒状图所规定的半导体单元结构的等效电路的电路图；
[0018]根据一些实施例，图4F是图4E中的电路的不同格式的电路图；
[0019]根据一些实施例，图5是产生集成电路的布局设计的方法的流程图；
[0020]图6是根据一些实施例的电子设计自动化(electronic design automation；EDA)
系统的方块图；
[0021]根据一些实施例，图7是集成电路(integrated circuit；IC)制造系统及与该IC制造系统相关联的IC制造流程的方块图。
[0022]【符号说明】
[0023]40:电源轨道
[0024]41、61:长边缘
[0025]50p:主动区域
[0026]50n:主动区域
[0027]51p、51n:第一对准边界
[0028]52p、52n:第二对准边界
[0029]60:电源轨道
[0030]100、200、300、400:半导体单元结构
[0031]101、102、103、104:边界
[0032]110:绕线轨
[0033]111、141:内侧
[0034]120、130:绕线轨
[0035]140:绕线轨
[0036]154、155、156、351、352、35本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体单元结构，其特征在于，包含：多个第一类型晶体管，具有在一第一类型主动区域内对准的多个通道区域、多个源极区域及多个漏极区域，该第一类型主动区域位于一第一对准边界与一第二对准边界之间，每一对准边界在一第一方向上延伸；多个第二类型晶体管，具有在一第二类型主动区域内对准的多个通道区域、多个源极区域及多个漏极区域，该第二类型主动区域处于一第一对准边界与一第二对准边界之间，每一对准边界在该第一方向上延伸，其中该第二类型主动区域的该第一对准边界邻近于该第一类型主动区域的该第一对准边界且沿着垂直于该第一方向的一第二方向与该第一类型主动区域的该第一对准边界分开；一第一电源轨道，在该第一方向上延伸且具有邻近该第一类型主动区域的一长边缘；以及一第二电源轨道，在该第一方向上延伸且具有邻近该第二类型主动区域的一长边缘，其中该第一电源轨道的该长边缘与该第一类型主动区域的该第一对准边界之间的沿着该第二方向的一第一距离与该第二电源轨道的该长边缘与该第二类型主动区域的该第一对准边界之间的沿着该第二方向的一第二距离相差一预定距离。2.根据权利要求1所述的半导体单元结构，其特征在于，进一步包含：多个绕线轨，在该第一方向上延伸，并且等距地处于该第一电源轨道与该第二电源轨道之间。3.根据权利要求1所述的半导体单元结构，其特征在于，进一步包含：一栅极条带，在该第二方向上延伸且分成一第一栅极条带片段及一第二栅极条带片段，该第一栅极条带片段在该些第一类型晶体管中的一者的一通道区域上方与该第一类型主动区域相交，且该第二栅极条带片段在该些第二类型晶体管中的一者的一通道区域上方与该第二类型主动区域相交；至少四个绕线轨，在该第一电源轨道与该第二电源轨道之间在该第一方向上延伸，该四个绕线轨包括彼此邻近且定位于一第一外绕线轨与一第二外绕线轨之间的两个内绕线轨；一第一通孔连接器，该第一通孔连接器将该第一栅极条带片段及该第二栅极条带片段中的一者连接至该两个内绕线轨中的一者；及一第二通孔连接器，该第二通孔连接器将该第一栅极条带片段及该第二栅极条带片段中的一第一者连接至该第一外绕线轨。4.根据权利要求1所述的半导体单元结构，其特征在于，自该第一电源轨道的该长边缘至该第一类型主动区域的该第二对准边界的沿着该第二方向的一第一间距等于自该第二电源轨道的该长边缘至该第二类型主动区域的该第二对准边界的沿着该第二方向的一第二间距。5.一种半导体单元结构，其特征在于，包含：多个第一类型晶体管，具有在一第一类型主动区域内对准的多个通道区域、多个源极区域及多个漏极区域，该第一类型主动区域处于一第一对准边界与一第二对准边界之间，每一对准边界在一第一方向上延伸；多个第二类型晶体管，具有在一第二类型主动区域内对准的多个通道区域、多个源极
区域及多个漏极区域，该第二类型主动区域处于一第一对准边界与一第二对准边界之间，每一对准边界在该第一方向上延伸，其中该第二类型主动区域的该第一对准边界邻近于该第一类型主动区域的该第一对准边界且沿着垂直于该第一方向的一第二方向与该第一类型主动区域的该第一对准边界分开；一栅极条带，在该第二方向上延伸且分成一第一栅极条带片段及一第二栅极条带片段，该第一栅极条带片段在该些第一类型晶体管中的一者的一通道区域上方与该第一类型主动区域相交，且该第二栅极条带片段在该些第二类型晶体管中的一者的一通道区域上方与该第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴国晖，陈志良，田丽钧，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：