光刻系统和方法技术方案

本发明专利技术的实施例公开了一种光刻系统和方法。光刻系统利用锡滴产生用于光刻的极紫外辐射。光刻系统用激光照射液滴。液滴变成等离子体，并发出极强的紫外线辐射。传感器阵列可感测到极端的紫外线辐射和液滴散发出来的带电粒子。控制系统分析来自传感器的传感器信号，并响应于传感器信号调整等离子体产生参数。并响应于传感器信号调整等离子体产生参数。并响应于传感器信号调整等离子体产生参数。

Lithography system and method

【技术实现步骤摘要】
光刻系统和方法


[0001]本公开涉及光刻领域。本公开更具体地涉及极紫外光刻系统和方法。

技术介绍

[0002]对于包括智能电话、平板电脑、台式计算机、膝上型计算机和许多其他种类的电子设备在内的电子设备，一直存在提高计算能力的持续需求。集成电路为这些电子设备提供计算能力。增加集成电路中计算能力的一种方法是增加半导体衬底的给定区域可以包括的晶体管和其他集成电路部件的数量。
[0003]集成电路芯片上的部件部分地借助于光刻来产生。传统的光刻技术包括生成掩模，掩模显示要在集成电路管芯上形成的部件的图案。光刻光源通过掩模照射集成电路管芯。可以经由集成电路管芯的光刻产生的部件的尺寸在下端部分地受到由光刻光源产生的光的波长限制。较小波长的光可以产生较小的部件尺寸。
[0004]由于极紫外光的波长相对较短，所以极紫外光用于产生特别小的部件。例如，极紫外光通常是通过用激光束照射选定材料的液滴而产生的。来自激光束的能量使液滴进入等离子体状态。在等离子体状态下，液滴会发出极紫外光。极紫外光朝向具有椭圆形或抛物线形表面的收集器传播。收集器将极紫外光反本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光刻系统，包括：等离子体产生室(101)；液滴产生器(108)，被配置为将液滴(142)的流输出到所述等离子体产生室中；激光器(102)，被配置为通过照射在所述等离子体产生室中的所述液滴而从所述液滴产生等离子体；一个或多个光传感器(126)，被配置为检测从所述等离子体发射的极紫外线辐射并输出指示所述极紫外线辐射的第一传感器信号；以及控制系统(114)，被配置为接收所述第一传感器信号，分析所述第一传感器信号，并且至少部分地基于所述第一传感器信号来调整等离子体产生参数。2.根据权利要求1所述的光刻系统，还包括一个或多个第一带电粒子检测器，被配置为感测从所述等离子体喷出的带电粒子并输出指示所述带电粒子的第二传感器信号。3.根据权利要求2所述的光刻系统，其中，所述一个或多个第一带电粒子检测器包括电荷耦合器件。4.根据权利要求3所述的光刻系统，其中，所述一个或多个第一带电粒子检测器包括法拉第杯。5.根据权利要求3所述的光刻系统，其中，所述一个或多个第一带电粒子检测器位于所述等离子体产生室内。6.根据权利要求2所述的光刻系统，其中，所述控制系统被配置为分析所述第二传感器信号并至少部分地基于所述第一传感器信号和所述第二传感器信号来调整所述等离子体产生参数。7.根据权利要求6所述的光刻系统，还包括：收集器(106)，被配置为接收来...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈泰佑，刘恒信，陈立锐，简上杰，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：