半导体装置结构制造方法及图纸

本公开提供一种半导体装置结构。上述半导体装置结构包括第一及第二源极/漏极外延特征、设置于第一与第二源极/漏极外延特征间的第一栅极电极层、第三及第四源极/漏极外延特征、设置于第三与第四源极/漏极外延特征间的第二栅极电极层、设置于第一及第二源极/漏极外延特征上的第五及第六源极/漏极外延特征以及设置于第五与第六源极/漏极外延特征间的第三栅极电极层。第三栅极电极层电性连接至第二源极/漏极外延特征。上述结构包括设置于第三及第四源极/漏极外延特征上的第七及第八源极/漏极外延特征。第二栅极电极层设置于第七与第八源极/漏极外延特征间。与第八源极/漏极外延特征间。与第八源极/漏极外延特征间。

Semiconductor device structure

【技术实现步骤摘要】
半导体装置结构


[0001]本公开涉及一种半导体装置，尤其涉及一种具有垂直堆叠的场效晶体管的半导体装置。

技术介绍

[0002]半导体集成电路(IC)工业已经历了指数性的成长。技术在IC材料与设计上的进步已产生了好几世代的IC，其中每一世代相较于先前世代都具有更小且更复杂的电路。在IC进化的过程中，功能密度(即：每单位芯片面积的互连装置的数量)通常会增加，同时几何尺寸(即：使用制造工艺所能创建的最小组件(或线段))则会减少。这种微缩(scaling down)的过程通常会以增加生产效率或降低相关成本的方式提供益处。这种微缩还增加了处理以及制造IC的复杂度。
[0003]在追求更高的装置密度、更好的性能以及更低的成本的过程中，来自制造与设计议题两者的挑战，带来了三维(three
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dimensional)设计的发展，例如多重栅极场效晶体管(field effect transistor,FET)，包含纳米片(nanosheet)FET。在纳米片FET中，通道区域的所有侧表面被栅极电极所围绕，这允许通道区域中更加充分的空乏本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置结构，包括：一第一源极/漏极外延特征；一第二源极/漏极外延特征；一第一栅极电极层，设置于上述第一源极/漏极外延特征与上述第二源极/漏极外延特征之间；一第三源极/漏极外延特征，设置为相邻于上述第二源极/漏极外延特征；一第四源极/漏极外延特征；一第二栅极电极层，设置于上述第三源极/漏极外延特征与上述第四源极/漏极外延特征之间；一第五源极/漏极外延特征，设置于上述第一源极/漏极外延特征上方；一第六源极/漏极外...

【专利技术属性】
技术研发人员：庄其毅，钟政庭，陈豪育，程冠伦，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：