提供一种封装结构与封装结构的形成方法。封装结构的形成方法包含在基板的上方沉积芯片结构并直接在芯片结构之上形成第一粘着元件。第一粘着元件具有第一热导率。封装结构的形成方法也包含直接在芯片结构之上形成第二粘着元件。第二粘着元件具有第二热导率...

本发明提出一种产生方法，适用于对于特定应用集成电路设计的每一宏电路产生时钟传送电路。产生方法包括接收以硬件描述语言描述的特定应用集成电路设计；将每一宏电路放置于半导体基板上的指定位置；基于宏时钟延迟模型，对每一宏电路产生定制时钟偏移信息...

一种半导体结构，包含基板以及第一、第二SRAM单元。每一第一SRAM单元包含两个第一p型FinFET与四个第一n型FinFET。每一第一p型以及第一n型FinFET包含在单一半导体鳍片中的通道。第一SRAM单元具有第一X间距以及第一Y间...

集成电路包括第一纳米结构晶体管和第二纳米结构晶体管。当形成集成电路时，片间填充层沉积在第二纳米结构晶体管的半导体纳米结构之间。第一栅极金属层沉积在第一纳米结构晶体管的半导体纳米结构之间，同时片间填充层沉积在第二纳米结构晶体管的半导体纳米...

集成芯片具有布置在半导体衬底上方的存储器单元阵列和驱动器电路。驱动器电路向阵列提供读取电压，该读取电压关于存储器阵列的近似温度而变化，以改善读取电流中的温度相关性。驱动器电路可以以与温度成反比的方式改变读取电压。读取电压可以连续或逐步变...

本发明的实施例公开了一种光刻系统和方法。光刻系统利用锡滴产生用于光刻的极紫外辐射。光刻系统用激光照射液滴。液滴变成等离子体，并发出极强的紫外线辐射。传感器阵列可感测到极端的紫外线辐射和液滴散发出来的带电粒子。控制系统分析来自传感器的传感...

方法包括形成重构晶圆，包括：在载体上方形成再分布结构，在再分布结构上方接合第一多个存储器管芯，在再分布结构上方接合多个桥接管芯，以及在第一多个存储器管芯和多个桥接管芯上方接合多个逻辑管芯。多个桥接管芯中的每个互连多个逻辑管芯中的四个并且...

一种具有存储器结构的集成电路，其中存储器结构包括第一电极以及第一铁电结构。第一铁电结构与第一电极垂直堆叠。第一铁电结构包括第一铁电层、第二铁电层以及第一恢复层。第二铁电层覆盖于第一铁电层。第一恢复层位于第一铁电层以及第二铁电层之间，且与...

本发明一些实施例关于集成芯片，其包括第一导电结构配置于基板上。存储层配置于第一导电结构上与第二导电结构下并包含铁电材料。退火的晶种层配置于第一导电结构与第二导电结构之间并直接位于存储层的第一侧上。含有斜方晶相的结晶结构量大于约35％。晶...

一种半导体装置及其制造方法，半导体装置包含基材、在基材下的晶片、在基材上的晶片及在基材上的虚拟晶粒。虚拟晶粒的图案包含第一内侧壁及第二内侧壁，且应力释放材料在虚拟晶粒的第一内侧壁及第二内侧壁之间，以形成虚拟晶粒应力平衡图案。晶粒应力平衡...

一种用于去除气流中颗粒的装置、晶圆处理系统以及将气流输送至反应室的方法，用于去除气流中颗粒的装置包括第一圆柱形部分，其用以接收含有靶气体及颗粒的气流；可旋转装置，其布置在第一圆柱形部分内，且用以在旋转动作中产生离心力以使颗粒转离可旋转装...

一种晶粒、半导体封装体与形成硅穿孔结构的方法，晶粒包含半导体基板、介电结构、互连结构、硅穿孔结构与硅穿孔阻障结构。半导体基板具有前侧与相对的背侧。介电结构可包含置于半导体基板的前侧上的基板氧化层与置于基板氧化层上的多个层间介电层。互连结...

提供了半导体结构及其形成方法。根据本公开的半导体结构包括：接触部件，位于介电层中；钝化结构，位于介电层上方；导电部件，位于钝化结构上方；种子层，设置在导电部件和钝化结构之间；保护层，沿导电部件的侧壁设置；以及钝化层，位于导电部件和保护层...

本公开提供一种封装结构及其制造方法。一种封装结构包括电路衬底、半导体器件及环状结构。所述电路衬底具有第一区及连接到所述第一区的第二区。所述电路衬底包括至少一个布线层，所述至少一个布线层包括介电部分及设置在所述介电部分上的导电部分。所述第...

一种半导体装置包括衬底、封装结构、第一散热器及第二散热器。封装结构设置在衬底上。第一散热器设置在衬底上。第一散热器环绕封装结构。第二散热器设置在封装结构上。第二散热器连接到第一散热器。第一散热器的材料不同于第二散热器的材料。第二散热器的...

本公开的各种实施例是涉及一种具有包括与背侧表面相对的前侧表面的半导体衬底的图像传感器。多个光检测器设置在半导体衬底中。隔离结构自半导体衬底的背侧表面延伸到半导体衬底中且设置在相邻光检测器之间。隔离结构包含金属芯、设置在半导体衬底与金属芯...

本公开的各种实施例涉及一种集成芯片(IC)。所述IC包括设置在半导体衬底之上的第一金属间介电(IMD)结构。金属

一种半导体装置包括电路衬底、至少一个半导体管芯、第一框架及第二框架。所述至少一个半导体管芯连接到电路衬底。第一框架设置在电路衬底上且围绕所述至少一个半导体管芯。第二框架堆叠在第一框架上。第一框架包括基础部分及悬突部分。基础部分具有第一宽...

一种电连接到导电凸块的金属化结构。所述金属化结构包括长圆形或椭圆形重布线焊盘、设置在所述长圆形或椭圆形重布线焊盘上的导通孔以及覆盖所述导通孔的凸块下金属，其中所述导电凸块设置在所述凸块下金属上。此外，提供一种包括上述金属化结构的封装结构...

本申请的实施例提供了一种形成半导体器件的方法包括：在衬底中形成N阱和P阱；在N阱和P阱上方沉积具有硅的第一层；在第一层上方沉积第一介电层；在第一介电层上方形成抗蚀剂图案，该抗蚀剂图案提供位于N阱正上方的开口；通过开口蚀刻第一介电层和第一...