【技术实现步骤摘要】
半导体配置及其形成方法与电容器
[0001]本揭露的实施方式是关于半导体配置及其形成方法与电容器。
技术介绍
[0002]除了其他事项外,电容器可用于在电路中储存电荷。
技术实现思路
[0003]依照一些实施方式,一种半导体配置的形成方法,包含形成第一导电层于基材层上方。形成第一介电层于第一导电层上方。形成第二导电层于第一介电层上方。形成第一罩幕于第二导电层的第一部分上方。使用第一罩幕作为蚀刻模板进行第一蚀刻制程,以移除第二导电层的第二部分,并定义出第二导电层的侧壁表面。进行第一蚀刻制程包含在卤素前驱物气体的存在下,进行第一蚀刻制程的一阶段,以形成第一间隙壁于侧壁表面的一部分上方且覆盖第二导电层与第一介电层之间的界面。
[0004]依照一些实施方式,一种半导体配置包含第一导电层以及第一介电层位于第一导电层上方。第二导电层位于第一介电层的一部分上方,且具有侧壁表面。间隙壁位于第二导电层的侧壁表面的一部分上方,且覆盖第二导电层与第一介电层之间的界面。第一导电层、第一介电层、与第二导电层定义出一电容器。r/>[0005]依本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体配置的形成方法,其特征在于,该方法包含:形成一第一导电层于一基材层上方;形成一第一介电层于该第一导电层上方;形成一第二导电层于该第一介电层上方;形成一第一罩幕于该第二导电层的一第一部分上方;以及使用该第一罩幕作为蚀刻模板进行一第一蚀刻制程,以移除该第二导电层的一第二部分,并定义出该第二导电层的一侧壁表面,其中:进行该第一蚀刻制程包含在一卤素前驱物气体的存在下,进行该第一蚀刻制程的一阶段,以形成一第一间隙壁于该第二导电层的该侧壁表面的一部分上方且覆盖该第二导电层与该第一介电层之间的一界面。2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,该方法包含:于形成该第一罩幕前,形成一第二介电层于该第二导电层上方;以及使用该第一罩幕作为蚀刻模板进行一第二蚀刻制程,以移除该第二介电层的一部分,并定义出该第二介电层的一侧壁表面,其中该第一间隙壁覆盖该第二介电层的该侧壁表面。3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,该方法包含:形成该第一导电层包含形成该第一导电层于一第二介电层上方,以及该方法包含:形成一第二罩幕于该第一介电层的一第一部分与该第一导电层的一第一部分上方;以及利用该第二罩幕作为蚀刻模板进行一第二蚀刻制程,以移除该第一介电层的一第二部分、移除该第一导电层的一第二部分并定义出该第一导电层的一侧壁表面、以及暴露出该第二介电层,其中:进行该第二蚀刻制程包含在一第二卤素前驱物气体的存在下进行该第二蚀刻制程的一阶段,以形成一第二间隙壁于该第一导电层的该侧壁表面的一部分上方,且覆盖该第一导电层与该第二介电...
【专利技术属性】
技术研发人员:郭富强,
申请(专利权)人:台湾积体电路制造股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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