半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

一种半导体装置及其制造方法，半导体装置包含基材、在基材下的晶片、在基材上的晶片及在基材上的虚拟晶粒。虚拟晶粒的图案包含第一内侧壁及第二内侧壁，且应力释放材料在虚拟晶粒的第一内侧壁及第二内侧壁之间，以形成虚拟晶粒应力平衡图案。晶粒应力平衡图案。晶粒应力平衡图案。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置及其制造方法


[0001]本揭露是关于一种半导体装置及其制造方法，特别是关于一种具有虚拟晶粒的半导体装置及其制造方法。

技术介绍

[0002]电路板组件是用于多数电子装置中，例如移动电话、笔记型计算机、桌上型计算机、平板计算机、手表、游戏系统及各种其他工业用、商业用及消费电子。电路板组件一般包含晶粒组装在电路板上。晶粒包含一块半导体材料，其是具有一或多种基材、掺杂的、未掺杂的、布植及隔离的区域。许多装置包含电路板组件，其是包含一或多个晶粒直接或非直接地组装在电路板的一或二侧上。

技术实现思路

[0003]本揭露的一态样是提供一种半导体装置的制造方法，其是包含连接虚拟晶粒至基材、形成光微影图案在虚拟晶粒上、利用光微影图案来图案化虚拟晶粒，以形成第一间隙在虚拟晶粒内，以及以应力释放材料填充第一间隙。
[0004]本揭露的另一态样是提供一种半导体装置，其包含基材、在基材上的虚拟晶粒，其中虚拟晶粒包含第一内侧壁及第二内侧壁，以及在虚拟晶粒的第一内侧壁及第二内侧壁之间的应力释放材料。
[0005]本揭露的再一态样是提供一种半导体装置，其包含基材及在基材上的虚拟晶粒。虚拟晶粒包含第一虚拟晶粒部分及第二虚拟晶粒部分。第一间隙是定义在第一虚拟晶粒部分及第二虚拟晶粒部分之间，且第一虚拟晶粒部分的第一宽度是小于第一间隙的第二宽度。
附图说明
[0006]根据以下详细说明并配合附图阅读，使本揭露的态样获致较佳的理解。需注意的是，如同业界的标准作法，许多特征并不是按照比例绘示的。事实上，为了进行清楚讨论，许多特征的尺寸可以经过任意缩放。
[0007]图1是绘示根据一些实施例的半导体装置的侧视图；
[0008]图2是绘示根据一些实施例的晶片的侧视图；
[0009]图3是绘示根据一些实施例的晶片的侧视图；
[0010]图4是绘示根据一些实施例的半导体装置的侧视图；
[0011]图5至图8是绘示根据一些实施例的半导体装置的制造方法；
[0012]图9至图14是绘示根据一些实施例的虚拟晶粒的一实施例。
[0013]【符号说明】
[0014]100:半导体装置
[0015]102:基材
[0016]104:虚拟晶粒
[0017]106:第一晶片
[0018]108:第二晶片
[0019]110:封装材料
[0020]112:应力释放材料
[0021]114:第一元件基材
[0022]116:布植区域
[0023]118:浅沟渠隔离结构
[0024]120:导电区域
[0025]122:介电区域
[0026]124:栅极电极
[0027]126:晶体管
[0028]128:第一介电层
[0029]130:第二介电层
[0030]132:垂直内连接通道
[0031]134:第一金属层
[0032]136:界面垂直内连接通道
[0033]138:第二元件基材
[0034]140:虚拟晶粒部分
[0035]142:内侧壁
[0036]144:间隙
[0037]146:内连接层
[0038]148:晶片间垂直内连接通道
[0039]150:浅沟渠隔离结构
[0040]152:导电区域
[0041]154:介电区域
[0042]156:栅极电极
[0043]158:布植区域
[0044]160:第一介电层
[0045]162:第二介电层
[0046]164:金属层
[0047]166:内连接层
[0048]172:导体
[0049]174:侧壁
[0050]176,178:外侧壁
[0051]180:光微影图案
[0052]184:间隙
[0053]185:水平部分
[0054]186:垂直部分
[0055]188:块状
