用于去除气流中颗粒的装置、晶圆处理系统以及将气流输送至反应室的方法制造方法及图纸

一种用于去除气流中颗粒的装置、晶圆处理系统以及将气流输送至反应室的方法，用于去除气流中颗粒的装置包括第一圆柱形部分，其用以接收含有靶气体及颗粒的气流；可旋转装置，其布置在第一圆柱形部分内，且用以在旋转动作中产生离心力以使颗粒转离可旋转装置；第二圆柱形部分，其耦接至第一圆柱形部分且用以接收靶气体；及第三圆柱形部分，其耦接至第一圆柱形部分且围绕第二圆柱形部分，第三圆柱形部分用以接收转向颗粒。以接收转向颗粒。以接收转向颗粒。

【技术实现步骤摘要】
用于去除气流中颗粒的装置、晶圆处理系统以及将气流输送至反应室的方法


[0001]本揭露是关于晶圆处理设备，更具体而言，关于将反应气体输送至处理室的器件、系统及方法。

技术介绍

[0002]化学气相沉积(chemical vapor deposition，CVD)是一种生产高品质薄膜的真空沉积制程。在化学气相沉积中，基板(晶圆)曝光于一或多种前驱物(亦称为“前驱物气体”、“反应物”、“反应物气体”、或“气体物种
‘
)，这些前驱物在基板表面分解以产生所需的沉积物。沉积速率由温度或前驱物量控制。通常，亦会产生挥发性副产物，接着通过流动穿过反应室的气体将其去除。在一些情况下，前驱物气体以气态形式包含在前驱物源容器中。在其他情况下，前驱物在环境温度及压力下为液体或固体，且待加热以产生足量的蒸汽用于化学气相沉积制程。
[0003]原子层沉积(atomic layer deposition，ALD)是半导体工业中用于在基板上形成薄膜的制程。ALD是化学气相沉积(chemical vapor deposition，CVD)的一个子类，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于去除气流中颗粒的装置，其特征在于，该装置包含：一第一圆柱形部分，用以接收含有一靶气体及该些颗粒的该气流；一可旋转装置，布置在该第一圆柱形部分内，且用以在处于一旋转动作时产生一离心力，以使该些颗粒转离该可旋转装置；一第二圆柱形部分，耦接至该第一圆柱形部分且用以接收该靶气体；及一第三圆柱形部分，耦接至该第一圆柱形部分且围绕该第二圆柱形部分，该第三圆柱形部分用以接收该些颗粒。2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，该可旋转装置包含：一可旋转轴，配置在该第一圆柱形部分的一长轴方向上；及多个交错叶片，布置在该旋转轴的一表面上。3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，该些交错叶片以不垂直于该旋转轴的该表面的一角度配置。4.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，该可旋转装置布置在该第二圆柱形部分及该第三圆柱形部分的外部。5.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，进一步包含耦接至该可旋转装置且用以旋转该可旋转装置的一电动机。6.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，进一步包含多个支撑连接件，以一轮辐结构将该第二圆柱形部分的一部分耦接至该第一圆柱形部分的一内壁。7.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，该第一圆柱形部分、该第二圆柱形部分、...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑文豪，朱玄之，陈彦羽，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：