集成芯片以及操作相变存储器的方法技术

集成芯片具有布置在半导体衬底上方的存储器单元阵列和驱动器电路。驱动器电路向阵列提供读取电压，该读取电压关于存储器阵列的近似温度而变化，以改善读取电流中的温度相关性。驱动器电路可以以与温度成反比的方式改变读取电压。读取电压可以连续或逐步变化，并且驱动器电路可以使用表格查找。可选地，驱动器电路测量电流并调制读取电压，直到电流在目标范围内。存储器单元可以是多级相变存储器单元，其包括设置在底部电极和顶部电极之间的多个相变元件。调制读取电压以减少与温度有关的电流变化对于多级单元特别有用。电流变化对于多级单元特别有用。电流变化对于多级单元特别有用。

【技术实现步骤摘要】
集成芯片以及操作相变存储器的方法


[0001]本专利技术的实施例涉及集成芯片以及操作相变存储器的方法。

技术介绍

[0002]许多电子器件包含被配置为储存数据的电子存储器。电子存储器可以是易失性的或非易失性的。易失性电子存储器使用电源来维护数据，而非易失性存储器则能够在没有电源的情况下存储数据。闪存存储器是一种广泛使用的非易失性存储器。但是，闪存存储器被认为具有缩放(scale)限制。由于这个原因，长期以来人们一直需要非易失性存储器的可选类型。相变存储器(PCM)在这些选择中。相变存储器是一种非易失性存储器，其中，相变元件的相位被用来表示数据单元。相变存储器具有快速的读取写入时间、无损读取和高缩放性。相变存储器还具有每个单元存储多个位的潜力。

技术实现思路

[0003]根据本专利技术实施例的一个方面，提供了一种集成芯片，包括：半导体衬底；电阻式随机存取存储器单元的阵列，形成在半导体衬底上方；以及驱动器电路，被配置为向阵列中的所选择单元提供关于阵列的温度选择性变化的读取电压。
[0004]根据本专利技术实施例的另一个方面，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成芯片，包括：半导体衬底；电阻式随机存取存储器单元的阵列，形成在所述半导体衬底上方；以及驱动器电路，被配置为向所述阵列中的所选择单元提供关于阵列的温度选择性变化的读取电压。2.根据权利要求1所述的集成芯片，其中，所述驱动器电路被配置为根据所述温度从多个离散读取电压中的一个选择为所述读取电压。3.根据权利要求1所述的集成芯片，其中，所述驱动器电路被配置为响应于温度的降低而使读取电压升高，并且响应于温度的升高而使读取电压降低。4.根据权利要求1所述的集成芯片，还包括感测放大器，被构造为通过比较由所述驱动器电路驱动的读取电流与多个参考电流，以在所述所选择单元的四个或更多个不同的编程状态之间进行区分。5.根据权利要求1所述的集成芯片，还包括提供所述温度的温度传感器。6.根据权利要求1所述的集成芯片，其中，所述驱动器电路被配置为基于所述温度连续地改变读取电压。7.根据权利要求1所述的集成芯片，其中，所述电阻式随机存取存储器单元是包括硫属化物玻璃的相变存储器单元。8.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴昭谊，柯文昇，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：