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本发明实施例提供一种半导体装置结构。半导体装置结构包括栅极介电层、栅极层、第一自对准接点层、隔离层以及第一侧壁间隔物。栅极层接触栅极介电层；第一自对准接点层位于栅极层上；隔离层位于栅极层与第一自对准接点层之间；第一侧壁间隔物接触栅极介电层、...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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