半导体装置结构制造方法及图纸

本发明专利技术实施例提供一种半导体装置结构。半导体装置结构包括栅极介电层、栅极层、第一自对准接点层、隔离层以及第一侧壁间隔物。栅极层接触栅极介电层；第一自对准接点层位于栅极层上；隔离层位于栅极层与第一自对准接点层之间；第一侧壁间隔物接触栅极介电层、隔离层以及第一自对准接点层。及第一自对准接点层。及第一自对准接点层。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置结构


[0001]本专利技术实施例涉及半导体装置结构，尤其涉及隔离层位于自对准接点层与栅极层之间以阻挡氧扩散至栅极层的结构。

技术介绍

[0002]集成电路通常包含多个半导体装置如场效晶体管与内连线层形成于半导体基板上。由于持续改善多种电子构件(比如切换源极与漏极之间的电流所用的栅极)的效能，半导体产业已经历持续的快速成长。然而在集成电路的工艺时可能损伤栅极与其效能。因此目前亟需改善处理与制造集成电路的方法。

技术实现思路

[0003]本专利技术一些实施例提供半导体装置结构。半导体装置结构包括栅极介电层；栅极层，接触栅极介电层；第一自对准接点层，位于栅极层上；隔离层，位于栅极层与第一自对准接点层之间；以及第一侧壁间隔物，接触栅极介电层、隔离层以及第一自对准接点层。
[0004]本专利技术一些实施例提供半导体装置结构。半导体装置结构包括第一源极/漏极结构与第二源极/漏极结构；以及通道层，位于第一源极/漏极结构与第二源极/漏极结构之间并接触第一源极/漏极结构与第二源极/漏极结构，其中通道层的组成为半导体层。半导体装本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置结构，包括：一栅极介电层；一栅极层，接触该栅极介电层；一第一自对准接点层，位于该栅极层上；一隔离层，位...

【专利技术属性】
技术研发人员：王圣璁，黄麟淯，庄正吉，王志豪，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：