一种方法包括蚀刻第一半导体鳍和第二半导体鳍以形成第一凹槽。第一半导体鳍和第二半导体鳍具有第一距离。蚀刻第三半导体鳍和第四半导体鳍以形成第二凹槽。第三半导体鳍和第四半导体鳍具有等于或小于第一距离的第二距离。实施外延以同时从第一凹槽生长第一...

本公开提出一种半导体装置结构。半导体装置结构包含第一介电部件，沿着第一方向延伸，第一介电部件包含第一介电层，第一介电层具有第一侧壁以及相对第一侧壁的第二侧壁；第一半导体层，与第一侧壁相邻设置，第一半导体层沿着垂直于第一方向的第二方向延伸...

本揭露为一种具有埋入式栅极结构的半导体元件及其形成方法。半导体元件包含基材与位于基材上的鳍结构。鳍结构包含顶部位以及底部位。半导体元件进一步包含位于鳍结构的底部位上的栅极结构。位于鳍结构的顶部位中的多个半导体层被设置在栅极结构上。半导体...

一种半导体晶粒及其制造方法，半导体晶粒包含：元件部分，包含在第一方向上延伸的半导体元件阵列；及至少一接口部分，在第一方向上定位于相邻于元件部分的轴向末端。至少一接口部分在垂直方向上具有梯状轮廓。接口部分包含：包含交替堆叠于彼此顶部上的多...

一种半导体装置、接面电路及制造半导体装置的方法，半导体装置包括第一半导体晶粒以及第二半导体晶粒，其中第二半导体晶粒包括接合至第一半导体晶粒的侧表面，使得第二半导体晶粒垂直于第一半导体晶粒。半导体装置还包括接面电路，用于将第一半导体晶粒连...

一种集成电路结构包括下部互连结构、第一半导体鳍片、下部栅极结构、第一源极/漏极结构、上部栅极结构、及上部互连结构。第一半导体鳍片在下部互连结构之上。下部栅极结构在第一半导体鳍片下方，且延伸跨越第一半导体鳍片。第一源极/漏极结构在第一半导...

一种微影系统和用于检测微影系统中碎屑的方法，极紫外(EUV)微影系统侦测自EUV产生腔室行进至扫描仪的碎屑。微影系统包含侦测光源及感测器。侦测光源输出穿过来自该EUV产生腔室的碎屑粒子行进路径的侦测光。感测器通过侦测碎屑粒子与侦测光的相...

一种半导体晶粒堆叠及其形成方法、和半导体封装，半导体晶粒堆叠包括具有第一晶格方向的第一半导体晶粒、以及接合到第一半导体晶粒并具有不同于第一晶格方向的第二晶格方向的第二半导体晶粒。第二半导体晶粒。第二半导体晶粒。

本揭露有关于一种半导体装置及在半导体装置内供应电力的方法。半导体装置包含第一半导体晶粒、在第一半导体晶粒上的堆叠中形成的第二半导体晶粒，以及在前述堆叠中形成的电源管理半导体晶粒，其中第一半导体晶粒以第一电力操作，第二半导体晶粒以不同于第...

一种形成半导体装置的方法，包括在基板上方形成介电层；在介电层上方形成图案化非晶硅层；在图案化非晶硅层上方沉积第一间隔层；在第一间隔层上方沉积第二间隔层；在基板上方形成具有开口的光阻；在光阻的开口中沉积硬遮罩层；在光阻的开口中沉积硬遮罩层...

一种半导体制程方法包括：将晶圆定位于设备的静电卡盘上；及通过以下方式将晶圆固定至静电卡盘：通过在第一时间处施加第一电压将晶圆的第一晶圆区域固定至静电卡盘的第一卡盘区域。方法进一步包括通过在不同于第一时间的第二时间处施加第二电压，将晶圆的...

本发明提供一种半导体装置。半导体装置包括有源区位于半导体基板。有源区沿着第一方向延伸。半导体装置亦包括栅极结构位于有源区上。栅极结构沿着第二方向延伸，且第二方向垂直于第一方向。此外，栅极结构接合有源区上的通道。装置还包括源极/漏极结构位...

本公开提出一种半导体装置。半导体装置包括绝缘层，其中绝缘层具有通孔开口与导电线路开口。半导体装置还包括通孔位于通孔开口中，其中通孔包括第一导电材料。半导体装置还包括导电线路位于导电线路开口中。导电线路包括第一衬垫层，其中通孔上的第一衬垫...

本公开提出一种互连结构。示例性的互连结构包括第一导电部件，具有第一厚度；第一介电材料，与第一导电部件相邻设置，其中第一介电材料具有大于第一厚度的第二厚度；第二导电部件，与第一介电材料相邻设置；第一蚀刻停止层，设置在第一导电部件上；第二蚀...

本公开一些实施例提供一种形成封装结构的设备。所述设备包括用于接合第一封装部件和第二封装部件的加工腔室。所述设备还包括设置于加工腔室中的接合头。接合头包括与多个真空装置连通的多个真空管。所述设备还包括连接至接合头的喷嘴，配置以固持第二封装...

本公开实施例提出一种内连线结构。内连线结构包括具有二维材料层的第一导电结构，位于第一导电结构上的第二导电结构，以及与第一导电结构及第二导电结构相邻的介电材料。介电材料自第一导电结构的底部高度延伸至第二导电结构的顶部高度。结构的顶部高度。...

本公开涉及三维集成电路中的竖直互连结构。3D IC结构包括多个管芯层，例如顶部管芯层和底部管芯层。顶部管芯层和/或底部管芯层各自包括例如以下项的器件：计算单元、模拟到数字转换器、模拟电路、RF电路、逻辑电路、传感器、输入/输出器件、和/...

一种半导体元件及其形成方法，半导体元件包括基板、第一鳍片、第二鳍片、第一隔离结构、第二隔离结构及栅极结构。第一鳍片自基板的P型区域延伸。第二鳍片自基板的N型区域延伸。第一隔离结构是在P型区域上，且与第一鳍片相邻。第一隔离结构具有底表面及...

本发明实施例涉及液体收集设备、冷却系统及其使用方法。一种液体收集设备包含外壳、抓取构件、入口及出口。所述外壳包含腔室。所述抓取构件可在所述腔室内移动，可朝向槽延伸或可远离槽缩回，且经配置以保持计算装置。所述入口可与所述腔室连通且经配置以...

本公开涉及一种半导体装置，其中，一或多个主动区结构各自在垂直方向中垂直地向外凸出基板，并在第一水平方向中水平延伸。源极/漏极构件在垂直方向中位于主动区结构上。源极/漏极接点在垂直方向中位于源极/漏极构件上。源极/漏极接点包括底部与顶部。...