[0056]192,194:狭缝
[0057]A,B,C:宽度
[0058]D,E,F:距离
[0059]M1,M2:质量
[0060]W
S
,W
G
:宽度
具体实施方式
[0061]以下揭露提供许多不同实施例或例示，以实施专利技术的不同特征。以下叙述的组件和装置的特定例示是为了简化本揭露。这些当然仅是做为例示，其目的不在构成限制。举例而言，说明书中第一特征形成在第二特征之上或上方包含第一特征和第二特征有直接接触的实施例，也包含有其他特征形成在第一特征和第二特征之间，以致第一特征和第二特征没有直接接触的实施例。除此之外，本揭露在各种具体例中重复元件符号及/或字母。此重复的目的是为了使说明简化且清晰，并不表示各种讨论的实施例及/或配置之间有关系。
[0062]再者，空间相对性用语，例如“下方(beneath)”、“在
…
之下(below)”、“低于(lower)”、“在
…
之上(above)”、“高于(upper)”等，是为了易于描述附图中所绘示的零件或特征和其他零件或特征的关系。空间相对性用语除了附图中所描绘的方向外，还包含元件在使用或操作时的不同方向。装置可以其他方式定向(旋转90度或在其他方向)，而本揭露所用的空间相对性描述也可以如此解读。再者，关系用语“连接至(connected to)”、“相邻于(adjacent to)”、“耦接至(coupled to)”等相似者是可用于本文以描述直接及非直接的关系。“直接地(directly)
‘
连接、相邻或连接可表示没有介于中间的元件、装置或结构的关系。“非直接地(indirectly)”连接、相邻或连接可表示有介于中间的元件、装置或结构的关系。
[0063]本文是揭露一种具有一或多个虚拟晶粒的半导体装置。虚拟晶粒包含应力平衡图案，以抗衡组装在基材上的晶片的质量。根据一些实施例，虚拟晶粒的应力平衡图案是形成以减少虚拟晶粒的质量，借以缓解基材翘曲。根据一些实施例，虚拟晶粒的应力平衡图案是形成以分散虚拟晶粒在基材上的质量，以此方式来抗衡晶片在基材上的质量分布。通过减少应力、剪力等力来抗衡晶粒及减缓基材翘曲，进而增加产量，晶片可能会承受前述力，对于晶片、形成在晶片上的装置等的效能、可靠性等有不利影响。
[0064]一种包含虚拟晶粒以抗衡在基材上的晶片的半导体装置的制造方法包含连接虚拟晶粒至基材，形成光微影图案在虚拟晶粒上，利用光微影图案来图案化虚拟晶粒，以具有图案(例如一或多个间隙、开口、空隙等)在虚拟晶粒内，以应力释放材料填充至少一些在虚拟晶粒内形成的图案，及以可与应力释放材料相同或不相同的材料填充在晶片及虚拟晶粒之间的间隙。根据一些实施例，虚拟晶粒是具有应力平衡图案，其中应力平衡图案对应被图案化的虚拟晶粒，应力释放材料填充至本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包含：连接一虚拟晶粒至一基材；形成一光微影图案在该虚拟晶粒上；利用该光微影图案来图案化该虚拟晶粒，以形成一第一间隙在该虚拟晶片粒内；以及以一应力释放材料填充该第一间隙。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包含：利用该光微影图案来图案化该虚拟晶粒，以形成一第二间隙在该虚拟晶粒内；以及以该应力释放材料填充该第二间隙。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包含：连接一晶片至该基材，其中该晶片的一侧壁及该虚拟晶粒的一外侧壁在该晶片及该虚拟晶粒之间定义一间隙。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，还包含：以一材料填充该晶片及该虚拟晶粒之间的该间隙。5.一种半导体装置，其特征在于，包含：一基材；一虚拟晶粒，在该基材上，其中该虚拟晶粒包含一第一内侧壁及一第二内侧壁；以及一应力释放材料，在该虚拟晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：张任远，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：